UFS 3.1閃存成5G手機(jī)絕配！鎧俠和西部數(shù)據(jù)陸續(xù)發(fā)布最新進(jìn)展！

因?yàn)橐咔橛绊懀鞔?a target="_blank">手機(jī)品牌紛紛開展線上發(fā)布會(huì)，5G手機(jī)大戰(zhàn)已然開啟，與此同時(shí)UFS 3.1閃存也成了熱門，近日vivo發(fā)布了旗下性能最強(qiáng)的SA＆NSA雙模5G旗艦手機(jī)iQOO 3 5G版，就首發(fā)了UFS 3.1閃存，調(diào)試信息顯示芯片顆粒來自三星。據(jù)了解，鎧俠及西部數(shù)據(jù)在UFS 3.1閃存也有最新進(jìn)展。

西數(shù)發(fā)布UFS 3.1閃存：寫速可達(dá)800MB/s

近日，西數(shù)宣布推出符合JEDEC最新規(guī)范的UFS 3.1閃存，品名iNAND MC EU521 。

西數(shù)將這款新型UFS 3.1閃存視作專為5G手機(jī)、平板等準(zhǔn)備，可為游戲、AR/VR、機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能等場(chǎng)景加速。

根據(jù)JEDEC文檔，相較于UFS 3.0，UFS 3.1的主要提升在于更高的寫入性能、更低的功耗及更穩(wěn)定的性能管理。為達(dá)成寫入加速，西數(shù)引入了第六代SmartSLC緩存技術(shù)，寫速最高可達(dá)800MB/s，媲美5G網(wǎng)絡(luò)實(shí)際下載速度，而且即便容量滿載也不會(huì)掉速。

雖然沒有公布存儲(chǔ)顆粒類型，但西數(shù)表示成本效益高，看來TLC的可能性大。

暫時(shí)還不清楚哪款手機(jī)或平板會(huì)搭載西數(shù)iNAND MC EU521 UFS 3.1閃存芯片。

鎧俠宣布出樣UFS 3.1閃存：最大1TB、寫速是UFS 3.0兩到三倍

鎧俠（KIOXIA，原東芝存儲(chǔ)）近日宣布開始出樣UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片。

新閃存基于東芝BiCS 3D存儲(chǔ)技術(shù)打造，設(shè)計(jì)容量包括128GB、256GB、512GB和1TB，比西數(shù)EU521豐富，主控和閃存都按照規(guī)范要求封裝在11.5 x 13mm的尺寸之內(nèi)。

關(guān)于性能，鎧俠未給出具體數(shù)據(jù)，但表示寫速是UFS 3.0的2~3倍，連續(xù)讀速比UFS 3.0提升30%，引入HPB改善隨機(jī)讀取性能，睡眠模式下功耗更低，溫度過高時(shí)可主動(dòng)降低性能避免損壞元件。

鎧俠指出，東芝是最早在2013年推出UFS的廠商，去年也是第一波提供UFS 3.0產(chǎn)品的企業(yè)。

相較于UFS3.0，UFS3.1的理論速度依然為23.2Gbps，但引入三個(gè)新特性，包括寫入增強(qiáng)器(Write Booster)、深度睡眠(Deep Sleep)和性能調(diào)整通知(Performance Throttling Notification)，以及支持UFS主機(jī)性能增強(qiáng)器(HPB，Host Performance Booster)擴(kuò)展。Write Booster帶來最大程度的順序?qū)懭胨俣忍嵘?，HPB能夠進(jìn)一步提升長(zhǎng)時(shí)間使用后的隨機(jī)讀取性能。

分析顯示，小米10 Pro的閃存配置為UFS3.0+Turbo Write ，Realme X50 Pro 的閃存配置為UFS3.0+Turbo Write+ HPB，均較標(biāo)準(zhǔn)版UFS3.0有所升級(jí)，與UFS3.1標(biāo)準(zhǔn)基本一致。

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