臺積電宣布,其領先業(yè)界導入極紫外光(EUV)微影技術的7納米強效版(N7+)制程已協(xié)助客戶產品大量進入市場。導入EUV微影技術的N7+奠基于臺積電成功的7納米制程之上,也為明年首季試產6納米和更先進制程奠定良好基礎。
臺積電N7+的量產速度為史上量產速度最快的制程之一,于2019年第二季開始量產,在7納米制程技術(N7)量產超過一年時間的情況下,N7+良率與N7已相當接近。N7+同時提供了整體效能的提升,N7+的邏輯密度比N7提高15%至20%,同時降低功耗,使其成為業(yè)界下一波產品中更受歡迎的制程選擇。臺積電亦快速布建產能以滿足多個客戶對于N7+的需求。
臺積電表示,N7+的成功經驗是未來先進制程技術的基石。臺積電的6納米制程技術(N6)將于2020年第一季進入試產,并于年底前進入量產。隨著EUV微影技術的進一步應用,N6的邏輯密度將比N7提高18%,而N6憑藉著與N7完全相容的設計法則,亦可大幅縮短客戶產品上市的時間。
此外,EUV微影技術使臺積公司能夠持續(xù)推動芯片微縮。臺積公司的EUV設備已達成熟生產的實力,EUV設備機臺亦達大量生產的目標。
臺積電業(yè)務開發(fā)副總經理張曉強表示,AI和5G的應用為芯片設計開啟了更多的可能,使其得以許多新的方式改善人類生活,臺積的客戶充滿了創(chuàng)新及領先的設計理念,需要臺積公司的技術和制造能力使其實現(xiàn);在EUV微影技術上的成功,是臺積公司不僅能夠具體落實客戶的領先設計,亦能使其大量生產的另一個絕佳證明。
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