大功率可控硅觸發(fā)電路

可控硅觸發(fā)電路

* 以鎳鉻、鐵鉻鋁、遠(yuǎn)紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制。* 鹽浴爐、工頻感應(yīng)爐、淬火爐、熔融玻璃的溫度加熱控制。

* 整流變壓器、調(diào)功機(jī)（純電感線圈）、電爐變壓器一次側(cè)、直流電機(jī)控制。

* 單相電焊機(jī)、電阻焊機(jī)、點(diǎn)焊機(jī)控制等各種調(diào)場(chǎng)合。

* 單相風(fēng)機(jī)水泵調(diào)速節(jié)能控制

* 電壓、電流、功率、燈光等無級(jí)平滑調(diào)節(jié)。用單結(jié)晶體管構(gòu)成的晶閘管觸發(fā)電路如圖第一個(gè)圖所示，觸發(fā)電路的有關(guān)電壓波形如下第二個(gè)圖所示。與單結(jié)晶體管構(gòu)成弛張振蕩電路相比較，電路的振蕩部分相同，同步是通過對(duì)電源電路的改進(jìn)實(shí)現(xiàn)的。取自主電路的正弦交流電通過同步變壓器T 降壓，變?yōu)檩^低的交流電壓，然后經(jīng)二極管整流橋變成脈動(dòng)直流。穩(wěn)壓管VW 和電阻RW的作用是“削波”，脈動(dòng)電壓小于穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值時(shí)，VW 不導(dǎo)通，其兩端的電壓與整流輸出電壓相等；如果脈動(dòng)電壓大于穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值，將使VW 擊穿，其兩端電壓保持穩(wěn)壓值，整流橋輸出電壓高出穩(wěn)壓值的部分降在電阻RW上。這樣VW 兩端的電壓波形近似于一個(gè)梯形波，用這個(gè)電壓取代弛張振蕩電路中的直流電源，起到同步作用。

由于振蕩電路的電源為梯形波，在主電路正弦波每一半波結(jié)束和開始的一段時(shí)間，振蕩電路的電源電壓很小，電路不振蕩，同時(shí)電容電壓釋放到0。當(dāng)電源電壓接近梯形波的頂部時(shí)，振蕩電路開始工作，當(dāng)電容充電使兩端的電壓達(dá)到單結(jié)晶體管峰點(diǎn)電壓Vp時(shí)，單結(jié)晶體管導(dǎo)通電容放電，放電電流流過R1與被觸發(fā)晶閘管的門極的并聯(lián)電路形成輸出，為晶閘管提供觸發(fā)脈沖，使晶閘管導(dǎo)通。然后電路進(jìn)入下一振蕩周期，但晶閘管一經(jīng)導(dǎo)通門極就失去控制作用，一個(gè)電源電壓半周中振蕩電路輸出的脈沖只是第一個(gè)起到觸發(fā)作用，后面的脈沖是無效的。在主電路電壓的半周接近結(jié)束時(shí)，振蕩電路的電源電壓進(jìn)入梯形波的斜邊并迅速下降，振蕩電路停振，同時(shí)電容電壓釋放到0。因此在主電路的每一個(gè)半波中，電容總是從0開始充電，保證了觸發(fā)脈沖與主電路電壓的同步。

大功率可控硅觸發(fā)電路

大部分的書籍當(dāng)中，有關(guān)大功率的可控硅觸發(fā)電路的結(jié)構(gòu)都是較為復(fù)雜的，并且不容忽略的事實(shí)是，這些電路中所需的遠(yuǎn)見都非常難以購(gòu)買，總的來說并不具備一定的實(shí)用性。 本文將為大家介紹一種擁有較高實(shí)用性的大功率可控可控硅觸發(fā)電路，感興趣的朋友快來看一看吧。

電路見圖。將兩只單向可控硅SCRI、SCR2反向并聯(lián)再將控制板與本觸發(fā)電路連接，就組成了一個(gè)簡(jiǎn)單實(shí)用的大功率無級(jí)調(diào)速電路。這個(gè)電路的獨(dú)特之處在于可控硅控制極不需外加電源，只要將負(fù)載與本電路串聯(lián)后接通電源，兩個(gè)控制極與各自的陰極之間便有5V~8V脈動(dòng)直流電壓產(chǎn)生，調(diào)節(jié)電位器R2即可改變兩只可控硅的導(dǎo)通角，增大R2的阻值到一定程度便可使兩個(gè)主可控硅阻斷，因此R2還可起開關(guān)的作用。該電路的另一個(gè)特點(diǎn)是兩只主可控硅交替導(dǎo)通，一個(gè)的正向壓降就是另一個(gè)的反向壓降，因此不存在反向擊穿問題。但當(dāng)外加電壓瞬時(shí)超過阻斷電壓時(shí)，SCR1、SCR2會(huì)誤導(dǎo)通，導(dǎo)通程度由電位器R2決定。SCR3與周圍元件構(gòu)成普通移相觸發(fā)電路，其原理這里從略。

SCR1、SCR2筆者選用的是封裝好的可控硅模塊（110A/1000V） ， SCR3選用BTI36 ，即600V的雙向可控硅。本電路如用于感性負(fù)載，應(yīng)增加R4 ， C3阻容吸收電路及壓敏電阻RV作過壓保護(hù)，防止負(fù)載斷開和接通瞬間產(chǎn)生很高的感應(yīng)電壓損壞可控硅。