中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備發(fā)展的現(xiàn)狀是怎么樣的

半導(dǎo)體設(shè)備位于整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的上游，在新建晶圓廠中半導(dǎo)體設(shè)備支出的占比普遍達(dá)到 80%。一條晶圓制造新建產(chǎn)線的資本支出占比如下：廠房 20%、晶圓制造設(shè)備 65%、組裝封裝設(shè)備 5%，測(cè)試設(shè)備 7%，其他 3%。其中晶圓制造設(shè)備在 半導(dǎo)體設(shè)備中占比最大，進(jìn)一步細(xì)分晶圓制造設(shè)備類型，光刻機(jī)占比 30%，刻蝕 20%，PVD15%，CVD10%，量測(cè) 10%，離子注入5%，拋光 5%，擴(kuò)散 5%。

17 年全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)總量約為 566 億美元，同比+37%，2018 年預(yù)計(jì)在 600 億美元規(guī)模。中國(guó)是全球半導(dǎo)體設(shè)備的第三大市場(chǎng)，17 年中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備 82.3 億 元，增速 27%。

1.我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)政策歷史演變

1956 年國(guó)務(wù)院制定的《1956-1967 科學(xué)技術(shù)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃》中，已將半導(dǎo)體技術(shù)列為四大科研重點(diǎn)之一，明確提出“在 12 年內(nèi)可以制備和改進(jìn)各種半導(dǎo)體器材、器件”的目標(biāo)。同期教育部集中各方資源在北京大學(xué)設(shè)立半導(dǎo)體專業(yè)，培養(yǎng)了包括王陽(yáng)元院士、許居衍院士等第一批半導(dǎo)體人才。

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈復(fù)雜、技術(shù)難度高、需要資金巨大，且當(dāng)時(shí)國(guó)內(nèi)外特定的社會(huì)環(huán)境，中國(guó)在資金、人才及體制等各方面困難較多，導(dǎo)致中國(guó)半導(dǎo)體的發(fā)展舉步 維艱。(圖表 1、2 為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈圖)

直到 70 年代，中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的小規(guī)模生產(chǎn)才正式啟動(dòng)。原電子工業(yè)部部長(zhǎng)在其 著作《芯路歷程》中回憶這一階段歷史，提到發(fā)展中第一個(gè)誤區(qū)“有設(shè)備就能生產(chǎn)”， 70 年代從日本、美國(guó)引進(jìn)了大量二手、淘汰設(shè)備建立了超過(guò)30 條生產(chǎn)線，但引進(jìn) 后無(wú)法解決技術(shù)、設(shè)計(jì)問(wèn)題，也沒(méi)有管理、運(yùn)營(yíng)能力，第一批生產(chǎn)線未能發(fā)揮應(yīng)有 的作用，就淡出了市場(chǎng)。

90 年代，國(guó)家再度啟動(dòng)系列重大工程，為改變半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展困境，最知名的為 908、909 工程，中國(guó)半導(dǎo)體人從中獲得較多寶貴的經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)，收獲了兩家較為成功的案例，分別為華虹及海思。908 工程在 1990 年啟動(dòng)，投資20 億元建設(shè)國(guó)際 領(lǐng)先的 1 微米(1000nm)制程工藝的晶圓制造產(chǎn)線。由于中國(guó)彼時(shí)整體經(jīng)濟(jì)力量還在蓄積，因此經(jīng)費(fèi)、設(shè)備引進(jìn)、建廠等環(huán)節(jié)仍然阻力較大，直至1998 年產(chǎn)線得以 竣工。此時(shí)國(guó)際工藝節(jié)點(diǎn)達(dá)到0.18 微米，中國(guó)生產(chǎn)線剛建成就落后兩代。在 1996 年國(guó)家啟動(dòng)了“909”工程，整體投資約 100 億元，并且做出很多打破審批的特事特 辦，參與其中的公司如今只剩兩家，一個(gè)是 909 工程的主體華虹集團(tuán)，另一個(gè)則是 完全自籌 1.355 億元資金的華為設(shè)計(jì)公司，也就是后來(lái)的海思。

2012 年之后，國(guó)家領(lǐng)導(dǎo)層逐漸認(rèn)識(shí)到“政策在發(fā)改委、科研在科技部、產(chǎn)業(yè)在工信部、資金歸財(cái)政部”的格局，導(dǎo)致半導(dǎo)體行業(yè)政出多門、相互牽制、難以統(tǒng)籌等 現(xiàn)實(shí)困難，因此積極調(diào)整發(fā)展思路，設(shè)立集成電路產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)小組、發(fā)布《集成電路產(chǎn)業(yè)推進(jìn)剛要》、籌建大基金等舉措，進(jìn)一步自上而下的理順了半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展框架。在產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)小組成立之后，各方面的政策、資金及配套資源得以集中，為半導(dǎo) 體行業(yè)的攻堅(jiān)克難奠定良好的基礎(chǔ)。

近年來(lái)國(guó)家層面發(fā)布的政策較多，其中最重要目標(biāo)性政策有：

1、2012 年國(guó)務(wù)院主導(dǎo)，科技部印發(fā)“02專項(xiàng)”即《極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及 成套工藝》項(xiàng)目，也標(biāo)志著集成電路成為國(guó)家級(jí)重點(diǎn)優(yōu)先戰(zhàn)略目標(biāo)?！?2 專項(xiàng)”核 心要點(diǎn)為開(kāi)展極大規(guī)模集成電路制造裝備、成套工藝和材料技術(shù)攻關(guān)，掌握制約產(chǎn)業(yè)發(fā)展的核心技術(shù)，形成自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)；開(kāi)發(fā)滿足國(guó)家重大戰(zhàn)略需求、具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵產(chǎn)品，批量進(jìn)入生產(chǎn)線，改變制造裝備、成套工藝和材料依賴進(jìn)口的局 面。

2、2014 年 6 月國(guó)務(wù)院頒布《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》。綱要明確提出，到2020 年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國(guó)際先進(jìn)水平的差距逐步縮小，全行業(yè)銷售收入年均 增速超過(guò) 20%，16/14nm 制造工藝實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)，封裝測(cè)試技術(shù)達(dá)到國(guó)際領(lǐng)先水平，關(guān)鍵裝備和材料進(jìn)入國(guó)際采購(gòu)體系，基本建成技術(shù)先進(jìn)、安全可靠的集成電路 產(chǎn)業(yè)體系。

3、2015 年發(fā)布國(guó)家 10 年戰(zhàn)略計(jì)劃《中國(guó)制造2025》。計(jì)劃提出，2020 年中國(guó)芯 片自給率要達(dá)到 40%，2025 年要達(dá)到 70%。

4、2016 年，國(guó)務(wù)院印發(fā)《“十三五”國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃。規(guī)劃提出， 到2020 年，戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)增加值(含半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè))占國(guó)內(nèi)生產(chǎn)總值比重達(dá)到15%。

2.中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備現(xiàn)狀

半導(dǎo)體設(shè)備具備極高的門檻和壁壘，全球半導(dǎo)體設(shè)備主要被日美所壟斷，核心設(shè)備如光刻、刻蝕、PVD、CVD、氧化/擴(kuò)散等設(shè)備的 top3 市占率普遍在90%以上。

目前光刻機(jī)、刻蝕、鍍膜、量測(cè)、清洗、離子注入等核心設(shè)備的國(guó)產(chǎn)率普遍較低。經(jīng)過(guò)多年培育，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備已經(jīng)取得較大進(jìn)展，整體水平達(dá)到 28nm，并在 14nm 和7nm 實(shí)現(xiàn)了部分設(shè)備的突破。

具體來(lái)講，28nm 的刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備、氧化擴(kuò)散爐、清洗設(shè)備和離子注入機(jī) 已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)；14nm 的硅/金屬刻蝕機(jī)、薄膜沉積設(shè)備、單片退火設(shè)備和清洗設(shè)備已經(jīng)開(kāi)發(fā)成功。8 英寸的 CMP 設(shè)備也已在客戶端進(jìn)行驗(yàn)證；7nm 的介質(zhì)刻蝕機(jī)已被中微半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)成功；上海微電子已經(jīng)實(shí)現(xiàn) 90nm 光刻機(jī)的國(guó)產(chǎn)化。在中低端制程，國(guó)產(chǎn)化率有望得到顯著提升，先進(jìn)制程產(chǎn)線為保證產(chǎn)品良率，目前仍將以采購(gòu)海外設(shè)備為主。

光刻機(jī)：高精度光刻機(jī)被ASML、尼康、佳能三家壟斷，上海微電子是國(guó)內(nèi)頂尖的 光刻機(jī)制造商，公司封裝光刻機(jī)國(guó)內(nèi)市占率 80%，全球 40%，光刻機(jī)實(shí)現(xiàn)90nm 制程，并有望延伸至 65nm 和 45nm，公司承擔(dān)多個(gè)國(guó)家重大科技專項(xiàng)及 02 專項(xiàng) 任務(wù)。 刻蝕設(shè)備：前三家廠商 LAM、東京電子、應(yīng)用材料市占率超過(guò) 90%，國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī) 市占率僅 6%，中微半導(dǎo)體是唯一打入臺(tái)積電 7nm 制程的中國(guó)設(shè)備商，北方華創(chuàng)的8 英寸等離子蝕刻機(jī)進(jìn)入中芯國(guó)際，封裝環(huán)節(jié)刻蝕機(jī)基本實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，國(guó)產(chǎn)化率近90%。

鍍膜設(shè)備：分為 PVD 和 CVD，其中 PVD 前三大廠商AMAT、Evatec、Ulvac 占 比96.2%，CVD 三大廠商 AMAT、TEL、LAM 占比 70%，國(guó)內(nèi)廠商北方華創(chuàng)實(shí)現(xiàn) 28nm PVD 設(shè)備的突破，16 年國(guó)內(nèi)市占率已經(jīng)有 10%，封裝設(shè)備中國(guó)產(chǎn) PVD 市 占率接近 70%。CVD 中的 MOCVD 是國(guó)產(chǎn)化最晚的領(lǐng)域，目前已有 20%的國(guó)產(chǎn)化率。

量測(cè)設(shè)備：主要包括自動(dòng)檢測(cè)設(shè)備（ATE）、分選機(jī)、探針臺(tái)等。前端檢測(cè)前三甲廠商科磊、應(yīng)材、日立占比 72%，后道測(cè)試設(shè)備廠商美國(guó)泰瑞達(dá)、日本愛(ài)德萬(wàn)占 全球份額 64%，分選機(jī)廠商科林、愛(ài)德萬(wàn)、愛(ài)普生等市占率高達(dá) 70%，而探針臺(tái) 基本由東京精密、東京電子、SEMES 壟斷。國(guó)內(nèi)廠商長(zhǎng)川科技測(cè)試設(shè)備主要在中 低端市場(chǎng)，主要在數(shù)?；旌蠝y(cè)試機(jī)和功率測(cè)試機(jī)。

清洗設(shè)備：主要設(shè)備廠商 SCREEN、東京電子、LAM 合計(jì)占比88%，目前國(guó)內(nèi)的 盛美半導(dǎo)體的 SAPS 產(chǎn)品已經(jīng)進(jìn)入一流半導(dǎo)體制造商產(chǎn)線。北方華創(chuàng)整合 Akrion 后提供單片清晰和槽式清洗設(shè)備，已經(jīng)進(jìn)入中芯國(guó)際產(chǎn)線。至純科技已經(jīng)取得濕法 清晰設(shè)備的批量訂單，未來(lái)五年超過(guò) 200 臺(tái)的訂單。

離子注入設(shè)備：應(yīng)用材料占據(jù)粒子注入機(jī)的 70%以上的市場(chǎng)，高端離子注入機(jī)前三家包攬 97%市場(chǎng)份額，行業(yè)高度集中。目前國(guó)內(nèi)只有凱世通和中科信有離子注 入機(jī)的研發(fā)生產(chǎn)能力，17 年凱世通已經(jīng)銷售太陽(yáng)能離子注入機(jī)15 臺(tái)。

3.中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的政策支持

從政策上看，隨著《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》《中國(guó)制造2025》等綱領(lǐng)的 退出，國(guó)內(nèi)針對(duì)半導(dǎo)體裝備的稅收優(yōu)惠、地方政策支持逐步形成合力，為本土半導(dǎo)體設(shè)備廠商的投融資、研發(fā)創(chuàng)新、產(chǎn)能擴(kuò)張、人才引進(jìn)等創(chuàng)造良好環(huán)境。

財(cái)政部先后于 2008、2012、2018 年出臺(tái)稅收政策減免集成電路生產(chǎn)企業(yè)所得稅，對(duì) 2018 年以后投資新設(shè)企業(yè)或項(xiàng)目:

1)線寬<130nm 且經(jīng)營(yíng)期在10 年以上的,第 1~2 年免征企業(yè)所得稅，第 3~5 年減半征收企業(yè)所得稅；

2)線寬<65nm 或投資 額>150億元，且經(jīng)營(yíng)期在15年以上的,第1~5年免征企業(yè)所得稅,第6~10年減半征收企業(yè)所得稅。2015 年財(cái)政部等四部委針對(duì)集成電路封測(cè)企業(yè)、關(guān)鍵材料和設(shè)備 企業(yè)出臺(tái)稅收優(yōu)惠政策,自獲利年度起第1~2年免征企業(yè)所得稅,第3~5年減半征收 企業(yè)所得稅。

從地方產(chǎn)業(yè)政策來(lái)看，多地退出集成電路產(chǎn)業(yè)扶持政策及發(fā)展規(guī)劃，從投融資、企業(yè)培育、研發(fā)、人才、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、進(jìn)出口以及政府管理等方面退出一系列政策，對(duì)符合要求的企業(yè)給予獎(jiǎng)勵(lì)和研發(fā)補(bǔ)助。

4.中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備的問(wèn)題、不足與解決方案

半導(dǎo)體設(shè)備門檻高，投入期長(zhǎng)，屬于典型技術(shù)和資本密集型行業(yè)，技術(shù)差距大。打破壟斷、提高國(guó)產(chǎn)化率是當(dāng)務(wù)之急。

我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)面臨以下幾個(gè)主要問(wèn)題：

1、 研發(fā)投入有限，技術(shù)差距追趕緩慢。

近年我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備雖已取得長(zhǎng)足進(jìn)步，在各個(gè)領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn) 0 的突破，但是整體 研發(fā)投入相對(duì)海外依然較低，此外先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的不斷推進(jìn)，使得國(guó)內(nèi)的技術(shù)追趕之路困難重重。企業(yè)雖然持續(xù)加大研發(fā)力度，但隨著摩爾定律演進(jìn)，越先進(jìn)的工藝制程研發(fā)成本就越高，能投入資金跟上腳步的半導(dǎo)體設(shè)備廠商已經(jīng)越來(lái)越少，無(wú)形中增加了技術(shù)追趕的難度。

解決方案：技術(shù)難點(diǎn)的攻克可以通過(guò)國(guó)家重大專項(xiàng)的推進(jìn)完成，企業(yè)和政府共同承 擔(dān)高端設(shè)備的技術(shù)攻克，減輕企業(yè)端的研發(fā)投入壓力，同時(shí)繼續(xù)鼓勵(lì)國(guó)內(nèi)新建晶圓廠推動(dòng)設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化替代，給國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備廠商試錯(cuò)與提升的機(jī)會(huì)。針對(duì)不同的半導(dǎo)體設(shè)備制定國(guó)產(chǎn)化替代節(jié)點(diǎn)時(shí)間，對(duì)企業(yè)研發(fā)投入進(jìn)行補(bǔ)貼，并積極利用國(guó)內(nèi)各種融資途徑擴(kuò)大規(guī)模。

2、高端人才引進(jìn)不足，核心人才流失，后備人才不足

人才已經(jīng)成為中國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)的瓶頸點(diǎn)，半導(dǎo)體人才的培養(yǎng)是一個(gè)漫長(zhǎng)的 過(guò)程，尤其是在先進(jìn)工藝、先進(jìn)技術(shù)方面，更是花錢可能也達(dá)不到效果的。行業(yè)人才薪資相比海外偏低，保證新進(jìn)人才是延續(xù)強(qiáng)勁成長(zhǎng)、打破半導(dǎo)體設(shè)產(chǎn)業(yè)成長(zhǎng)瓶頸的關(guān)鍵。2018 年全國(guó)本碩博畢業(yè)生數(shù)量超過(guò)800 萬(wàn)人，但集成電路專業(yè)領(lǐng)域的高校畢業(yè)生中只有 3 萬(wàn)人進(jìn)入本行業(yè)就業(yè)。

解決方案：積極通過(guò)人才引進(jìn)，股權(quán)激勵(lì)，政府補(bǔ)助等方式進(jìn)行高端人才的引進(jìn)，政府牽頭推進(jìn)半導(dǎo)體行業(yè)的人才培養(yǎng)，通過(guò)產(chǎn)學(xué)研結(jié)合的方式，同時(shí)對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)人才的住房等問(wèn)題上進(jìn)行政策傾斜。

科學(xué)布局，政府引導(dǎo)合理規(guī)劃。集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的初期必須由政府來(lái)主導(dǎo)，當(dāng)前集成電路的產(chǎn)業(yè)投資主體分散， 管理主體也非常分散，這對(duì)產(chǎn)業(yè)發(fā)展非常不利。到了目前階段，制定規(guī)劃，確立戰(zhàn)略，科學(xué)布局，制定政策可能非常重要。政府要管理，但不能管理過(guò)度。管理一過(guò)度就管死，條條框框增多，政策多門，可能導(dǎo)致效率低下。

5.半導(dǎo)體材料現(xiàn)狀、問(wèn)題及應(yīng)對(duì)措施

半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)分布廣泛，門類眾多，主要包括晶圓制造用硅和硅基材、光刻膠、高純化學(xué)試劑、電子氣體、靶材、拋光液等。以半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上下游來(lái)分類，半導(dǎo)體材料可以分為晶圓制造材料和封裝材料。2016 年全球晶圓制造材料和封裝材料市場(chǎng)規(guī)模分別為 247 億美元和 196 億美元。我國(guó)是全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)國(guó)，也是全球最大的半導(dǎo)體材料需求國(guó)。2016 年全球半導(dǎo)體材料市 場(chǎng)規(guī)模為 443 億美金，其中中國(guó)大陸市場(chǎng)銷售額為 65 億美金，占全球總額的 15%，超過(guò)日本、美國(guó)等半導(dǎo)體強(qiáng)國(guó)，僅次于***、韓國(guó)，位列全球第三。

同半導(dǎo)體設(shè)備等配套設(shè)施一樣，我國(guó)半導(dǎo)體材料也面臨著自給率不足、規(guī)模小、高端占比低等問(wèn)題。與國(guó)外企業(yè)相比，我國(guó)半導(dǎo)體材料企業(yè)實(shí)力較弱，但隨著 國(guó)家政策的支持、國(guó)內(nèi)企業(yè)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)投入增加等，各種材料領(lǐng)域均已取得突 破，在逐步實(shí)現(xiàn)部分國(guó)產(chǎn)替代。下面我們集中就幾種核心的半導(dǎo)體原材料的現(xiàn)狀、面臨的問(wèn)題以及應(yīng)對(duì)措施進(jìn)行分析。

1、硅片：

硅單晶圓片是最常用的半導(dǎo)體材料，是芯片生產(chǎn)過(guò)程中必不可少的、成本占比最高的材料。制造一個(gè)芯片，需要先將普通的硅原料制造成硅單晶圓片，然后 再通過(guò)一系列工藝步驟將硅單晶圓片制造成芯片。從市場(chǎng)規(guī)模上來(lái)看，2016 年 全球半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模為 85 億美元，占半導(dǎo)體制造材料總規(guī)模比重達(dá) 33%；2016 年國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體硅片市場(chǎng)規(guī)模為 119 億元人民幣，占國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體制造材料 總規(guī)模比重達(dá) 36%。無(wú)論是全球還是國(guó)內(nèi)市場(chǎng)，硅片都是半導(dǎo)體制造上游材料中占比最大的一塊。

全球最大的 5 家廠商(主要是德國(guó)及日本廠商)幾乎囊括了全球 95%的 300mm 硅晶圓片、86%的 200mm 硅晶圓片和 56%的150 mm 及以下尺寸硅晶圓片。這一領(lǐng)域主要由日本廠商壟斷，我國(guó) 6 英寸硅片國(guó)產(chǎn)化率為 50%， 8 英寸硅片國(guó)產(chǎn)化率為10%，12 英寸硅片尚未量產(chǎn)，完全依賴于進(jìn)口。2017 年全球的集成電路硅片企業(yè)中，日本信越化學(xué)份額 28%，日本 SUMCO 份額 25%，***環(huán)球晶圓份額 17%，德國(guó) Siltronic 份額15%，韓國(guó) LG 9%。這五 家合計(jì)占了全球的 94%的份額。

2、光刻膠：

半導(dǎo)體光刻膠的市場(chǎng)較大，國(guó)產(chǎn)替代需求強(qiáng)烈。2015 年中國(guó)光刻膠市場(chǎng)的總 需求為 4390 噸，為 2007 年的 5.7 倍，目前半導(dǎo)體光刻膠的供應(yīng)廠商要集中 在美國(guó)、日本、歐洲以及韓國(guó)等地。中國(guó)的光刻膠供應(yīng)廠商多集中于 PCB 光 刻膠、LCD 光刻膠等低端領(lǐng)域。當(dāng)前國(guó)內(nèi)能夠生產(chǎn)半導(dǎo)體光刻膠的廠商有北京科華微電子和蘇州瑞紅等。

3、靶材：

高純?yōu)R射靶材主要是指純度為 99.9%-99.9999%(3N-6N 之間)的金屬或非金 屬靶材，應(yīng)用于電子元器件制造的物理氣象沉積(PVD)工藝，是制備晶圓、面 板、太陽(yáng)能電池等表面電子薄膜的關(guān)鍵材料。濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù) 之一，它利用離子源產(chǎn)生的離子，在真空中經(jīng)過(guò)加速聚集而形成高速的離子束流，轟擊固體表面，離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換，使固體表面的原子離 開(kāi)固體并沉積在基底表面，被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料，稱為 濺射靶材。

在晶圓制作環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體用濺射靶材主要用于晶圓導(dǎo)電層及阻擋層和金屬柵極的制作，主要用到鋁、鈦、銅、鉭等金屬，芯片封裝用金屬靶材于晶圓制作類 似，主要有銅、鋁、鈦等。

4、濕電子化學(xué)品

濕電子化學(xué)品(Wet Chemicals)指為微電子、光電子濕法工藝(主要包括濕法刻蝕、濕法清洗)制程中使用的各種電子化工材料。濕電子化學(xué)品按用途可分為通用 化學(xué)品(又稱超凈高純?cè)噭?和功能性化學(xué)品(以光刻膠配套試劑為代表)。

其中超凈高純?cè)噭┮话阋蠡瘜W(xué)試劑中控制顆粒的粒徑在 0.5μm 以下，雜質(zhì)含量低 于 ppm 級(jí)，是化學(xué)試劑中對(duì)顆?？刂啤㈦s質(zhì)含量要求最高的試劑。功能濕電子化學(xué)品是指通過(guò)復(fù)配手段達(dá)到特殊功能、滿足制造中特殊工藝需求的配方類或復(fù)配類化學(xué)品。功能性濕電子一般配合光刻膠用，包括顯影液、漂洗液、剝 離液等。

2016 年全球濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模約為 11.1 億美元。濕電子化學(xué) 品作為新能源、現(xiàn)代通信、新一代電子信息技術(shù)、新型顯示技術(shù)的關(guān)鍵化學(xué)材 料，其全球市場(chǎng)規(guī)模自 21 世紀(jì)初開(kāi)始快速增長(zhǎng)。根據(jù) SEMI 數(shù)據(jù)顯示， 2016 年全球濕電子化學(xué)品市場(chǎng)規(guī)模約為 11.1 億美元。

應(yīng)對(duì)措施

隨著我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)制造能力的提升，配套原材料的國(guó)產(chǎn)化繼續(xù)提上日程。集成電路對(duì)原材料純度等要求非常高，因?yàn)榧呻娐樊a(chǎn)品的價(jià)值非常高，導(dǎo)致原 材料供應(yīng)商的選擇非常嚴(yán)謹(jǐn)。我們建議對(duì)半導(dǎo)體原材料產(chǎn)業(yè)加大資源、人力等 投入的同時(shí)，可以在政策方面對(duì)下游制造企業(yè)使用國(guó)產(chǎn)化原材料進(jìn)行補(bǔ)貼，推動(dòng)下游企業(yè)與上游原材料企業(yè)共同進(jìn)步，進(jìn)口實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈的全國(guó)產(chǎn)化。同時(shí)在 新材料研發(fā)方面，國(guó)家在政策上給相關(guān)企業(yè)、人才等給予引導(dǎo)和支持。

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