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兆易創(chuàng)新擬定增43億元籌劃DRAM芯片自研及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來源:wv ? 作者:全球半導(dǎo)體觀察 ? 2019-10-08 16:17 ? 次閱讀

9月23日,北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司(以下簡稱“兆易創(chuàng)新”)在股票交易異常波動(dòng)公告中表示,擬定增43億元,籌劃DRAM芯片自研及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。如今,此次非公開發(fā)行A股相關(guān)事項(xiàng)已經(jīng)獲得兆易創(chuàng)新第三屆董事會(huì)第八次會(huì)議審議通過,但尚需公司股東大會(huì)審議批準(zhǔn)及中國證監(jiān)會(huì)核準(zhǔn)。

10月1日,兆易創(chuàng)新發(fā)布非公開發(fā)行A股股票預(yù)案公告。公告指出,本次非公開發(fā)行A股股票的發(fā)行對(duì)象為不超過10名特定投資者,發(fā)行的股票數(shù)量不超過本次發(fā)行前公司股份總數(shù)的20%,即不超過64,224,315股(含本數(shù))。

預(yù)案顯示,兆易創(chuàng)新本次發(fā)行募集資金總額(含發(fā)行費(fèi)用)不超過人民幣432,402.36萬元(含本數(shù)),扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集資金凈額將用于DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目及補(bǔ)充流動(dòng)資金。

其中,DRAM芯片研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目計(jì)劃投資39.92億元,擬投入募集資金33.24億元。兆易創(chuàng)新擬通過本項(xiàng)目,研發(fā)1Xnm級(jí)(19nm、17nm)工藝制程下的DRAM技術(shù),設(shè)計(jì)和開發(fā)DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本項(xiàng)目的成功實(shí)施,有助于公司豐富自身產(chǎn)品線,有效整合產(chǎn)業(yè)資源,鞏固并提高公司的市場地位和綜合競爭力。

資料顯示,兆易創(chuàng)新自2005年設(shè)立并進(jìn)入閃存芯片設(shè)計(jì)行業(yè),通過技術(shù)開拓、業(yè)務(wù)并購,目前已成為中國大陸最為領(lǐng)先的芯片設(shè)計(jì)企業(yè)之一,主營業(yè)務(wù)為閃存芯片及其衍生產(chǎn)品、微控制器產(chǎn)品、傳感器模塊的研發(fā)、技術(shù)支持和銷售。

兆易創(chuàng)新指出,通過本次非公開發(fā)行,公司將以募集資金投入DRAM芯片的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化,積極推進(jìn)產(chǎn)業(yè)整合,加快業(yè)務(wù)發(fā)展,拓展戰(zhàn)略布局。本次非公開發(fā)行是公司打造國內(nèi)領(lǐng)先存儲(chǔ)器廠商、全球領(lǐng)先芯片設(shè)計(jì)公司的關(guān)鍵戰(zhàn)略,發(fā)行完成后,公司在存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)⒊蔀楦采wFlash、DRAM的領(lǐng)軍企業(yè)。

上述項(xiàng)目的實(shí)施能夠豐富公司的產(chǎn)品結(jié)構(gòu),深入公司在存儲(chǔ)器行業(yè)的布局,成為國內(nèi)高端通用存儲(chǔ)器領(lǐng)域領(lǐng)軍企業(yè),并能夠在公司業(yè)務(wù)不斷爬升、日益發(fā)展壯大的過程中補(bǔ)充營運(yùn)資金。

DRAM作為集成電路領(lǐng)域通用芯片,產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化,非常適宜于迅速擴(kuò)張,本次非公開發(fā)行完成及募集資金投資項(xiàng)目實(shí)施完畢后,公司在存儲(chǔ)器領(lǐng)域的產(chǎn)品結(jié)構(gòu)將得到進(jìn)一步豐富,在NOR Flash、NAND Flash基礎(chǔ)上切入DRAM存儲(chǔ)芯片。項(xiàng)目完成后,兆易創(chuàng)新將掌握DRAM技術(shù)、具備DRAM產(chǎn)品設(shè)計(jì)能力。

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