實(shí)驗(yàn)十一 電渦流傳感器的應(yīng)用[實(shí)驗(yàn)?zāi)康腯1.掌握電渦流傳感器測量振幅和靜態(tài)稱重的方法。2.熟悉電渦流傳感器的實(shí)際應(yīng)用。[實(shí)驗(yàn)單元]1.振幅測量。電渦
發(fā)表于 06-04 12:57
升下降了10℃,可見永磁體渦流損耗對轉(zhuǎn)子溫升影響很大。5 結(jié)語:本文探討了稀土永磁同步電機(jī)轉(zhuǎn)子溫升過高的原因,并分析提出了降低轉(zhuǎn)子溫升的方法。在對原樣機(jī)更換永磁體牌號后進(jìn)行試驗(yàn),表明永磁體的渦
發(fā)表于 10-12 10:56
下降了10℃,可見永磁體渦流損耗對轉(zhuǎn)子溫升影響很大。5 結(jié)語:本文探討了稀土永磁同步電機(jī)轉(zhuǎn)子溫升過高的原因,并分析提出了降低轉(zhuǎn)子溫升的方法。在對原樣機(jī)更換永磁體牌號后進(jìn)行試驗(yàn),表明永磁體的渦流
發(fā)表于 11-01 11:06
,
渦流形成的范圍越小,滲透深度越淺。而形狀則會(huì)影響
渦流的
形成方式,如圓形導(dǎo)體中的
渦流是環(huán)狀的,而長方形導(dǎo)體中的
渦流則是在導(dǎo)體內(nèi)部自交錯(cuò)的?!?/div>
發(fā)表于 03-13 17:38
提出一種新的相干波束形成方法,利用內(nèi)插變換對相干背景下的真實(shí)陣列進(jìn)行虛擬平移,得到多個(gè)虛擬平移后的信號協(xié)方差矩陣;對其進(jìn)行平均后,所得到的相干信號協(xié)方差矩陣具
發(fā)表于 11-15 21:09
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分析了影響波束形成性能的因素,通過計(jì)算機(jī)仿真實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了搜索步長、迭代次數(shù)、快拍對波束形成性能的影響,并比較了兩種方法的收斂速度、穩(wěn)態(tài)誤差和抗干擾性能。
發(fā)表于 11-11 14:33
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盤式永磁渦流驅(qū)動(dòng)器的渦流軟測量方法_時(shí)統(tǒng)宇
發(fā)表于 01-07 18:12
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波束形成是將多個(gè)傳感器設(shè)置在空間不同位置組成一個(gè)陣列,并利用這一陣列對空間信號進(jìn)行接收和處理的方法,它能夠提取某些方向上感興趣的信號,同時(shí)抑制干擾和噪聲。因此,通常把波束形成器看成空間濾波器,它是
發(fā)表于 02-28 13:55
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本文具體介紹了渦流探傷的檢測方法。
發(fā)表于 08-08 17:07
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隨著無刷直流電機(jī)的功率越來越大,轉(zhuǎn)速越來越高,其轉(zhuǎn)子渦流損耗導(dǎo)致永磁體的過熱退磁成為制約無刷直流電機(jī)高功率密度的關(guān)鍵因素。這是由于轉(zhuǎn)子經(jīng)氣隙與定子進(jìn)行熱傳導(dǎo)散熱,其散熱條件較差,導(dǎo)致轉(zhuǎn)子溫度高于定子
發(fā)表于 10-28 09:47
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芯片技術(shù)領(lǐng)域的應(yīng)用概要,用于簡化芯片堆疊結(jié)構(gòu)及其形成方法、芯片封裝結(jié)構(gòu)、電子設(shè)備、芯片堆棧結(jié)構(gòu)的制造技術(shù)。該芯片的堆疊結(jié)構(gòu)至少包括兩個(gè)堆疊的芯片,每一個(gè)芯片包括電線層,電線層設(shè)有電具組。
發(fā)表于 08-09 10:13
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該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法主要包含以下步驟:首先,需制備基底,其中含有器件區(qū)及位于兩側(cè)的隔離區(qū);之后進(jìn)行基底圖案化,制作出襯底及突出于襯底的鰭部;接著,在器件區(qū)兩側(cè)形成突出于隔離區(qū)襯底的第一偽鰭部;
發(fā)表于 04-19 16:06
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電渦流效應(yīng)是一種利用電磁感應(yīng)原理測量位移的方法。它具有非接觸、高精度、快速響應(yīng)等優(yōu)點(diǎn),在工業(yè)自動(dòng)化、精密測量、航空航天等領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。 一、電渦流效應(yīng)的原理 1.1 電磁感應(yīng) 電渦流
發(fā)表于 07-26 14:51
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渦流損耗是電磁感應(yīng)現(xiàn)象的一種表現(xiàn)形式,主要出現(xiàn)在導(dǎo)體材料在變化的磁場中受到的電磁感應(yīng)作用下,產(chǎn)生大量微小的閉合電流,這些電流在導(dǎo)體內(nèi)部形成渦流,導(dǎo)致能量損耗。渦流損耗在許多領(lǐng)域都有重要
發(fā)表于 07-26 16:31
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