傳Intel將擴(kuò)大外包，明年或用上臺積電6nm

在半導(dǎo)體工藝上，Intel的10nm已經(jīng)量產(chǎn)，但是官方也表態(tài)其產(chǎn)能不會跟22nm、14nm那樣大，這或許是一個重要的信號。此前業(yè)界多次傳出Intel也會外包芯片給臺積電，最新爆料稱2022年Intel也會上臺積電3nm。

來自業(yè)界消息人士@手機(jī)晶片達(dá)人的爆料稱，Intel預(yù)計會在2021年大規(guī)模使用臺積電的6nmn工藝，目前正在制作光罩（Mask）了。

在2022年Intel還會進(jìn)一步使用臺積電的3nm工藝代工。

在更早的爆料中，手機(jī)晶片達(dá)人指出Intel 2021年開始外包外公的主要是GPU及芯片組，還警告說2021年蘋果、海思、Intel及AMD會讓產(chǎn)能非常緊張。

假如Intel真的打算擴(kuò)大外包，除了已經(jīng)部分外包的芯片組之外，首當(dāng)其沖的就是GPU，因?yàn)镚PU相對CPU制造來說更簡單一些，而且臺積電在GPU制造上很有經(jīng)驗(yàn)。

結(jié)合之前的消息來看，Intel的Xe架構(gòu)獨(dú)顯DG1使用的是自家10nm工藝制造，今年底上市，擁有96組EU執(zhí)行單元，一共是768個核心，基礎(chǔ)頻率1GHz，加速頻率1.5GHz，1MB二級緩存以及3GB顯存，TDP為25W。

預(yù)計DG1的性能與GTX950相當(dāng)，比GTX 1050則差了15%左右，總體定位不高，適合高能效領(lǐng)域，尤其是筆記本GPU。

DG1之后還會有DG2獨(dú)顯，這就是一款高性能CPU了，之前爆料DG2會用上臺積電的7nm工藝，現(xiàn)在來看應(yīng)該是7nm改良版的6nm工藝了。

不過2021年Intel自己的7nm工藝也會量產(chǎn)，官方早已宣布用于數(shù)據(jù)中心的Ponte Vecchio加速卡會使用自家的7nm EUV工藝。