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我國集成電路的整體水平正在穩(wěn)步提升 刻蝕機等高端裝備和靶材等關(guān)鍵材料取得突破

半導(dǎo)體動態(tài) ? 來源:wv ? 作者:中國電子報 ? 2019-10-15 17:21 ? 次閱讀

如果是10年之前,說起芯片,人們腦海里冒出來的或許是英特爾,或許是高通。然而,近年來我國集成電路產(chǎn)業(yè)實力已經(jīng)得到快速提升,部分重點領(lǐng)域的技術(shù)達到國際先進水平,海思麒麟990手機芯片成為全球首款5G SoC芯片,中芯國際32/28納米工藝規(guī)模量產(chǎn)、16/14納米工藝進入客戶風(fēng)險量產(chǎn)階段,長江存儲3D NAND實現(xiàn)量產(chǎn),長鑫存儲DRAM投產(chǎn),先進封裝測試規(guī)模在封測業(yè)中占比達到約30%;刻蝕機等高端裝備和靶材等關(guān)鍵材料取得突破。

回望集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進程,中國的起步并不算晚。在中國科學(xué)院微電子所舉辦的“第五屆科技開放日”現(xiàn)場,記者看到了一批珍貴的老照片,其中包括了我國于1970年研制成功的系列抗飽合STTL數(shù)字邏輯集成電路,1971年研制成功的系列低功耗LTTL數(shù)字邏輯集成電路,1973年研制成功的用于半導(dǎo)體工藝的專用凈化設(shè)備等,見證了我國在集成電路領(lǐng)域一步步走過的堅實歷程。對此,有專家告訴記者,早在1965年中國就研制成功第一塊硅基數(shù)字集成電路,距離全球首塊只有7年時間,與國際基本保持了同步。當(dāng)時中國的集成電路在研發(fā)能力和水平上并不落后。

隨著改革開放國門打開,中國集成電路產(chǎn)業(yè)開始全面啟動,908、909工程開啟了我國集成電路產(chǎn)業(yè)的重點建設(shè)階段;2014年《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進綱要》的實施,以及“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金”成立,推動中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展駛上了快車道,跑出了加速度。今年5月,工信部副部長王志軍在答記者問時指出,自2012年以來,我國集成電路產(chǎn)業(yè)以年均20%以上的速度快速增長,2018年全行業(yè)銷售額6532億元,技術(shù)水平也不斷提高。

如今,我國集成電路的整體水平正在穩(wěn)步提升,產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴大,關(guān)鍵領(lǐng)域取得突破,越來越多技術(shù)空白被填補。更為重要的是,集成電路的社會認知度迅速提高,有越來越多的人們開始投身到這個產(chǎn)業(yè)中來,使我國集成電路的人才資源大大豐富,為行業(yè)長期發(fā)展提供了源源的動力。

集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展正在進入后摩爾時代。中國新一輪高層次、高水平改革開放的到來,將為全球集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來更大的機遇;互聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)、人工智能、5G、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)的應(yīng)用,將為全球集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來更新的突破。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
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