M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路
M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路采用雙電源(+15V,-10V)供電,輸出負(fù)偏壓為-10V,輸入輸出電平與TTL電平兼容,配有短路/過(guò)載保護(hù)和封閉性短路保護(hù)功能,同時(shí)具有延時(shí)保護(hù)特性。
其分別適合于驅(qū)動(dòng)1200V/100A、600V/200A和1200V/400A、600V/600A及其以下的IGBT.M57959L/M57962L在驅(qū)動(dòng)中小功率的IGBT時(shí),驅(qū)動(dòng)效果和各項(xiàng)性能表現(xiàn)優(yōu)良,但當(dāng)其工作在高頻下時(shí),其脈沖前后沿變的較差,即信號(hào)的最大傳輸寬度受到限制。且厚膜內(nèi)部采用印刷電路板設(shè)計(jì),散熱不是很好,容易因過(guò)熱造成內(nèi)部器件的燒毀。
日本三菱公司的M57959L集成IGBT專用驅(qū)動(dòng)芯片它可以作為600V/200A或者1200V/100A的IGBT驅(qū)動(dòng)。其最高頻率也達(dá)40KHz,采用雙電源供電(+15V和-15V)輸出電流峰值為±2A,M57959L有以下特點(diǎn):
(1)采用光耦實(shí)現(xiàn)電器隔離,光耦是快速型的,適合20KHz左右的高頻開(kāi)關(guān)運(yùn)行,光耦的原邊已串聯(lián)限流電阻,可將5V電壓直接加到輸入側(cè)。
(2)如果采用雙電源驅(qū)動(dòng)技術(shù),輸出負(fù)柵壓比較高,電源電壓的極限值為+18V/-15V,一般取+15V/-10V.
(3)信號(hào)傳輸延遲時(shí)間短,低電平-高電平的傳輸延時(shí)以及高電平-低電平的傳輸延時(shí)時(shí)間都在1.5μs以下。
(4)具有過(guò)流保護(hù)功能。M57962L通過(guò)檢測(cè)IGBT的飽和壓降來(lái)判斷IGBT是否過(guò)流,一旦過(guò)流,M57962L就會(huì)將對(duì)IGBT實(shí)施軟關(guān)斷,并輸出過(guò)流故障信號(hào)。
(5)M57959的內(nèi)部結(jié)構(gòu)如圖所示,這一電路的驅(qū)動(dòng)部分與EXB系列相仿,但是過(guò)流保護(hù)方面有所不同。過(guò)流檢測(cè)仍采用電壓采樣,電路特點(diǎn)是采用柵壓緩降,實(shí)現(xiàn)IGBT軟關(guān)斷避免了關(guān)斷中過(guò)電壓和大電流沖擊;另外,在關(guān)斷過(guò)程中,輸入控制信號(hào)的狀態(tài)失去作用,既保護(hù)關(guān)斷是在封閉狀態(tài)中完成的。當(dāng)保護(hù)開(kāi)始時(shí),立即送出故障信號(hào),目的是切斷控制信號(hào),包括電路中其它有源器件。
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