SSD和內(nèi)存,其構(gòu)成都離不開一個重要的東西——顆粒,這也是它們得以正常工作的必備部件之一。不過兩者雖然用的都是顆粒,但SSD在讀寫上有次數(shù)限制,而內(nèi)存卻沒有。其中的原因,得從兩者的功能說起。
首先,我們得要明白,無論是SSD還是內(nèi)存,同屬于存儲器。
存儲器,顧名思義是用來存放程序和數(shù)據(jù)的部件。有了它,計算機才有了記憶功能,才能保證正常的數(shù)據(jù)讀取和寫入。
存儲器可分為內(nèi)存儲器和外存儲器。內(nèi)存儲器可簡稱為內(nèi)存,其作用是用于暫時存放CPU中的運算數(shù)據(jù),以及與外存儲器交換數(shù)據(jù)。它的特點是讀寫數(shù)據(jù)快,但一旦斷電就無法存儲數(shù)據(jù)。
而外存儲器不一樣,斷電后它仍能保存數(shù)據(jù),缺點是讀寫速度慢,像SSD、U盤,或者久遠的磁帶都統(tǒng)稱為外存儲器。
正是兩者在功能的巨大區(qū)別,導(dǎo)致了它們在讀寫次數(shù)上大相徑庭。
當(dāng)CPU需要讀取硬盤中的數(shù)據(jù)時,由于硬盤的速度慢,耗費時間長,內(nèi)存會先到硬盤中把數(shù)據(jù)調(diào)取出來,再讓CPU直接到內(nèi)存中拿數(shù)據(jù)運算。
不過,由于內(nèi)存的存儲介質(zhì)是DRAM顆粒,它以一個晶體管加一個電容來存儲一個位(1bit)資料。
也就是說,DRAM顆粒是依靠電容來實現(xiàn)存儲的,它需要隔一段時間補充一次電量以保存數(shù)據(jù),換言之,在內(nèi)存中的數(shù)據(jù)只是短暫停留,一旦關(guān)機斷電,電容就無法工作,數(shù)據(jù)也會隨之消失。
由此看來,DRAM顆粒其實是沒有實質(zhì)的數(shù)據(jù)寫入的,那就意味著它可以無限讀寫。
但SSD就不一樣了,由于存儲介質(zhì)是閃存顆粒,它能夠在斷電的情況下繼續(xù)保存數(shù)據(jù)。
而閃存顆粒是有使用壽命的,即P/E擦寫次數(shù)。每寫滿一次容量,就損失了一次P/E值,也就是花掉了一次壽命。和人的壽命一樣,從出生的那一刻起就在做減法。當(dāng)寫入數(shù)次超過理論數(shù)值時,SSD就會損壞。
所以:
內(nèi)存只要能正常工作,讀寫次數(shù)時是沒有上限的。
SSD有讀寫上限,并且根據(jù)閃存類型來決定上限的水平。
看到這里,肯定有人要問了,既然內(nèi)存可以無限讀寫,是不是意味著內(nèi)存可以永久使用呢?答案當(dāng)然不是,除去人為外力損壞,DRAM顆粒中的晶體管也會隨著時間的推移出現(xiàn)老化現(xiàn)象,這是所有電子元器件都會面臨的問題。
責(zé)任編輯:wv
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