步驟1:LD驅(qū)動(dòng)程序的工作原理
A穩(wěn)壓二極管D2和電阻R4產(chǎn)生5 V參考電壓。該電壓通過使用電容器C2進(jìn)行濾波,并施加到作為緩沖器連接的運(yùn)算放大器的輸入。緩沖器裝有接地的微調(diào)電位器。這樣,電壓在其中間端子上可在0和參考電壓之間變化。第二運(yùn)算放大器與功率NMOS晶體管一起用作電壓至電流轉(zhuǎn)換器-晶體管的源極電壓與第二運(yùn)算放大器的輸入電壓相同。該電壓出現(xiàn)在電流定義電阻R5處。產(chǎn)生的電流為Igen = Vin/R5,其中Vin是R5上的電壓降,也是第二運(yùn)算放大器的輸入電壓。我使用了5V的Zenner二極管和10歐姆的R5電阻-可能產(chǎn)生的最大電流為500 mA。如果需要更高的電流,則應(yīng)該增加參考電壓,或者降低R5的值。因?yàn)楦唠娏骺梢粤鬟^NMOS晶體管,所以它必須足夠強(qiáng)以維持它。
R5產(chǎn)生的功率也必須適當(dāng)?shù)睾纳?。在我的情況下,R5產(chǎn)生的最大功率為2.5W-5V * 0.5A。我使用了5 W電阻器。電阻器R3是可選的。在某些情況下,R1也是如此。 R2和C1用于保護(hù)激光二極管免受某些電壓尖峰的影響。
關(guān)于所使用的運(yùn)算放大器和NMOS晶體管的一些說法:
功率NMOS晶體管通常具有較大的工作范圍,在大多數(shù)情況下假定其工作面積較大輸入電容。對(duì)于某些設(shè)備,它可以達(dá)到數(shù)十納米級(jí)。該電容表現(xiàn)為運(yùn)算放大器的電容負(fù)載。運(yùn)算放大器必須能夠驅(qū)動(dòng)這種大容性負(fù)載,而又不會(huì)失去其穩(wěn)定性。一些運(yùn)算放大器會(huì)補(bǔ)償相似的負(fù)載,但是很多標(biāo)準(zhǔn)運(yùn)算放大器都會(huì)振蕩。您已經(jīng)仔細(xì)檢查了兩個(gè)數(shù)據(jù)手冊(cè)(運(yùn)算放大器和NMOS的數(shù)據(jù)手冊(cè)),功率NMOS晶體管的柵極電容是多少,并且在這種負(fù)載下運(yùn)算放大器是否穩(wěn)定。在某些情況下,即使運(yùn)算放大器在使用特定的NMOS晶體管作為負(fù)載時(shí)也不穩(wěn)定,通過使用簡(jiǎn)單電阻將負(fù)載與運(yùn)算放大器輸出“隔離”,可以大大提高穩(wěn)定性。原理圖中的這是R1的功能。如果遇到穩(wěn)定性問題,可以使用R1的值嘗試達(dá)到穩(wěn)定的操作。
LD連接在JP1上,電源連接在JP2。
步驟2:零件清單
1 x MAX407(雙路單電源CMOS低失調(diào)運(yùn)算放大器)-可以以不同的方式使用,請(qǐng)牢記前面提到的(PCB設(shè)計(jì)用于DIP封裝)。運(yùn)算放大器的輸入范圍必須同時(shí)包括電壓-接地軌和參考電壓。
1 x SSS7N60B(Fairchild 600V 7A DMOS NMOS晶體管)-我已經(jīng)使用了它,因?yàn)槲矣幸粋€(gè)可用的它可以使用另一個(gè)電源NMOS晶體管,例如IFR120 。..以及其他1 x 5V穩(wěn)壓二極管(可以使用5V以外的電壓-參考電壓除以R5的值給出了產(chǎn)生電流的最大值-該電壓不能高于運(yùn)算放大器的最大電源電壓+(1?2)V)
1 x 680歐姆電阻
1 x 200歐姆電阻(可以省略)
1 x 100 KOhm電阻(可以是10 KOhm-200KOhm)
1 x 1 Kohm電阻器
1 x 10 Ohm 5 W電阻器(可以不同,應(yīng)該重新計(jì)算功耗)
1 x 10 KOhm微調(diào)電位器(可以是5KOhm?100KOhm)
1 x 10 uF電容器
1 x 50 uF電容器
1 x 100nF(可以是1uF)電容器
其他部分:我使用了3種不同類型的冷卻器(散熱器)-一種用于冷卻NMOS晶體管,另一種用于冷卻制作LD
的外殼步驟3:PCB設(shè)計(jì)
I在“ Eagle”中設(shè)計(jì)了PCB。設(shè)計(jì)文件可以下載。
我使用以下方法:
PCB通過使用兩個(gè)導(dǎo)電層(底部和頂部)進(jìn)行設(shè)計(jì)。如果要在制造廠訂購(gòu)PCB,則可以使用雙金屬技術(shù)。我已經(jīng)使用了碳粉轉(zhuǎn)移DIY方法,而我的PCB使用的是單一金屬(僅底部金屬層)。最上面的金屬層連接被瑣碎的線橋所取代。也可以下載為墨粉轉(zhuǎn)移“光刻”準(zhǔn)備的PDF文件。
圖中顯示了已轉(zhuǎn)移墨粉并用耐DVD標(biāo)記修飾的PCB的圖片。
蝕刻后的同一塊PCB可以
步驟4:焊接的LD驅(qū)動(dòng)器PCB
在這里,我顯示了焊接PCB的一些圖片。運(yùn)算放大器放置在IC插座中。電源NMOS裝有散熱器。取而代之的是跳線(如圖所示),我直接焊接了導(dǎo)線。
步驟5:為L(zhǎng)D制作外殼
在本實(shí)驗(yàn)中,我使用了從DVD刻錄機(jī)提取的LD。它有自己的帶鏡頭的小外殼,但要獲得大功率,則需要額外的冷卻。
步驟6:LD冷卻器
由于大電流流過激光二極管,因此必須對(duì)其進(jìn)行冷卻。市場(chǎng)上有特殊的冷卻外殼(例如Ebay),但我決定自己制造。為此,我使用了一些可用的材料:兩個(gè)鋁制冷卻器,一個(gè)螺母和螺栓。
首先,我在較大的冷卻器中間開了一個(gè)孔。之后,我使用圓形文件將其整形,以精確傳遞到放置在其原始外殼中的LD。
步驟7:
我發(fā)現(xiàn)了一個(gè)螺母,它的厚度與LD原始外殼的底壁相當(dāng)。我歸檔它具有相同的厚度。我還必須將螺母的側(cè)壁之一做得更薄。圖片顯示了歸檔后的外觀以及它在冷藏柜中的位置。
步驟8:
步驟9:
下一步是將導(dǎo)線焊接到LD端子。您必須檢查L(zhǎng)D數(shù)據(jù)表中的端子是什么(它們可以如圖所示,但是也可以以不同的方式排列)。我將熱縮電纜套管放在正極上,以防止與負(fù)極意外短路。
步驟10:
最后,我組裝了整個(gè)外殼-小板用螺栓固定,這樣就按住了LD原始外殼。我已經(jīng)放了一些硅膠導(dǎo)熱膏以改善冷卻效果。
步驟11:
在測(cè)試之前,我已經(jīng)將微調(diào)器轉(zhuǎn)到最小電流驅(qū)動(dòng)的位置。我已經(jīng)將LD模塊連接到驅(qū)動(dòng)器,并將其連接到設(shè)置為6-7V的電源。
我已經(jīng)測(cè)量了所有特殊電勢(shì)(參考電壓,第二個(gè)運(yùn)算放大器的輸入電壓, NMOS晶體管的源極電壓-與R5的頂端相同,即LD上的電壓降)。我將電源電壓調(diào)整為10V。的備注即可。 請(qǐng)注意,運(yùn)算放大器的最大電源電壓是多少!之后,我開始慢慢轉(zhuǎn)動(dòng)電位器,增加R5上的電壓,并增加通過LD的電流。當(dāng)LD的觸發(fā)電流達(dá)到時(shí),它開始點(diǎn)亮。您可以輕松地估計(jì)流經(jīng)LD的電流,測(cè)量R5頂部端子處的電勢(shì)并將其分流到R5。
不得超過流經(jīng)LD的最大允許電流,因?yàn)槟腖ASER二極管會(huì)被破壞。
代替驅(qū)動(dòng)激光二極管,所提供的驅(qū)動(dòng)器也可用于驅(qū)動(dòng)LED。第二張圖片顯示了驅(qū)動(dòng)器裝有明亮的白色LED,并且吸收了約10 mA的驅(qū)動(dòng)電流。
除了驅(qū)動(dòng)LD,LED驅(qū)動(dòng)器設(shè)備還可以用于在溫度和電源穩(wěn)定的條件下產(chǎn)生穩(wěn)定的電流。不同傳感器,電流基準(zhǔn)電路以及其他電氣和物理實(shí)驗(yàn)的時(shí)間電流。為此,重要的是要使穩(wěn)壓二極管在整個(gè)溫度電壓范圍內(nèi)保持穩(wěn)定。所選的運(yùn)算放大器具有非常小的失調(diào)和參數(shù)溫度漂移。必須使用較小的TCR選擇R5。
另一個(gè)可能的應(yīng)用:
隨著時(shí)間的流逝,電子愛好者會(huì)收集很多不同的二極管。在它們之間有很多齊納二極管。有時(shí)無法讀取其標(biāo)簽并知道其鉗位電壓是多少。所提供的恒流驅(qū)動(dòng)器可用于其測(cè)量和功能檢查。調(diào)整電位器的位置應(yīng)使?1mA電流流過-R5頂端的電壓應(yīng)為?10mV。齊納二極管應(yīng)在LD處連接,但要相反(陰極連接到電源線,陽(yáng)極端子連接到NMOS晶體管的線)。必須測(cè)量齊納二極管上的電壓降。不斷監(jiān)測(cè)齊納二極管上的電壓,應(yīng)增加電流,直到齊納二極管上的電壓穩(wěn)定為止。這是它的鉗位電壓。為了能夠測(cè)量很大范圍的不同齊納二極管,必須將電源電壓設(shè)置為最大(請(qǐng)記住運(yùn)算放大器芯片的最大允許電源電壓?。?。如果在穩(wěn)壓二極管上測(cè)得的電壓降為?0.5-0.7V,則表示-錯(cuò)誤連接。其端子必須交換。
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