迄今為止,電動(dòng)汽車(chē)電池的價(jià)格昂貴,體積大且效率低。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)是汽車(chē)電子領(lǐng)域的兩項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù),它們也許可以改變這一切。
較新的化學(xué)方法允許使用更小,更高效的半導(dǎo)體,該半導(dǎo)體可以在比傳統(tǒng)硅晶片更高的電壓下運(yùn)行。特斯拉決定將SiC晶體管納入其Model 3的決定被視為該行業(yè)的重要里程碑。
SiC首先在1200V電壓下確立了自己的地位,在這一點(diǎn)上它已經(jīng)超越了硅和GaN,并已朝著600至900V的水平下降,從而為電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)服務(wù)。GaN在200至900V的電壓下勝過(guò)硅,并且還在電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)中確立了自己的地位。在這些電壓下,該技術(shù)還可用于太陽(yáng)能發(fā)電系統(tǒng)和工業(yè)電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器的電力電子設(shè)備中。
隨著汽車(chē)工業(yè)迅速向電動(dòng)汽車(chē)發(fā)展,預(yù)計(jì)將有更多的半導(dǎo)體初創(chuàng)企業(yè)成為眾多半導(dǎo)體初創(chuàng)企業(yè)的目標(biāo)。
最為成熟的GaN初創(chuàng)公司包括GaN Systems和Navitas Semiconductor。其他有前途的GaN初創(chuàng)公司包括Ithaca,Odyssey Semiconductor和以色列的VisIC Technologies,它們都在開(kāi)發(fā)高壓電源開(kāi)關(guān)和模塊。
同時(shí),最大的純碳化硅公司Cree去年宣布,將投資10億美元擴(kuò)大北卡羅來(lái)納州達(dá)勒姆總部的制造能力,并在紐約州北部建造新的制造工廠。其他較小的碳化硅公司包括GeneSiC Semiconductor和GT Advanced Technologies。
意法半導(dǎo)體,英飛凌科技,安森美半導(dǎo)體和三菱電機(jī)等領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體器件生產(chǎn)商可能都在關(guān)注這一新貴。意法半導(dǎo)體(STMicro)在2019年2月以1.375億美元收購(gòu)瑞典SiC晶圓制造商N(yùn)orstel時(shí)已經(jīng)做了一些收購(gòu)。諸如松下,安森美半導(dǎo)體,德州儀器和三肯電氣等其他大公司也正在開(kāi)發(fā)GaN開(kāi)關(guān)晶體管。一位行業(yè)投資銀行家和分析師表示,預(yù)計(jì)一些公司會(huì)通過(guò)收購(gòu)來(lái)加速這一進(jìn)程。
羅斯資本(Roth Capital)董事總經(jīng)理兼高級(jí)研究分析師克雷格·歐文(Craig Irwin)表示,除了諸如電動(dòng)汽車(chē)和太陽(yáng)能電池板等經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的應(yīng)用外,這些設(shè)備還為全新的應(yīng)用打開(kāi)了大門(mén)。
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