雙極型晶體管的參數(shù)符號和中文意義詳細對比說明

雙極型晶體管參數(shù)符號及其意義

Cc---集電極電容

Ccb---集電極與基極間電容

Cce---發(fā)射極接地輸出電容

Ci---輸入電容

Cib---共基極輸入電容

Cie---共發(fā)射極輸入電容

Cies---共發(fā)射極短路輸入電容

Cieo---共發(fā)射極開路輸入電容

Cn---中和電容（外電路參數(shù)）

Co---輸出電容

Cob---共基極輸出電容。在基極電路中，集電極與基極間輸出電容

Coe---共發(fā)射極輸出電容

Coeo---共發(fā)射極開路輸出電容

Cre---共發(fā)射極反饋電容

Cic---集電結(jié)勢壘電容

CL---負載電容（外電路參數(shù)）

Cp---并聯(lián)電容（外電路參數(shù)）

BVcbo---發(fā)射極開路，集電極與基極間擊穿電壓

BVceo---基極開路，CE結(jié)擊穿電壓

BVebo--- 集電極開路EB結(jié)擊穿電壓

BVces---基極與發(fā)射極短路CE結(jié)擊穿電壓

BV cer---基極與發(fā)射極串接一電阻，CE結(jié)擊穿電壓

D---占空比

fT---特征頻率

fmax---最高振蕩頻率。當(dāng)三極管功率增益等于1時的工作頻率

hFE---共發(fā)射極靜態(tài)電流放大系數(shù)

hIE---共發(fā)射極靜態(tài)輸入阻抗

hOE---共發(fā)射極靜態(tài)輸出電導(dǎo)

h RE---共發(fā)射極靜態(tài)電壓反饋系數(shù)

hie---共發(fā)射極小信號短路輸入阻抗

hre---共發(fā)射極小信號開路電壓反饋系數(shù)

hfe---共發(fā)射極小信號短路電壓放大系數(shù)

hoe---共發(fā)射極小信號開路輸出導(dǎo)納

IB---基極直流電流或交流電流的平均值

Ic---集電極直流電流或交流電流的平均值

IE---發(fā)射極直流電流或交流電流的平均值

Icbo---基極接地，發(fā)射極對地開路，在規(guī)定的VCB反向電壓條件下的集電極與基極之間的反向截止電流

Iceo---發(fā)射極接地，基極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流

Iebo---基極接地，集電極對地開路，在規(guī)定的反向電壓VEB條件下，發(fā)射極與基極之間的反向截止電流

Icer---基極與發(fā)射極間串聯(lián)電阻R，集電極與發(fā)射極間的電壓VCE為規(guī)定值時，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流

Ices---發(fā)射極接地，基極對地短路，在規(guī)定的反向電壓VCE條件下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流

Icex---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間加指定偏壓，在規(guī)定的反向偏壓VCE下，集電極與發(fā)射極之間的反向截止電流

ICM---集電極最大允許電流或交流電流的最大平均值。

IBM---在集電極允許耗散功率的范圍內(nèi)，能連續(xù)地通過基極的直流電流的最大值，或交流電流的最大平均值

ICMP---集電極最大允許脈沖電流

ISB---二次擊穿電流

IAGC---正向自動控制電流

Pc---集電極耗散功率

PCM---集電極最大允許耗散功率

Pi---輸入功率

Po---輸出功率

Posc---振蕩功率

Pn---噪聲功率

Ptot---總耗散功率

ESB---二次擊穿能量

rbb---基區(qū)擴展電阻（基區(qū)本征電阻）

rbbCc---基極-集電極時間常數(shù)，即基極擴展電阻與集電結(jié)電容量的乘積

rie---發(fā)射極接地，交流輸出短路時的輸入電阻

roe---發(fā)射極接地，在規(guī)定VCE、Ic或IE、頻率條件下測定的交流輸入短路時的輸出電阻

RE---外接發(fā)射極電阻（外電路參數(shù)）

RB---外接基極電阻（外電路參數(shù)）

Rc ---外接集電極電阻（外電路參數(shù)）

RBE---外接基極-發(fā)射極間電阻（外電路參數(shù)）

RL---負載電阻（外電路參數(shù)）

RG---信號源內(nèi)阻

Rth---熱阻

Ta---環(huán)境溫度

Tc---管殼溫度

Ts---結(jié)溫

Tjm---最大允許結(jié)溫

Tstg---貯存溫度

td----延遲時間

tr---上升時間

ts---存貯時間

tf---下降時間

ton---開通時間

toff---關(guān)斷時間

VCB---集電極-基極（直流）電壓

VCE---集電極-發(fā)射極（直流）電壓

VBE---基極發(fā)射極（直流）電壓

VCBO---基極接地，發(fā)射極對地開路，集電極與基極之間在指定條件下的最高耐壓

VEBO---基極接地，集電極對地開路，發(fā)射極與基極之間在指定條件下的最高耐壓

VCEO---發(fā)射極接地，基極對地開路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓

VCER---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極間串接電阻R，集電極與發(fā)射極間在指定條件下的最高耐壓

VCES---發(fā)射極接地，基極對地短路，集電極與發(fā)射極之間在指定條件下的最高耐壓

VCEX---發(fā)射極接地，基極與發(fā)射極之間加規(guī)定的偏壓，集電極與發(fā)射極之間在規(guī)定條件下的最高耐壓

Vp---穿通電壓。

VSB---二次擊穿電壓

VBB---基極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

Vcc---集電極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VEE---發(fā)射極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）

VCE（sat）---發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下的集電極-發(fā)射極間飽和壓降

VBE（sat）---發(fā)射極接地，規(guī)定Ic、IB條件下，基極-發(fā)射極飽和壓降（前向壓降）

VAGC---正向自動增益控制電壓

Vn（p-p）---輸入端等效噪聲電壓峰值

V n---噪聲電壓

Cj---結(jié)（極間）電容， 表示在二極管兩端加規(guī)定偏壓下，鍺檢波二極管的總電容

Cjv---偏壓結(jié)電容

Co---零偏壓電容

Cjo---零偏壓結(jié)電容

Cjo/Cjn---結(jié)電容變化

Cs---管殼電容或封裝電容

Ct---總電容

CTV---電壓溫度系數(shù)。在測試電流下，穩(wěn)定電壓的相對變化與環(huán)境溫度的絕對變化之比

CTC---電容溫度系數(shù)

Cvn---標(biāo)稱電容

IF---正向直流電流（正向測試電流）。鍺檢波二極管在規(guī)定的正向電壓VF下，通過極間的電流；硅整流管、硅堆在規(guī)定的使用條件下，在正弦半波中允許連續(xù)通過的最大工作電流（平均值），硅開關(guān)二極管在額定功率下允許通過的最大正向直流電流；測穩(wěn)壓二極管正向電參數(shù)時給定的電流

IF（AV）---正向平均電流

IFM（IM）---正向峰值電流（正向最大電流）。在額定功率下，允許通過二極管的最大正向脈沖電流。發(fā)光二極管極限電流。

IH---恒定電流、維持電流。

Ii--- 發(fā)光二極管起輝電流

IFRM---正向重復(fù)峰值電流

IFSM---正向不重復(fù)峰值電流（浪涌電流）

Io---整流電流。在特定線路中規(guī)定頻率和規(guī)定電壓條件下所通過的工作電流

IF（ov）---正向過載電流

IL---光電流或穩(wěn)流二極管極限電流

ID---暗電流

IB2---單結(jié)晶體管中的基極調(diào)制電流

IEM---發(fā)射極峰值電流

IEB10---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極與第一基極間反向電流

IEB20---雙基極單結(jié)晶體管中發(fā)射極向電流

ICM---最大輸出平均電流

IFMP---正向脈沖電流

IP---峰點電流

IV---谷點電流

IGT---晶閘管控制極觸發(fā)電流

IGD---晶閘管控制極不觸發(fā)電流

IGFM---控制極正向峰值電流

IR（AV）---反向平均電流

IR（In）---反向直流電流（反向漏電流）。在測反向特性時，給定的反向電流；硅堆在正弦半波電阻性負載電路中，加反向電壓規(guī)定值時，所通過的電流；硅開關(guān)二極管兩端加反向工作電壓VR時所通過的電流；穩(wěn)壓二極管在反向電壓下，產(chǎn)生的漏電流；整流管在正弦半波最高反向工作電壓下的漏電流。

IRM---反向峰值電流

IRR---晶閘管反向重復(fù)平均電流

IDR---晶閘管斷態(tài)平均重復(fù)電流

IRRM---反向重復(fù)峰值電流

IRSM---反向不重復(fù)峰值電流（反向浪涌電流）

Irp---反向恢復(fù)電流

Iz---穩(wěn)定電壓電流（反向測試電流）。測試反向電參數(shù)時，給定的反向電流

Izk---穩(wěn)壓管膝點電流

IOM---最大正向（整流）電流。在規(guī)定條件下，能承受的正向最大瞬時電流；在電阻性負荷的正弦半波整流電路中允許連續(xù)通過鍺檢波二極管的最大工作電流

IZSM---穩(wěn)壓二極管浪涌電流

IZM---最大穩(wěn)壓電流。在最大耗散功率下穩(wěn)壓二極管允許通過的電流

iF---正向總瞬時電流

iR---反向總瞬時電流

ir---反向恢復(fù)電流

Iop---工作電流

Is---穩(wěn)流二極管穩(wěn)定電流

f---頻率

n---電容變化指數(shù)；電容比

Q---優(yōu)值（品質(zhì)因素）

δvz---穩(wěn)壓管電壓漂移

di/dt---通態(tài)電流臨界上升率

dv/dt---通態(tài)電壓臨界上升率

PB---承受脈沖燒毀功率

PFT（AV）---正向?qū)ㄆ骄纳⒐β?/p>

PFTM---正向峰值耗散功率

PFT---正向?qū)偹矔r耗散功率

Pd---耗散功率

PG---門極平均功率

PGM---門極峰值功率

PC---控制極平均功率或集電極耗散功率

Pi---輸入功率

PK---最大開關(guān)功率

PM---額定功率。硅二極管結(jié)溫不高于150度所能承受的最大功率

PMP---最大漏過脈沖功率

PMS---最大承受脈沖功率

Po---輸出功率

PR---反向浪涌功率

Ptot---總耗散功率

Pomax---最大輸出功率

Psc---連續(xù)輸出功率

PSM---不重復(fù)浪涌功率

PZM---最大耗散功率。在給定使用條件下，穩(wěn)壓二極管允許承受的最大功率

RF（r）---正向微分電阻。在正向?qū)〞r，電流隨電壓指數(shù)的增加，呈現(xiàn)明顯的非線性特性。在某一正向電壓下，電壓增加微小量△V，正向電流相應(yīng)增加△I，則△V/△I稱微分電阻

RBB---雙基極晶體管的基極間電阻

RE---射頻電阻

RL---負載電阻

Rs（rs）----串聯(lián)電阻

Rth----熱阻

R（th）ja----結(jié)到環(huán)境的熱阻

Rz（ru）---動態(tài)電阻

R（th）jc---結(jié)到殼的熱阻

r δ---衰減電阻

r（th）---瞬態(tài)電阻

Ta---環(huán)境溫度

Tc---殼溫

td---延遲時間

tf---下降時間

tfr---正向恢復(fù)時間

tg---電路換向關(guān)斷時間

tgt---門極控制極開通時間

Tj---結(jié)溫

Tjm---最高結(jié)溫

ton---開通時間

toff---關(guān)斷時間

tr---上升時間

trr---反向恢復(fù)時間

ts---存儲時間

tstg---溫度補償二極管的貯成溫度

a---溫度系數(shù)

λp---發(fā)光峰值波長

△ λ---光譜半寬度

η---單結(jié)晶體管分壓比或效率

VB---反向峰值擊穿電壓

Vc---整流輸入電壓

VB2B1---基極間電壓

VBE10---發(fā)射極與第一基極反向電壓

VEB---飽和壓降

VFM---最大正向壓降（正向峰值電壓）

VF---正向壓降（正向直流電壓）

△VF---正向壓降差

VDRM---斷態(tài)重復(fù)峰值電壓

VGT---門極觸發(fā)電壓

VGD---門極不觸發(fā)電壓

VGFM---門極正向峰值電壓

VGRM---門極反向峰值電壓

VF（AV）---正向平均電壓

Vo---交流輸入電壓

VOM---最大輸出平均電壓

Vop---工作電壓

Vn---中心電壓

Vp---峰點電壓

VR---反向工作電壓（反向直流電壓）

VRM---反向峰值電壓（最高測試電壓）

V（BR）---擊穿電壓

Vth---閥電壓（門限電壓）

VRRM---反向重復(fù)峰值電壓（反向浪涌電壓）

VRWM---反向工作峰值電壓

V v---谷點電壓

Vz---穩(wěn)定電壓

△Vz---穩(wěn)壓范圍電壓增量

Vs---通向電壓（信號電壓）或穩(wěn)流管穩(wěn)定電流電壓

av---電壓溫度系數(shù)

Vk---膝點電壓（穩(wěn)流二極管）

VL ---極限電壓