西數(shù)推出最新款UFS 3.1閃存 寫速最高可達(dá)800MB/s

本周二，西數(shù)宣布推出符合JEDEC最新規(guī)范的UFS 3.1閃存，品名iNAND MC EU521 。

西數(shù)將這款新型UFS 3.1閃存視作專為5G手機(jī)、平板等準(zhǔn)備，可為游戲、AR/VR、機(jī)器學(xué)習(xí)、人工智能等場景加速。

根據(jù)JEDEC文檔，相較于UFS 3.0，UFS 3.1的主要提升在于更高的寫入性能、更低的功耗及更穩(wěn)定的性能管理。為達(dá)成寫入加速，西數(shù)引入了第六代SmartSLC緩存技術(shù)，寫速最高可達(dá)800MB/s，媲美5G網(wǎng)絡(luò)實(shí)際下載速度，而且即便容量滿載也不會掉速。

雖然沒有公布存儲顆粒類型，但西數(shù)表示成本效益高，看來TLC的可能性大。

暫時還不清楚哪款手機(jī)或平板會搭載西數(shù)iNAND MC EU521 UFS 3.1閃存芯片，即將于2月25日發(fā)布的iQOO 3 5G倒是會首發(fā)UFS 3.1閃存。此前引入寫加速的小米10系列所配備的UFS 3.0閃存，寫入極速也能超700MB/s。

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