Transphorm十年專注引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新

Transphorm是首家發(fā)布出廠器件現(xiàn)場(chǎng)故障數(shù)據(jù)的高電壓 GaN FET 供應(yīng)商。該數(shù)據(jù)用于計(jì)算以百萬(wàn)分率(ppm)和故障率(FIT)表示的現(xiàn)場(chǎng)故障率，以顯示這項(xiàng)技術(shù)的可靠性?，F(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)的可用性是功率系統(tǒng)中高電壓GaN重要的新指標(biāo)，因?yàn)樗砻骷夹g(shù)的成熟性。

對(duì)于高電壓GaN來(lái)說(shuō)，2018是顛覆行業(yè)格局的一年。Transphorm出貨的超過(guò)25萬(wàn)件650V GaN FET將在客戶的批量生產(chǎn)、高性能電源轉(zhuǎn)換器和變頻器產(chǎn)品中部署。這些產(chǎn)品通過(guò)各種渠道供應(yīng)，甚至包括亞馬遜。根據(jù)迄今為止的產(chǎn)量，能夠保守地估計(jì)現(xiàn)場(chǎng)運(yùn)行小時(shí)數(shù)超過(guò)13億，現(xiàn)場(chǎng)FIT率控制在較低的個(gè)位數(shù)內(nèi)，以及在大量的操作和加速可靠性測(cè)試運(yùn)行條件下的故障前平均時(shí)間超過(guò)10億小時(shí)。

Transphorm十年專注引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新

Transphorm公司是一家全球化的半導(dǎo)體公司，為高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用開(kāi)發(fā)了完整認(rèn)證的650 V GaN功率器件。十年來(lái)，Transphorm公司一直專注于將高壓（HV）GaN FET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）推向市場(chǎng)。致力于為電力電子市場(chǎng)（數(shù)據(jù)中心服務(wù)器、PV轉(zhuǎn)換器、感應(yīng)/伺服電機(jī)、工業(yè)及汽車等商業(yè)供電市場(chǎng)）設(shè)計(jì)、制造和銷售業(yè)內(nèi)頂級(jí)品質(zhì)和可靠性的GaN技術(shù)產(chǎn)品。2013年，Transphorm公司推出了業(yè)內(nèi)唯一經(jīng)過(guò)JEDEC認(rèn)證的GaN器件。2017年3月，又推出了市場(chǎng)上僅有的一款經(jīng)過(guò)AEC-Q101認(rèn)證的650V車用GaN器件。

Transphorm公司經(jīng)AEC-Q101認(rèn)證的FET器件TPH3205WSBQA

Transphorm的TP65H035WSQA是符合汽車級(jí)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)的GaN FET，在鑒定測(cè)試期間的溫度高達(dá)175°C。該器件采用標(biāo)準(zhǔn)TO-247封裝，典型導(dǎo)通電阻為35mΩ。與其前代產(chǎn)品49mΩ GenII TPH3205WSBQA一樣，該器件適用于插入式混合動(dòng)力電動(dòng)汽車和電池電動(dòng)汽車的AC/DC OBC，DC/DC轉(zhuǎn)換器和DC/AC逆變器系統(tǒng)，可實(shí)現(xiàn)交流/直流無(wú)橋圖騰柱PFC設(shè)計(jì)。

目前，Transphorm正在努力推出第三代常閉GaN FET技術(shù)。該技術(shù)的閾值將提高到4.0V，提高了其抗噪能力和器件性能，無(wú)需負(fù)柵極驅(qū)動(dòng)，并且相比上代產(chǎn)品降低了整體成本。新一代GaN技術(shù)可提供傳統(tǒng)的通孔封裝（through-hole packages, TO-XXX），以及表面貼裝分立封裝（SMD）。與此同時(shí)，Transphorm正在基于常閉共源共柵GaN FET——金屬絕緣高電子遷移晶體管（Metal Insulated High Electron Mobile Transistor）D-Mode器件，開(kāi)發(fā)一種E-Mode技術(shù)。這種GaN器件的結(jié)構(gòu)將有別于目前市場(chǎng)上其它供應(yīng)商的E-Mode器件。

優(yōu)勢(shì)互補(bǔ)，技術(shù)整合共同應(yīng)對(duì)GaN需求增長(zhǎng)市場(chǎng)

在許多電力系統(tǒng)中，氮化鎵（GaN）是替代硅材料的合適候選者。正如Yole在《功率GaN：外延、器件、應(yīng)用及技術(shù)趨勢(shì)-2018版》報(bào)告中所闡述，GaN與傳統(tǒng)的硅基MOSFET相比具有驚人的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。盡管與32.8億美元的硅基功率半導(dǎo)體市場(chǎng)相比，目前功率GaN市場(chǎng)仍然很小，但GaN器件擁有較好的前景。

事實(shí)上，Transphorm在2013年就與富士通半導(dǎo)體的功率器件業(yè)務(wù)部進(jìn)行業(yè)務(wù)合并，從而獲得了GaN功率元件大規(guī)模代工制造能力，雙方于2014年2月在日本成立了Transphorm日本公司，通過(guò)雙方公司的合作，使之能夠滿足全球?qū)Φ壒β兽D(zhuǎn)換產(chǎn)品不斷增長(zhǎng)的需求。Transphorm公司符合JEDEC認(rèn)證的制程與富士通半導(dǎo)體的基礎(chǔ)技術(shù)進(jìn)行整合，并導(dǎo)入富士通半導(dǎo)體福島會(huì)津的CMOS產(chǎn)線，為高產(chǎn)量的硅芯片制造提供多項(xiàng)關(guān)鍵功能提升。在未來(lái)，預(yù)計(jì)該工廠內(nèi)受歡迎的50兆歐姆產(chǎn)品的年裝機(jī)量基數(shù)當(dāng)量為1500萬(wàn)個(gè)部件，并可輕松擴(kuò)展處理2至5倍的量。此外，當(dāng)需求有保證時(shí)，技術(shù)和制造工藝可以從當(dāng)前制造的6英寸晶片擴(kuò)展到制造8英寸或可能更高尺寸的晶片。

Transphorm公司的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)包括： ·業(yè)內(nèi)唯一能夠供應(yīng)經(jīng)JEDEC和AEC-Q101認(rèn)證的技術(shù)和產(chǎn)品； ·擁有業(yè)內(nèi)規(guī)模最大的GaN技術(shù)專利組合； ·最豐富的器件/封裝解決方案供應(yīng)能力； ·終端客戶產(chǎn)品已經(jīng)量產(chǎn)的GaN供應(yīng)商之一； ·擁有較完整的外延（EPI）、設(shè)計(jì)和器件制造工藝價(jià)值鏈。