TL431可編程并聯(lián)穩(wěn)壓器的高功率模擬電路簡(jiǎn)介

圖1中的電路是流行的TL431可編程并聯(lián)穩(wěn)壓器的高功率模擬。當(dāng)P溝道FET的漏極接地時(shí)，這種雙端電路非常方便，因?yàn)樗恍枰c接地散熱器隔離。

圖1基于TL431的并聯(lián)穩(wěn)壓器或限幅器

然而，沒(méi)有TL431的鏡像模擬器，所以當(dāng)你有一個(gè)正極接地時(shí)，你需要在漏極和接地散熱器之間進(jìn)行隔離，降低冷卻性能。

圖2中提出的設(shè)計(jì)理念允許使用更低的 - 在接地散熱器上使用N溝道MOSFET。它還可以承受比圖1更低的輸入電壓值。

圖2基于TL431的并聯(lián)穩(wěn)壓器或使用N溝道MOSFET的限幅器

該電路可用作高功耗的可調(diào)鉗位，具有精確的電平控制和非常敏銳的回應(yīng)。如果需要，鎮(zhèn)流電阻R b 可以用保險(xiǎn)絲代替。 響應(yīng)時(shí)間不如Transil/Transzorb類(lèi)型的部件快，但對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用來(lái)說(shuō)，幾微秒就足夠了。

該電路也可用作高電流分流器監(jiān)管機(jī)構(gòu)雖然有穩(wěn)定性警告。電路穩(wěn)定，負(fù)載電容低于約1nF或高于約200μF。

電路可以輕松擴(kuò)展：只需選擇具有合適漏極電流的FET。已使用75A HUF75652G3和85A IRF1010N。

如果出現(xiàn)以下情況，則可省略齊納二極管D2：

V G（max）> E O ×R5/（R4 + R5）

使用與TL431相同的表達(dá)式計(jì)算鉗位電壓：

E O = V REF （1 + R1/R2）（V REF = 2.5V）

絕對(duì)最大額定值也與TL431相同，當(dāng)然除了當(dāng)前。最小輸入電壓比單獨(dú)的TL431高約0.8V。