0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

氮化鎵元件對于5G基地臺需求加持,穩(wěn)懋?dāng)[脫貿(mào)易戰(zhàn)陰霾

聯(lián)發(fā)科技 ? 來源:YXQ ? 2019-08-15 14:51 ? 次閱讀

砷化鎵(GaAs)及氮化鎵(GaN)晶圓代工龍頭穩(wěn)懋公告2019年第二季營收情形,營收金額來到1.41億美元。第二季營收相較于第一季成長20.2%,而年增(減)率情形持續(xù)受到中美貿(mào)易摩擦影響,小幅衰退6.9%;然而該事件影響幅度已有逐漸趨緩跡象,預(yù)估2019年第三季營收可望優(yōu)于第二季表現(xiàn),對比第二季營收有機會再成長30%左右。

5G通訊設(shè)備及基地臺需求帶動下,穩(wěn)懋營收已較2019年第一季明顯回升

由于受到中美貿(mào)易戰(zhàn)拖累影響,砷化鎵及氮化鎵晶圓代工龍頭大廠穩(wěn)懋營收自2018年第三季開始明顯遭遇到波及,相較2017年同期逐步出現(xiàn)衰退9.2%,甚至2018年第四季及2019年第一季相比于同期,下滑幅度更為顯著,分別為-25.8%與-23.3%。

在全球大環(huán)境充滿不確定及消費性商品需求疲軟之際,2019年第二季,穩(wěn)懋受惠于5G在通訊相關(guān)設(shè)備與基地臺設(shè)備部分營收相對抗跌,甚至出現(xiàn)逆勢成長。

GaN元件對于5G基地臺需求加持,穩(wěn)懋將逐漸擺脫中美貿(mào)易戰(zhàn)陰霾

憑借5G基礎(chǔ)建設(shè)發(fā)展,基地臺相關(guān)設(shè)備中的功率放大器(Power Amplifier,PA)逐漸受到關(guān)注。由于基地臺訊號傳遞距離及使用功率考量,相較于手機使用的PA元件(GaAs pHEMT)有所不同,基地臺PA元件更需轉(zhuǎn)換為可使用在更高頻、大功率之GaN HEMT元件為主,藉此提升基地臺設(shè)備之效能與耐用度。

若進一步分析GaN on Si元件之基地臺設(shè)備產(chǎn)業(yè)鏈(如下圖所示),主要以Si基板供應(yīng)商、GaN磊晶廠、制造代工廠與封測代工廠等為主,其中GaN制造代工廠的制程質(zhì)量,將決定PA等基地臺設(shè)備元件的功能表現(xiàn)。

由穩(wěn)懋營收情形可知,基地臺設(shè)備部分一直以來對于整體營收占比愈趨顯著,從原先2017年第四季的低點12%,逐漸成長至2019年第二季29%。

再以整體營收來看,可發(fā)現(xiàn)隨著時間季度推進,穩(wěn)懋基地臺設(shè)備產(chǎn)值更有逐季提升趨勢,甚至2019年第二季已達到高點4千1百萬美元,推升該季營收表現(xiàn),因此雖受中美貿(mào)易戰(zhàn)影響,但現(xiàn)階段5G通訊設(shè)備發(fā)展與布局仍持續(xù)進行中,對于穩(wěn)懋GaN元件于基地臺設(shè)備的使用與建置上,其營收方面將逐漸擺脫中美摩擦陰霾。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • GaN
    GaN
    +關(guān)注

    關(guān)注

    19

    文章

    1947

    瀏覽量

    73685
  • 5G
    5G
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1355

    文章

    48479

    瀏覽量

    564806

原文標(biāo)題:分享圖片

文章出處:【微信號:mtk1997,微信公眾號:聯(lián)發(fā)科技】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏

    評論

    相關(guān)推薦

    英諾賽科香港上市,國內(nèi)氮化半導(dǎo)體第一股誕生

    專注于第三代半導(dǎo)體氮化研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè),自成立以來,始終致力于推動氮化技術(shù)的創(chuàng)新與應(yīng)用。公司擁有全球最大的氮化
    的頭像 發(fā)表于 01-02 14:36 ?161次閱讀

    羅姆、積電就車載氮化 GaN 功率器件達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

    12 月 12 日消息,日本半導(dǎo)體制造商羅姆 ROHM 當(dāng)?shù)貢r間本月 10 日宣布同臺積電就車載氮化 GaN 功率器件的開發(fā)和量產(chǎn)事宜建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。 羅姆此前已于 2023 年采用積電
    的頭像 發(fā)表于 12-12 18:43 ?818次閱讀
    羅姆、<b class='flag-5'>臺</b>積電就車載<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b> GaN 功率器件達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

    羅姆與積公司攜手合作開發(fā)車載氮化功率器件

    ”)正式建立了戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,共同致力于車載氮化功率器件的開發(fā)與量產(chǎn)。 此次合作,雙方將充分利用各自的技術(shù)優(yōu)勢。羅姆將貢獻其卓越的氮化器件開發(fā)技術(shù),而
    的頭像 發(fā)表于 12-10 17:24 ?407次閱讀

    合作案例 | 一文解開遠山氮化功率器件耐高壓的秘密

    引言氮化(GaN),作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢盡顯,在
    的頭像 發(fā)表于 11-12 15:58 ?393次閱讀
    合作案例 | 一文解開遠山<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率器件耐高壓的秘密

    遠山半導(dǎo)體氮化功率器件的耐高壓測試

    氮化(GaN),作為一種具有獨特物理和化學(xué)性質(zhì)的半導(dǎo)體材料,近年來在電子領(lǐng)域大放異彩,其制成的氮化功率芯片在功率轉(zhuǎn)換效率、開關(guān)速度及耐高溫等方面優(yōu)勢盡顯,在
    的頭像 發(fā)表于 10-29 16:23 ?441次閱讀
    遠山半導(dǎo)體<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>功率器件的耐高壓測試

    日本羅姆半導(dǎo)體加強與積電氮化合作,代工趨勢顯現(xiàn)

    近日,日本功率器件大廠羅姆半導(dǎo)體(ROHM)宣布,將在氮化功率半導(dǎo)體領(lǐng)域深化與積電的合作,其氮化產(chǎn)品將全面交由
    的頭像 發(fā)表于 10-29 11:03 ?516次閱讀

    氮化和砷化哪個先進

    景和技術(shù)需求。 氮化(GaN)的優(yōu)勢 高頻與高效率 :氮化具有高電子遷移率和低電阻率,使得它在高頻和高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。例如,在
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:37 ?2820次閱讀

    氮化和碳化硅哪個有優(yōu)勢

    的電子遷移率和較低的損耗,使其在高頻應(yīng)用方面表現(xiàn)出色。這使得氮化成為制造微波器件、功率放大器以及射頻IC等高頻電子設(shè)備的理想材料。 氮化5G
    的頭像 發(fā)表于 09-02 11:26 ?1775次閱讀

    5G通信基站的能效先鋒 |仁MOSFET在通信基站電源領(lǐng)域的應(yīng)用

    在移動通信基站電源領(lǐng)域,仁電子以其卓越的高壓SJCOOLMOS和中低壓TrenchMOS產(chǎn)品技術(shù),為市場提供了高效能、低損耗的解決方案。隨著5G技術(shù)的快速發(fā)展和基站建設(shè)的不斷擴大,對于高性能
    的頭像 發(fā)表于 08-30 09:57 ?601次閱讀
    <b class='flag-5'>5G</b>通信基站的能效先鋒 |仁<b class='flag-5'>懋</b>MOSFET在通信基站電源領(lǐng)域的應(yīng)用

    芯干線科技CEO說氮化

    氮化是一種由氮和結(jié)合而來的化合物,其中氮在元素周期表排序第7位,排序第31位,7月31日世界氮化
    的頭像 發(fā)表于 08-21 10:03 ?619次閱讀

    氮化(GaN)的最新技術(shù)進展

    本文要點氮化是一種晶體半導(dǎo)體,能夠承受更高的電壓。氮化器件的開關(guān)速度更快、熱導(dǎo)率更高、導(dǎo)通電阻更低且擊穿強度更高。氮化
    的頭像 發(fā)表于 07-06 08:13 ?946次閱讀
    <b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>(GaN)的最新技術(shù)進展

    請問mx880 5G數(shù)據(jù)終端可以設(shè)置優(yōu)先5G網(wǎng)絡(luò)嗎?

    固件版本固件版本5G_DTU master 1.2.5 當(dāng)?shù)?b class='flag-5'>5G網(wǎng)絡(luò)夜里會關(guān)閉, 設(shè)置lte?nr 或者nul?nr,夜里自動跳轉(zhuǎn)4G 網(wǎng)絡(luò), 白天有5G 網(wǎng)絡(luò)時候不能自動切回來,得手
    發(fā)表于 06-04 06:25

    高性能 AC-DC 氮化電源管理芯片DK036G數(shù)據(jù)手冊

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高性能 AC-DC 氮化電源管理芯片DK036G數(shù)據(jù)手冊.pdf》資料免費下載
    發(fā)表于 05-23 17:23 ?4次下載

    AI的盡頭或是氮化?2024年多家廠商氮化產(chǎn)品亮相,1200V高壓沖進市場

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/劉靜)氮化是最新的第三代半導(dǎo)體材料,最早是在1932年由W.C.Johnson等人首次合成,2019年開啟在快充領(lǐng)域大規(guī)模商用。經(jīng)過五六年的培育,氮化的應(yīng)用領(lǐng)
    的頭像 發(fā)表于 03-28 09:06 ?3081次閱讀
    AI的盡頭或是<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>?2024年多家廠商<b class='flag-5'>氮化</b><b class='flag-5'>鎵</b>產(chǎn)品亮相,1200V高壓沖進市場

    求助,請問半橋上管氮化這樣的開爾文連接正確嗎?

    請問半橋上管氮化這樣的開爾文連接正確嗎?
    發(fā)表于 01-11 07:23