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Micro-LED將成為顯示產(chǎn)業(yè)的新勢(shì)頭

姚小熊27 ? 來(lái)源:21ic ? 作者:21ic ? 2020-02-18 20:57 ? 次閱讀

2019第三屆中國(guó)(國(guó)際)Micro-LED顯示高峰論壇在近日舉行,論壇上透露出LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展的新特點(diǎn)。在Micro-LED顯示產(chǎn)業(yè)化問(wèn)題上,專業(yè)人士認(rèn)為首先應(yīng)發(fā)展相比LCD或OLED更具優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)業(yè),主要針對(duì)TV、可穿戴設(shè)備、車載等運(yùn)用場(chǎng)景,以及適用于柔性透明的運(yùn)用場(chǎng)景。并且預(yù)計(jì)明年開始會(huì)有更多產(chǎn)品出現(xiàn)。但規(guī)?;逃萌杂兄T多問(wèn)題需要解決。

發(fā)展勢(shì)頭良好

Micro-LED是LED微縮化和矩陣化技術(shù),即將LED背光源進(jìn)行薄膜化、微小化、陣列化,與OLED一樣能夠?qū)崿F(xiàn)每個(gè)圖元單獨(dú)定址,單獨(dú)驅(qū)動(dòng)發(fā)光(自發(fā)光)。芯片尺寸方面,Micro-LED一般小于50微米,小間距LED在500微米左右。作為Micro-LED的過(guò)渡,Mini-LED介于50微米到200微米之間。

憑借諸多優(yōu)異顯示性能,Micro-LED被認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)的有力競(jìng)爭(zhēng)者。包括功耗低、亮度高、超高解析度、高色彩飽和度、響應(yīng)速度快、對(duì)比度高、可視角度寬、自發(fā)光和使用壽命長(zhǎng)。理論上,Micro-LED的功耗約為L(zhǎng)CD的10%、OLED的50%?;谶@些優(yōu)異性能,Micro-LED有望在穿戴式終端、智能手機(jī)、AR、VR、車載顯示、電視和大型顯示的應(yīng)用上發(fā)揮優(yōu)勢(shì)。

自2012年索尼在CES上推出首個(gè)Micro-LED產(chǎn)品(TV)以來(lái),三星、華星光電、康佳、天馬、LG等都相繼秀出自家Micro-LED產(chǎn)品。Micro-LED產(chǎn)業(yè)逐漸升溫。據(jù)不完全統(tǒng)計(jì),近幾年來(lái),海外初創(chuàng)Micro-LED公司不斷涌現(xiàn),且?guī)状蠡ヂ?lián)網(wǎng)企業(yè)如蘋果、Google、Facebook都已介入;同時(shí),京東方、華星光電、熊貓、維信諾、友達(dá)光電和群創(chuàng)光電等顯示面板企業(yè),三安、乾照、華燦等LED芯片企業(yè),國(guó)星、雷曼、瑞豐和聯(lián)電等LED封裝企業(yè)紛紛加入。

業(yè)界認(rèn)為Micro-LED將在5G時(shí)代發(fā)揮更大作用。中國(guó)科學(xué)院院士、南京大學(xué)物理系教授鄭有炓介紹,Micro-LED將支撐5G+8K和5G+VR/AR終端顯示的新要求。隨著量產(chǎn)技術(shù)的突破,Micro-LED顯示有望成為5G信息時(shí)代終端顯示的主流技術(shù)。

友達(dá)光電前瞻技術(shù)研究中心資深協(xié)理林雨潔表示,5G和AIOT時(shí)代來(lái)臨,對(duì)顯示器產(chǎn)業(yè)帶來(lái)了很大沖擊,但這種沖擊是良性刺激。資訊傳遞速度越來(lái)越快,對(duì)承載硬件的要求越來(lái)越高。新應(yīng)用不斷出現(xiàn),為顯示器帶來(lái)各種各樣應(yīng)用的可能。

探討產(chǎn)業(yè)化之路

Micro-LED顯示技術(shù)被視為顯示技術(shù)發(fā)展的新風(fēng)口,但其高成本、關(guān)鍵技術(shù)等方面的問(wèn)題仍待突破,Micro-LED技術(shù)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化仍需時(shí)間。

工信部電子信息司處長(zhǎng)王威偉認(rèn)為,產(chǎn)業(yè)化需要把握好三個(gè)原則。首先,技術(shù)選擇要盡早服從產(chǎn)業(yè)化需求?!皬腃RT到液晶,當(dāng)時(shí)并不認(rèn)為液晶技術(shù)最優(yōu),但20年過(guò)去液晶產(chǎn)業(yè)發(fā)展起來(lái)了。因此,產(chǎn)業(yè)化未必開始就用最優(yōu)的技術(shù)?!逼浯?,產(chǎn)業(yè)化過(guò)程中要有技術(shù)迭代的能力和資源?!叭绻夹g(shù)好,但投入成本巨大,沒(méi)有持續(xù)的迭代能力,這項(xiàng)技術(shù)難以產(chǎn)業(yè)化?!钡谌?,找準(zhǔn)目前可以產(chǎn)業(yè)化的方向?!氨筹@和大尺寸是目前Micro-LED相對(duì)看得清的細(xì)分方向。芯片制造、材料、模組、面板等相關(guān)企業(yè)要在確定的目標(biāo)上共同探討產(chǎn)業(yè)化之路。圍繞目標(biāo),盡早推出商品,而不僅僅是產(chǎn)品。”

多位專家和企業(yè)代表認(rèn)為,考慮到Micro-LED不可替代性優(yōu)勢(shì),大尺寸和小尺寸可能更適合率先產(chǎn)業(yè)化。大尺寸Micro-LED顯示器方面,聚焦5G+8K、5G+IOT+CC+AI引發(fā)的新需求以及電視機(jī)大尺寸、超高清、智能化的發(fā)展趨勢(shì);小尺寸Micro-LED顯示器方面,聚焦5G+AR/VR顯示終端需求,發(fā)展便攜式終端AR、VR、智能手表以及陽(yáng)光環(huán)境中使用的車載等抬頭顯示應(yīng)用。

鄭有炓表示,2012年以來(lái),相繼推出了高階高端樣機(jī)和產(chǎn)品,并接受訂貨。但消費(fèi)者負(fù)擔(dān)得起的高階高端產(chǎn)品才有市場(chǎng)前景。5G+AR/VR作為下一代信息技術(shù)發(fā)展的風(fēng)口,作為其生態(tài)圈終端微顯示,對(duì)Micro-LED微顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展起著很大的推動(dòng)作用。Micro-LED微顯示經(jīng)過(guò)10多年的研發(fā),產(chǎn)業(yè)化技術(shù)路線開始明朗。近年來(lái),眾多研究部門和企業(yè)不斷推出樣品樣機(jī),且顯示業(yè)界巨頭高調(diào)投入,搶占先機(jī)。

镎創(chuàng)科技創(chuàng)始人&執(zhí)行長(zhǎng)李允立認(rèn)為,Micro-LED短時(shí)間取代LCD或者OLED不是合理方向,應(yīng)該考慮從后者很難做到的領(lǐng)域切入。Micro-LED的結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單,在柔性顯示和透明顯示等方面具備優(yōu)勢(shì)。

此外,可以在性能要求高但成本敏感度相對(duì)低的應(yīng)用領(lǐng)域入手,比如車載顯示。

面臨諸多挑戰(zhàn)

中國(guó)證券報(bào)從峰會(huì)現(xiàn)場(chǎng)了解到,Micro-LED的產(chǎn)業(yè)化之路并不容易。有觀點(diǎn)認(rèn)為還需要2-3年時(shí)間,也有人認(rèn)為需要3-5年時(shí)間。這與Micro-LED顯示產(chǎn)業(yè)仍要解決的諸多問(wèn)題密切相關(guān)。

巨量轉(zhuǎn)移(包括傳遞、檢查、測(cè)試、修復(fù))是制作Micro-LED顯示屏的關(guān)鍵技術(shù)。傳統(tǒng)的LED在封裝環(huán)節(jié),主要采用真空吸取的方式進(jìn)行轉(zhuǎn)移。由于真空管在物理極限下只能做到大約80微米,而Micro-LED的尺寸基本小于50微米,所以真空吸附的方式在Micro-LED時(shí)代不再適用。目前,Micro-LED的巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)包括精準(zhǔn)抬放技術(shù)(分為靜電力、凡德瓦力、磁力)、自組裝技術(shù)、選擇性釋放技術(shù)、轉(zhuǎn)印技術(shù)和COB技術(shù)。

巨量轉(zhuǎn)移存在兩大挑戰(zhàn):Micro-LED芯片在進(jìn)行大量、多次轉(zhuǎn)移時(shí)的良率必須達(dá)到99.9999%,精準(zhǔn)度控制在±0.5微米以內(nèi);RGB全彩顯示需要對(duì)紅、藍(lán)、綠芯片分別轉(zhuǎn)移,要求精準(zhǔn)定位燈珠。比如,量產(chǎn)分辨率為FHD(全高清)的Micro-LED屏幕,需要1920*1080個(gè)像素,也就是200萬(wàn)個(gè)像素。而每個(gè)像素由R、G、B三個(gè)Micro-LED芯片組成,需要600萬(wàn)顆Mciro-LED。一塊屏幕需要600萬(wàn)顆微米級(jí)別的LED芯片等。

巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)不夠成熟會(huì)影響產(chǎn)品的良率和轉(zhuǎn)移效率,進(jìn)而推高制造成本。這也是目前少數(shù)大尺寸Micro-LED產(chǎn)品售價(jià)高昂的原因。成本下不來(lái),Micro-LED的量產(chǎn)就會(huì)很艱難。同時(shí),由于存在多個(gè)巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),企業(yè)面臨選擇問(wèn)題。

其他方面的問(wèn)題還有類似于效率越高LED芯片要做得越小,且要確保每一顆芯片的光電性能都一樣;三基色Micro-LED的像素光源問(wèn)題。目前主要采用藍(lán)光+熒光粉的解決方案,需要解決紅光問(wèn)題;三基色Micro-LED的像素組裝尺寸微米化受限,難以實(shí)現(xiàn)超高密度封裝等。

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