根據(jù)外媒Tom“s Hardware的報(bào)道, GlobalFoundries (格羅方德)本周宣布,已經(jīng)使用其12nm FinFET工藝成功制成了高性能的3D Arm芯片。
格羅方德表示:“這些高密度的3D芯片將為計(jì)算應(yīng)用,如AI/ML(人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí))以及高端消費(fèi)級(jí)移動(dòng)和無(wú)線解決方案,帶來(lái)新的性能和能源效率?!?/p>
據(jù)報(bào)道,格羅方德和Arm這兩家公司已經(jīng)驗(yàn)證了3D設(shè)計(jì)測(cè)試(DFT)方法,使用的是格羅方德的混合晶圓對(duì)晶圓鍵合。這項(xiàng)技術(shù)每平方毫米可支持多達(dá)100萬(wàn)個(gè)3D連接,使其具有高度可擴(kuò)展性,并有望為12nm 3D芯片提供更長(zhǎng)的使用壽命。
對(duì)于3D封裝技術(shù),英特爾去年宣布了其對(duì)3D芯片堆疊的研究,AMD也談到了在其芯片上疊加3D DRAM和SRAM的方案。
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