0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

Intel為何10nm落后對手,延期有三大原因

汽車玩家 ? 來源:快科技 ? 作者:憲瑞 ? 2019-12-09 10:20 ? 次閱讀

2017年AMD首次攜銳龍處理器重返高性能CPU市場時(shí),代工廠GF剛剛搞定14nm工藝,同期Intel也是14nm處理器,2019年中的時(shí)候AMD發(fā)布了7nm Zen2架構(gòu)的銳龍3000處理器,Intel還是14nm工藝,盡管也升級(jí)到了14nm++改良版,但是先進(jìn)工藝上確實(shí)落后了?

作為地球上CPU工藝最先進(jìn)的公司,Intel為何在過去數(shù)十年中都能保持領(lǐng)先而在這兩年落后對手了?常看快科技報(bào)道的讀者都能指出其中的原因——10nm工藝上Intel遇到了困難,多次延期,今年中才量產(chǎn),不過首發(fā)的依然是低功耗版處理器,高性能版10nm桌面及服務(wù)器處理器還要等到明年下半年。

對于Intel工藝的延期,官方最近解釋了三大原因——一是CPU市場需求的成長速度(21%)超過了公司預(yù)期(10%),二是Intel自研并制造基帶芯片占據(jù)了產(chǎn)能,三是14nm經(jīng)反復(fù)打磨能效越來越好。

在10nm工藝上,Intel之前多次解釋過技術(shù)上的難題,那就是微縮水平達(dá)到了2.7倍(晶體管密度是14nm的2.7倍),遠(yuǎn)超業(yè)界正常情況下2倍密度的水平,其難度太大導(dǎo)致了良率不足,拖累工藝不斷延期。

除了技術(shù)上的原因,Intel這幾年不能上馬先進(jìn)工藝還有經(jīng)濟(jì)上的考慮——CEO司睿博在參加瑞信集團(tuán)年度科技峰會(huì)上也做了解釋:由于半導(dǎo)體工藝是逐步成熟的,一旦制造工藝不是最成熟狀態(tài),那么良率就會(huì)偏低,對成本產(chǎn)生不利影響,那么頻繁升級(jí)新工藝就無法維持當(dāng)前業(yè)務(wù)的盈利能力。

除此之外,新一代制程工藝開發(fā)需要越來越多的資金投入,這也使得回報(bào)率會(huì)下降。

總之,對Intel來說,這些經(jīng)濟(jì)上的因素也會(huì)影響先進(jìn)工藝的采用,畢竟商業(yè)市場上沒錢賺就注定沒有足夠的吸引力去升級(jí)新工藝。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 處理器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    19286

    瀏覽量

    229852
  • 英特爾
    +關(guān)注

    關(guān)注

    61

    文章

    9964

    瀏覽量

    171784
  • cpu
    cpu
    +關(guān)注

    關(guān)注

    68

    文章

    10863

    瀏覽量

    211778
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    燒結(jié)銀AS9378火爆的六大原因

    低溫?zé)Y(jié)銀AS9378近年來在電子材料領(lǐng)域迅速崛起,其火爆程度令人矚目。這款采用納米技術(shù)和低溫?zé)Y(jié)工藝的高性能材料,憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢在眾多應(yīng)用中脫穎而出。以下,我們將深入探討低溫?zé)Y(jié)銀AS9378火爆的六大原因。
    的頭像 發(fā)表于 09-20 17:27 ?404次閱讀

    星電子計(jì)劃在2026年推出最后一代10nm級(jí)工藝1d nm

    星電子在最新的內(nèi)存產(chǎn)品路線圖中透露了未來幾年的技術(shù)布局。據(jù)透露,星計(jì)劃在2024年率先推出基于1c nm制程的DDR內(nèi)存,該制程將支持高達(dá)32Gb的顆粒容量,標(biāo)志著內(nèi)存性能與密度的雙重飛躍。
    的頭像 發(fā)表于 09-09 17:45 ?608次閱讀

    OPA847放大倍數(shù)與設(shè)計(jì)相差太大是什么原因?

    請問一下,按照官方手冊給出的反向放大原理圖,Rg設(shè)置為50ohm,Rf為2kohm,理論上放大倍數(shù)應(yīng)該40倍,實(shí)際測出來才10倍不到,這是什么原因?/
    發(fā)表于 08-30 07:37

    相電零線電流過大原因是什么

    相電零線電流過大是一個(gè)常見的電氣問題,它可能會(huì)導(dǎo)致電氣設(shè)備損壞、電氣火災(zāi)等嚴(yán)重后果。本文將從多個(gè)方面詳細(xì)分析相電零線電流過大的原因,并提出相應(yīng)的解決方案。 相電零線電流過大的
    的頭像 發(fā)表于 08-14 09:41 ?1473次閱讀

    連接器發(fā)生失效故障的大原因

    連接器作為實(shí)現(xiàn)設(shè)備電路互連的核心基礎(chǔ)器件,其可靠性與穩(wěn)定性直接影響著系統(tǒng)的運(yùn)行,因此應(yīng)當(dāng)從多個(gè)方面盡量避免連接器發(fā)生失效故障。 一、材料質(zhì)量是連接器失效的主要原因之一。當(dāng)連接器使用的材料質(zhì)量較差
    的頭像 發(fā)表于 07-30 14:01 ?701次閱讀

    英特爾3nm制程工藝“Intel 3”投入大批量生產(chǎn)

    據(jù)外媒最新報(bào)道,全球知名的處理器大廠英特爾在周宣布了一個(gè)重要的里程碑:其先進(jìn)的3nm級(jí)制程工藝技術(shù)“Intel 3”已在兩個(gè)工廠正式投入大批量生產(chǎn)。這一技術(shù)的突破,無疑將為英特爾在超高性能計(jì)算領(lǐng)域帶來顯著優(yōu)勢。
    的頭像 發(fā)表于 06-21 09:31 ?533次閱讀

    臺(tái)積電斬獲Intel 3nm處理器訂單,為酷睿Ultra 200系列助力

    近日,半導(dǎo)體界傳來了一則令人振奮的消息。據(jù)業(yè)內(nèi)權(quán)威人士透露,全球知名的晶圓代工廠臺(tái)積電已成功斬獲Intel的3nm PC處理器訂單,這一里程碑式的合作將覆蓋Intel即將推出的酷睿Ultra 200系列全系產(chǎn)品。
    的頭像 發(fā)表于 06-21 09:29 ?646次閱讀

    星3nm移動(dòng)應(yīng)用處理器實(shí)現(xiàn)首次流片

    縮短了其與競爭對手臺(tái)積電之間的工藝過渡時(shí)間差距。目前,星已將這一差距縮短至僅落后臺(tái)積電6個(gè)月,展現(xiàn)了其強(qiáng)大的研發(fā)實(shí)力和生產(chǎn)能力。
    的頭像 發(fā)表于 05-09 09:32 ?419次閱讀

    MOS管中漏電流產(chǎn)生的主要六大原因

    MOS管中漏電流產(chǎn)生的主要六大原因? MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種重要的半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。然而,MOS管中漏電流的產(chǎn)生是一個(gè)常見的問題,需要仔細(xì)研究和解
    的頭像 發(fā)表于 03-27 15:33 ?5457次閱讀

    臺(tái)積電擴(kuò)增3nm產(chǎn)能,部分5nm產(chǎn)能轉(zhuǎn)向該節(jié)點(diǎn)

    目前,蘋果、高通、聯(lián)發(fā)科等世界知名廠商已與臺(tái)積電能達(dá)成緊密合作,預(yù)示臺(tái)積電將繼續(xù)增加 5nm產(chǎn)能至該節(jié)點(diǎn)以滿足客戶需求,這標(biāo)志著其在3nm制程領(lǐng)域已經(jīng)超越競爭對手星及英特爾。
    的頭像 發(fā)表于 03-19 14:09 ?658次閱讀

    合肥利譜二期TFT-LCD用偏光片生產(chǎn)線項(xiàng)目延期10

    WitDisplay消息,近日,深圳市利譜光電科技股份有限公司發(fā)布公告稱,公司審議通過了《關(guān)于募集資金投資項(xiàng)目延期的議案》,在項(xiàng)目實(shí)施主體、募集資金投資用途及投資規(guī)模不變的情況下,同意對募投項(xiàng)目“合肥利譜二期TFT-LCD用
    的頭像 發(fā)表于 03-13 11:30 ?960次閱讀
    合肥<b class='flag-5'>三</b>利譜二期TFT-LCD用偏光片生產(chǎn)線項(xiàng)目<b class='flag-5'>延期</b>至<b class='flag-5'>10</b>月

    無意發(fā)展至10nm以下,第二梯隊(duì)晶圓代工廠的成熟工藝現(xiàn)狀

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))半導(dǎo)體制造工藝經(jīng)過多年的發(fā)展,已經(jīng)了翻天覆地的變化。但如果我們單從晶圓代工廠的工藝布局來看,就會(huì)發(fā)現(xiàn)變化并不算大,領(lǐng)頭的臺(tái)積電、星等依然在加大先進(jìn)工藝投入,而第二
    的頭像 發(fā)表于 02-21 00:17 ?3551次閱讀
    無意發(fā)展至<b class='flag-5'>10nm</b>以下,第二梯隊(duì)晶圓代工廠的成熟工藝現(xiàn)狀

    SK海力士持續(xù)投資無錫的原因

    無錫工廠是SK海力士的核心生產(chǎn)基地,其產(chǎn)量約占公司DRAM總產(chǎn)量的40%。目前,無錫工廠正在生產(chǎn)兩款較舊的10nm制程DRAM。
    發(fā)表于 01-31 11:23 ?826次閱讀

    晶振失效大原因及解決辦法

    晶振失效大原因及解決辦法 晶振失效是指晶體振蕩器無法正常工作,造成電子設(shè)備不能正常運(yùn)行的情況。晶振在電子設(shè)備中起到非常關(guān)鍵的作用,它是產(chǎn)生時(shí)鐘信號(hào)的核心元件。晶振失效會(huì)導(dǎo)致設(shè)備的計(jì)時(shí)不準(zhǔn)確甚至
    的頭像 發(fā)表于 01-24 15:40 ?2329次閱讀

    引起串聯(lián)電抗器損壞發(fā)熱噪音大的大原因

    串聯(lián)電抗器在運(yùn)行過程中,時(shí)常會(huì)出現(xiàn)大現(xiàn)象,比如損壞、發(fā)熱、噪音大。下面跟著薩頓斯STS來了解引起串聯(lián)電抗器損壞發(fā)熱噪音大的原因哪些?
    的頭像 發(fā)表于 01-15 16:24 ?802次閱讀
    引起串聯(lián)電抗器損壞發(fā)熱噪音大的<b class='flag-5'>三</b><b class='flag-5'>大原因</b>