集邦咨詢2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會圓滿落幕！

2019年11月27日，由全球高科技產(chǎn)業(yè)市場研究機構(gòu)集邦咨詢（TrendForce）旗下半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究中心DRAMeXchange主辦的“2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會（MTS2020）”在深圳盛大舉行。本次峰會匯聚全球半導(dǎo)體及存儲產(chǎn)業(yè)鏈重量級嘉賓以及集邦咨詢資深分析師，與來自產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)的數(shù)百名參會嘉賓共同探討2020年存儲市場新趨勢、新變化。

本峰會圍繞半導(dǎo)體及存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，詳細解讀全球半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)宏觀經(jīng)濟環(huán)境、產(chǎn)業(yè)細分市場以及技術(shù)演變動態(tài)，深度分析未來的驅(qū)動因素和應(yīng)用商機，為產(chǎn)業(yè)及企業(yè)同步提供前瞻性、戰(zhàn)略性規(guī)劃參考，大會現(xiàn)場人氣爆滿、座無虛席。

集邦咨詢2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會現(xiàn)場爆滿

會議伊始，集邦科技董事長劉炯朗為大會做開幕致辭，對所有參會嘉賓的蒞臨表示感謝。緊接著，集邦咨詢半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)研究中心DRAMeXchange與拓墣產(chǎn)業(yè)研究院的半導(dǎo)體及存儲產(chǎn)業(yè)各細分領(lǐng)域分析師、行業(yè)專家等展開精彩演講，下面整理了各演講嘉賓演講的主要內(nèi)容，以饗讀者：

圖1：集邦科技董事長劉炯朗致開幕詞

郭祚榮：2020年全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)趨勢分析

圖2：集邦咨詢DRAMeXchange研究副總經(jīng)理 郭祚榮

全球內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)出量明年年成長為12%，為近十年來新低的水平，原因在于各內(nèi)存大廠對于資本支出保守加上工藝轉(zhuǎn)進趨緩?fù)?，?nèi)存價格亦歷經(jīng)了長達一年半的下跌，都讓內(nèi)存大廠想藉由產(chǎn)出的控制，以期明年市場從現(xiàn)在的供過于求往供需平衡邁進。

從產(chǎn)能與工藝的角度來看，全球內(nèi)存投片只有4%的成長，三大主要內(nèi)存廠明年幾乎沒有大規(guī)模新增的產(chǎn)能，明年1X/1Ynm依然是市場主要工藝，1Znm工藝呈現(xiàn)緩步成長。集邦咨詢預(yù)估，明年內(nèi)存價格將有機會在上半年止跌反彈，改善目前的獲利結(jié)構(gòu)。

鐘寶星：5G芯引擎為存儲提供核心動力

圖3：紫光展銳消費電子產(chǎn)品規(guī)劃部部長 鐘寶星

5G大帶寬、海量連接、超低時延的豐富應(yīng)用場景對存儲提出了更大容量、更加穩(wěn)定、更快響應(yīng)的新要求。5G芯引擎的發(fā)動，從中心、云端存儲維度和邊緣、終端存儲維度都會帶來新的變革，為存儲產(chǎn)業(yè)提供核心動力。

5G時代下IOT將產(chǎn)生海量數(shù)據(jù)，預(yù)計2025年物聯(lián)網(wǎng)終端產(chǎn)生的數(shù)據(jù)量約80ZB，相當(dāng)于約5154噸1T硬盤。邊緣數(shù)據(jù)在廣度、深度、精度上的全面提升，帶來存儲、模組、傳感器全面升級；5-10倍的速率提升，主流應(yīng)用內(nèi)容質(zhì)量提升數(shù)倍，讀寫速度需求同步增長，5G帶來大帶寬意味著更大量的信息需要被傳輸、處理和存儲，勢必帶動新的一輪硬件升級，帶來新一波智能手機換機熱潮。未來5G加AI的融合，數(shù)據(jù)除了在中心云端處理外，數(shù)據(jù)也會在邊緣端做更多的處理，邊緣AI的普及以及終端低延時應(yīng)用均對存儲提出了更高、更快、更強的要求。

中國作為全球最大的智能手機市場，將成為存儲的先鋒市場。5G時代全球性的終端升級帶動存儲的高速增長，將全面開啟存儲產(chǎn)業(yè)的新黃金時代。

余大年：存儲在電子競技產(chǎn)業(yè)鏈中的應(yīng)用

圖4：芝奇國際技術(shù)行銷總監(jiān) 余大年

近年來電競產(chǎn)業(yè)在世界各地快速成長，加上現(xiàn)代電競電腦需要更強大的多任務(wù)同步處理能力及執(zhí)行高畫質(zhì)游戲的性能，帶動了高速度、高容量存儲產(chǎn)品的需求。

芝奇國際為全球高端電競內(nèi)存領(lǐng)導(dǎo)品牌，多年來透過獨特的極限超頻技術(shù)，將每一世代硬件效能發(fā)揮至極限，不僅提供電競玩家更高性能內(nèi)存產(chǎn)品，也同時樹立下一世代高端硬件的規(guī)格標(biāo)竿，成為加速人類科技進化的推手。

DDR5即將問世，內(nèi)存速度及容量勢必再做提升，如何能持續(xù)開發(fā)出更高性能產(chǎn)品以滿足電競玩家需求，將會是各大存儲廠商如何于電競市場致勝的關(guān)鍵。

葉茂盛：2020年智能手機發(fā)展與存儲市場趨勢分析

圖5：集邦咨詢DRAMeXchange分析師 葉茂盛

智能手機市場已經(jīng)發(fā)展進入高原期，加上硬件創(chuàng)新幅度有限的因素，2020年生產(chǎn)量將大致持平，其中行動裝置存儲需求除傳統(tǒng)上消費者越換越大的預(yù)期以外，明年受到5G手機滲透率提升影響，所需傳輸速度與容量要求皆有提升，在嵌入式產(chǎn)品界面方面，eMMC 5.1已難以負荷5G時代的基本傳輸要求，加上價格的誘因，UFS 2.1/3.0有望在2020年加速滲透，促使行動裝置市場閃存位元出貨成長達到32%，較2019年不到30%改善，也有助于整體閃存市場需求有較佳成長表現(xiàn)。

徐征：利基型DRAM市場趨勢分析

圖6：晉華集成副總經(jīng)理 徐征

目前利基型DRAM (specialty DRAM)主要應(yīng)用于消費型電子產(chǎn)品。2019年DRAM市場供過于求，各大DRAM業(yè)者通過降價減產(chǎn)的方式降低庫存水位，同時三大DRAM業(yè)者重新調(diào)整產(chǎn)線，加速1Znm制程，帶動利基型DRAM的規(guī)格朝向DDR4邁進。

需求端，目前利基型DRAM的位需求量持續(xù)提升已是市場共識，而中國龐大市場需求是中國DRAM制造業(yè)者們的商機所在；供給端，在三大供應(yīng)商加速利基型DRAM規(guī)格迭代情況下，市場上普遍認為消費型電子市場DDR4及LPDDR4的滲透率將逐年提升。

然而，大部分的消費型電子產(chǎn)品并不需要如此快速的規(guī)格轉(zhuǎn)型，加上中國已領(lǐng)先全球著手布建5G系統(tǒng)，更有利于殺手級應(yīng)用的產(chǎn)生，在此情形之下，倘若中國DRAM業(yè)者能夠補足需求缺口，滿足當(dāng)下市場的需求，勢必能減緩終端應(yīng)用廠商面臨被迫轉(zhuǎn)換的壓力，這將是中國DRAM業(yè)者成長的好機會。

吳元雄：存儲技術(shù)與解決方案發(fā)展

圖7：力晶積成電子存儲器事業(yè)群總經(jīng)理 吳元雄

傳統(tǒng)計算器架構(gòu)中，動態(tài)隨機存取存儲器帶寬是受限的。在一些存儲器存取頻繁的應(yīng)用中，處理器往往會因帶寬受限，無法獲得充分?jǐn)?shù)據(jù)進行有效運算，這就是所謂“內(nèi)存墻”或“memory wall”問題。

力晶積成電子身為專業(yè)晶圓代工廠，除了邏輯晶圓代工之外，也是業(yè)界唯一專業(yè)動態(tài)隨機存取存儲器晶圓代工廠。力晶積成電子特此綜合這兩項專長，針對深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用，開發(fā)了AIM（AI Memory）平臺，旨在解決內(nèi)存墻問題。

力晶積成電子AIM平臺，乃基于力晶先進之動態(tài)隨機存取存儲器制程技術(shù)，可用于制作各式深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)加速電路。由于加速電路直接植入動態(tài)隨機存取存儲器陣列旁，如此加速電路可享有超高動態(tài)隨機存取存儲器帶寬，完全解決內(nèi)存墻問題。并且由于無需傳統(tǒng)外部存儲器接口，外部接口傳輸所導(dǎo)致之功耗及延遲也一并免除。

劉家豪：IT基礎(chǔ)架構(gòu)轉(zhuǎn)型驅(qū)動存儲器市場新紀(jì)元

圖8：集邦咨詢DRAMeXchange資深分析師 劉家豪

近年因AI技術(shù)逐漸成熟與智能終端裝置普及，多數(shù)應(yīng)用服務(wù)皆藉由服務(wù)器來統(tǒng)合，尤其是需依賴龐大數(shù)據(jù)進行運算與訓(xùn)練的應(yīng)用服務(wù)，再加上虛擬化平臺及云儲存技術(shù)發(fā)展，服務(wù)器需求與日俱增。此外，在產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)改變與服務(wù)器運算單元大幅進步之下，亦將帶動與傳統(tǒng)應(yīng)用服務(wù)截然不同的服務(wù)器架構(gòu)發(fā)展，進一步推升服務(wù)器的需求。

在云端架構(gòu)提供服務(wù)的基礎(chǔ)上，終端被賦予的運算能力相對薄弱，多是藉由云端來獲取運算與存儲資源，預(yù)期5G商轉(zhuǎn)后數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用將更多元，帶動微型服務(wù)器（Micro Server Node）與邊際運算（Edge Computing）成長，并將成為2020年后的發(fā)展主軸，以實現(xiàn)物聯(lián)網(wǎng)與車聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用場景。

受到數(shù)據(jù)中心的落實驅(qū)動，2019年服務(wù)器DRAM全年使用量占整體DRAM的三成以上，預(yù)估2025年在5G相關(guān)部署驅(qū)動下，更將上升至接近四成。

梁紅偉：面向ABC時代的存儲器技術(shù)演進與挑戰(zhàn)

圖9：宇視科技云存儲開發(fā)部部長 梁紅偉

伴隨著云計算、大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等信息技術(shù)的快速發(fā)展和傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化的轉(zhuǎn)型，數(shù)據(jù)量呈現(xiàn)幾何級增長，傳統(tǒng)存儲架構(gòu)存在性能/容量擴展有限、數(shù)據(jù)可靠性一般等“通病”，已經(jīng)不能適用于海量數(shù)據(jù)存儲。

AI+安防是人工智能技術(shù)商業(yè)落地發(fā)展最快、市場容量最大的主賽道之一。該領(lǐng)域的智能方案產(chǎn)品配置繁瑣、成本高，方案復(fù)雜、組件多、開局調(diào)試工作量大，運維復(fù)雜、數(shù)據(jù)路徑長等，對存儲方案提出了新訴求。云計算方面，傳統(tǒng)存儲在設(shè)備資源統(tǒng)一管理、擴展性及節(jié)點故障保護上都存在缺陷，無法適應(yīng)虛擬化數(shù)據(jù)中心彈性可擴展的未來要求。宇視超融合存儲解決方案針對傳統(tǒng)存儲方案存在的問題、痛點，給出了不一樣的解決之道。

黃士德：主控芯片創(chuàng)新技術(shù)應(yīng)用發(fā)展及挑戰(zhàn)

圖10：慧榮科技SSD產(chǎn)品協(xié)理 黃士德

隨著5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)等新科技不斷發(fā)展演進、大數(shù)據(jù)的產(chǎn)出，促使NAND閃存技術(shù)迅速發(fā)展，3D NAND閃存的堆棧層數(shù)也已經(jīng)高達100層以上，單顆NAND閃存的容量己從32GB提高到64GB、128GB。目前3D NAND正迎來價格下跌刺激高需求、低密度傳統(tǒng)硬盤更換、新的體系架構(gòu)和數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)、高帶寬數(shù)據(jù)流和5G寬帶、人工智能+存儲等帶來的市場機遇。

NAND閃存存儲應(yīng)用越來越廣泛，從記憶卡到移動電話中的eMMC及被廣泛應(yīng)用的固態(tài)硬盤，主控芯片扮演相當(dāng)重要的關(guān)鍵角色，其促使NAND閃存在不同應(yīng)用下發(fā)揮極致效能。如在自動駕駛汽車存儲領(lǐng)域，自動駕駛汽車需要安全可靠且響應(yīng)迅速的解決方案，對存儲器的性能、數(shù)據(jù)校正、可靠性、溫度范圍等均提出了更高需求。

呂國鼎：閃存控制芯片暨儲存產(chǎn)業(yè)資源共享平臺大聯(lián)盟

圖11：群聯(lián)電子營銷暨項目企劃室項目經(jīng)理 呂國鼎

長久以來，存儲產(chǎn)業(yè)一直存在一個迷思，就是存儲產(chǎn)業(yè)市場很大，殊不知，市場很大指的是閃存芯片（NAND Flash），而非閃存主控（NAND Controller）。在主控開發(fā)成本不斷提升，而主控芯片售價卻不斷下降的狀況，閃存主控難以獲利的情況及趨勢將愈來愈嚴(yán)重。

群聯(lián)獨特的營運模式，歷經(jīng)20年的產(chǎn)業(yè)洗禮，不斷成長茁壯。群聯(lián)也將透過最完整的閃存主控相關(guān)IP授權(quán)及ASIC設(shè)計服務(wù)，建構(gòu)“閃存主控暨存儲產(chǎn)業(yè)資源共享平臺大聯(lián)盟”，協(xié)助國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)實踐自主可控的中國芯大愿。

陳玠瑋：2020年全球閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

圖12：集邦咨詢DRAMeXchange研究協(xié)理 陳玠瑋

全球閃存產(chǎn)業(yè)位元產(chǎn)出量明年年成長為約30%，為近幾年來相對低檔的水平，原因在于閃存大廠除中國長江存儲較積極投資外，其他競爭者對于資本支出都較以往來得保守，導(dǎo)致新產(chǎn)能增加有限；再加上明年又要轉(zhuǎn)換新制程到更具挑戰(zhàn)性的128L等級，良率提升速度也會比之前來得緩慢。

另一方面，因為2019年閃存市場ASP大跌40-50%，讓閃存大廠由盈轉(zhuǎn)虧，也是造成2020年擴張保守的主因之一。集邦咨詢預(yù)估，明年閃存價格在供給面成長動能受限，以及需求端有機會回歸正常表現(xiàn)下，將出現(xiàn)另一波漲勢動能。

徐韶甫：晶圓代工工藝飛躍，高端制程坐7趕5追3

圖13：集邦拓墣產(chǎn)業(yè)研究院分析師 徐韶甫

2019年在總體經(jīng)濟不穩(wěn)定的影響下，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)呈現(xiàn)衰退，晶圓代工產(chǎn)業(yè)更迎來罕見負成長。

而展望2020年，盡管市場氛圍仍有不確定性，但受惠于5G、AI、車用等新興終端應(yīng)用需求的持續(xù)挹注，可望拉抬半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逐漸脫離谷底；尤其在高端運算需求下，IC設(shè)計業(yè)者持續(xù)導(dǎo)入新一代矽智權(quán)，與最新制程技術(shù)結(jié)合，強化芯片效能與芯片客制化能力，提升了先進制程的采用率。

即便在2019年半導(dǎo)體景氣低迷的情形下，7納米節(jié)點的采用率仍獲得大幅度的提升，也更加速7納米EUV（極紫外光）與5納米的量產(chǎn)商用，并連帶推升市場對3納米節(jié)點的信心，使先進制程研發(fā)的時程圖更加明朗化，日后將持續(xù)提高先進制程在晶圓代工中的份額，并藉由先進制程工藝的躍進來扶持摩爾定律的延續(xù)。

結(jié)語：

本次峰會的議題分別從內(nèi)存與閃存的市場供需態(tài)勢、技術(shù)發(fā)展方向、應(yīng)用領(lǐng)域趨勢等方面，對半導(dǎo)體及存儲產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展趨勢進行了全方位解讀與剖析，助力存儲產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)把握商機，為行業(yè)人士獻上了一場精彩紛呈的產(chǎn)業(yè)交流盛宴。

在演講嘉賓的精彩分享及參會人士的積極支持下，本次峰會圓滿落幕！集邦咨詢未來仍將提供最新的產(chǎn)業(yè)數(shù)據(jù)與動態(tài)，繼續(xù)為推動存儲產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展作貢獻！