電力晶體管的應(yīng)用及發(fā)展前景

電力晶體管器件屬于功率半導(dǎo)體類別，如高壓二極管、瞬變二極管、二極管整流橋、MOSFET、IGBT等，多年來市場(chǎng)需求、產(chǎn)品價(jià)格穩(wěn)健。雖然會(huì)受到行業(yè)周期、中美貿(mào)易摩擦的影響，但是市場(chǎng)總體波動(dòng)不大，發(fā)展前景廣闊。

目前，我國(guó)已成為全球最重要的功率半導(dǎo)體器件制造基地和消費(fèi)市場(chǎng)，在全球功率器件市場(chǎng)占有顯著地位。從需求端的整機(jī)系統(tǒng)發(fā)展來看，來自節(jié)能環(huán)保、新能源、特高壓等應(yīng)用的需求，帶動(dòng)了我國(guó)功率半導(dǎo)體器件產(chǎn)品的需求增長(zhǎng)和產(chǎn)品升級(jí)。

電力晶體管作為國(guó)民經(jīng)濟(jì)的基礎(chǔ)行業(yè)和節(jié)能減排的關(guān)鍵技術(shù)，與基于功率半導(dǎo)體為的電力電子產(chǎn)業(yè)一樣，具有廣闊的發(fā)展前景。

首先，隨著社會(huì)和經(jīng)濟(jì)的發(fā)展，能源投資將保持長(zhǎng)期增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)，工業(yè)發(fā)展對(duì)電力電子裝置的需求將持續(xù)增加，必然帶動(dòng)電力晶體管類大功率半導(dǎo)體器件，特別是高壓二極管、MOSFET、IGBT等制造業(yè)的發(fā)展。

其次，國(guó)家大力推動(dòng)節(jié)能減排技術(shù)的發(fā)展及應(yīng)用，電力電子技術(shù)是研究電能高效變換和控制的技術(shù)，電力晶體管和大功率半導(dǎo)體器件（MOSFET、IGBT）能夠?qū)﹄娔軅鬏斵D(zhuǎn)換實(shí)施最佳控制，實(shí)現(xiàn)大幅節(jié)約電能、優(yōu)化電能質(zhì)量的目標(biāo)，從而促進(jìn)新型電力半導(dǎo)體器件的發(fā)展。

第三，電力電子技術(shù)是現(xiàn)代軍事和武器裝備的核心技術(shù)之一，擁有高端先進(jìn)的電子技術(shù)成為強(qiáng)大國(guó)防力量的可靠保障，隨著軍工領(lǐng)域的投資增長(zhǎng)和技術(shù)升級(jí)，以及軍民融合的加快推進(jìn)，必將帶動(dòng)電力電子技術(shù)的廣泛應(yīng)用和快速發(fā)展。

第四，產(chǎn)業(yè)政策支持。電力電子技術(shù)是國(guó)民經(jīng)濟(jì)的重要基礎(chǔ)學(xué)科之一，國(guó)家通過優(yōu)惠政策和產(chǎn)業(yè)基金等多種方式，持續(xù)加大對(duì)電力晶體管等高端新型功率半導(dǎo)體器件研發(fā)和先進(jìn)電力電子技術(shù)應(yīng)用的扶持力度，國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)大多與電力電子直接相關(guān)，為電力電子產(chǎn)業(yè)和技術(shù)提供了廣闊的發(fā)展空間。

第五，國(guó)際經(jīng)濟(jì)融合。隨著全球經(jīng)濟(jì)融合發(fā)展，為中國(guó)企業(yè)吸收先進(jìn)技術(shù)、推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新提供了良好的機(jī)遇，帶動(dòng)了我國(guó)大功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，中美貿(mào)易摩擦將加快我國(guó)電力晶體管等半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程。

目前，國(guó)內(nèi)大功率半導(dǎo)體器件和IGBT模塊等新型器件廠家主要有臺(tái)基股份、時(shí)代電氣、斯達(dá)半導(dǎo)體、西安派瑞、宏微科技等。雖然目前國(guó)內(nèi)企業(yè)已經(jīng)逐步掌握了新型功率半導(dǎo)體芯片設(shè)計(jì)、產(chǎn)業(yè)化制造技術(shù)，并形成了批量生產(chǎn)能力，但高壓二極管、IGBT等高壓及大功率器件與國(guó)際領(lǐng)先水平還存在差距。

面對(duì)未來，我們面臨的機(jī)遇遠(yuǎn)大于挑戰(zhàn)。中美貿(mào)易摩擦有助于我國(guó)產(chǎn)業(yè)自主化，提升普通電子機(jī)械和電器設(shè)備的出口，給國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體企業(yè)帶來新一輪的發(fā)展契機(jī)。