半導體和集成電路 16k RAM在起跑線上排隊

1976年上半年讓我們對微處理器有所了解：新設備的匆忙放緩，讓我們可以檢查已經(jīng)淘汰的大量產(chǎn)品。最熱門的發(fā)展轉(zhuǎn)變?yōu)棣蘌外圍電路和存儲器。在記憶中，至少，只有產(chǎn)品本身是新的。雖然非常復雜，但大型新內(nèi)存產(chǎn)品的運行方式與其前代產(chǎn)品非常相似。

今年最重要的新產(chǎn)品肯定是16k動態(tài)讀/寫內(nèi)存。這是設計師真正想要的部分。備受爭議的4k只是邁向了一步，而下一步到64k可能需要新技術(shù)。

英特爾首次推出其2116，但德州儀器（TMS4070）和Mostek（MK4116）緊隨其后。每個人都希望16k的兼容性能比4k的更兼容，采用22引腳，18引腳和16引腳配置。供應商之間的技術(shù)協(xié)議表明了這一點，盡管已經(jīng)出現(xiàn)了一些變化。

前16k的16引腳布局似乎肯定是最受歡迎的，但輸出鎖存存在爭議。開發(fā)出第一個16引腳4k的Mostek已經(jīng)放棄了MK4096中引入的鎖存器，而英特爾則堅持使用鎖存器。英特爾部分肯定會為大型機應用設定標準，它是一款采用新電路和處理技術(shù)實現(xiàn)高密度的16引腳器件;它只需要兩倍于英特爾4k RAM的芯片面積。

許多開發(fā)項目使更大的存儲空間變得實用。首先是從p通道技術(shù)到n通道的轉(zhuǎn)變，在從1k到4k的早期階段完成。 N通道電路可以更小，也更快。選擇性隔離，取代厚氧化物隔離，可以節(jié)省大量的尺寸。

聰明的電路設計將動態(tài)電池器件從每比特3個減少到1加電容器，以及最新技術(shù)，雙層多晶硅，通過將電容器放置在單個晶體管下方進一步減小尺寸。然而，TI避開多晶硅，但仍然只有比英特爾大約20％的電池。

樣品16k已經(jīng)被一些關(guān)鍵用戶評估，預計不久將大大增加采樣。雖然今年晚些時候并沒有真正預計真正的產(chǎn)量，但情況應該比4k更加有序，因為供應商不必為早期部件的工具做出大規(guī)模的改變。然而，我們應該補充一點，4k仍然沒有它們可用的那么多，所以很多用戶不愿意過快地加入16k的潮流。

靜態(tài)4k在μP系統(tǒng)中閃耀

動態(tài)16k內(nèi)存，大型機計算機內(nèi)存的答案，并不適合大多數(shù)微處理器和小型系統(tǒng)應用。 16k×1組織和動態(tài)刷新電路都需要在較小的系統(tǒng)中減輕16k。真正激發(fā)μP用戶的部分是新的靜態(tài)4k。

電子記憶'SEMI集團擁有高性能（150納秒）靜態(tài)4k RAM（4402B），主流產(chǎn)品由Advanced Micro Devices（9130/9140）和英特爾（2114）推出，緊隨其后。不幸的是，這些部件不兼容，但第二個來源正在為另一個半導體磨損排隊。

存儲器中的“睡眠者”是電荷耦合器件。在MOS RAM的大量數(shù)據(jù)中相對未被注意，CCD正在迅速取代機電存儲器。 CCD雖然比較慢，但比MOS要簡單得多。他們似乎確保每個芯片的存儲容量比MOS高四倍，成本只有四分之一。標準CCD現(xiàn)在是16k，已經(jīng)制造了64k。

快速RAM有MOS和雙極

大多數(shù)內(nèi)存應用程序不要求超高速，但緩存便箋式存儲器需要。直到最近，這個應用程序需要雙極存儲器。然而，許多同樣由英特爾公司領導的公司已經(jīng)推出了70納秒的1k MOS部件，這些部件似乎滿足了許多要求。技術(shù)的逐步發(fā)展使速度成為可能。在光刻中獲得的顯著增益允許更精細和更精細的幾何形狀，并且在離子注入中獲得的增益可以更好地控制摻雜。雖然雙極部件仍然是最快的時間，但MOS和雙極技術(shù)似乎正處于速度的碰撞過程中。

說到兩極，去年的黃金技術(shù)，我 2 L，似乎已經(jīng)失去了一點光芒。許多行業(yè)觀察家和專家已經(jīng)得出結(jié)論，盡管在許多應用方面表現(xiàn)優(yōu)異，但它不太可能為MOS提供廣泛的威脅。似乎沒有。

然而，并非所有人都認為我 2 L是如此有限。飛兆半導體，德州儀器和Signetics正在努力推進存儲器和邏輯應用，包括微處理器。只有時間才能證明我是否可以克服其障礙：發(fā)展不成熟與MOS相比，與最佳形式的標準雙極電路不兼容，除了高功率外，速度相對較慢。

消費者，通信竊取聚光燈

如果我 2 目前還不清楚L'對計算機存儲器和邏輯的貢獻，它在許多其他應用中的承諾似乎得到了保證。其中最主要的是消費和通信電路，特別是那些結(jié)合了線性和數(shù)字電路的電路。

新的消費者和通信應用程序當然不是嚴格意義上的。 2 L領域。用于這些市場的大多數(shù)設備正在使用更傳統(tǒng)的電路和處理技術(shù)進行開發(fā)。然而，這些應用領域正受到IC公司的極大關(guān)注。

這并不意味著新產(chǎn)品不是為傳統(tǒng)市場開發(fā)的，正如我們的產(chǎn)品展示所說明的那樣。這半年推出的新產(chǎn)品中的主要產(chǎn)品是簡化和削減微處理器系統(tǒng)成本的電路。 8080A的8位n通道微處理器雪橇已經(jīng)鞏固了對設計師的關(guān)注，因為今年很少有新的參賽作品出現(xiàn)。除了Zilog Z-80，一個大致基于8080的高級開發(fā)，最有趣的性能導向處理器是摩托羅拉MC10800，第一個ECL微處理器（或更正確，4位切片）。與低功耗肖特基TTL片（2900,74S481,5700,3000系列）一樣，MC10800可能會更多地用作現(xiàn)有高性能SSI/MSI功能的下一代替代品，而不是新類別的應用MOS微處理器開放。

新MOS微處理器本身的最大活動是在最小芯片，數(shù)量，低成本領域。在這里，國家SC/MP，Rockwell PPS 4/1和電子陣列EA9002展開競爭。您可以期待在1976年剩余時間內(nèi)推出更多的最小封裝微型計算機。

外設/接口芯片中的更多操作

雖然微處理器芯片本身相當安靜，但對于外圍設備和接口電路來說卻是如此。設計師的興趣從簡單地理解和應用CPU轉(zhuǎn)移到使系統(tǒng)工作所需的所有其他事物?，F(xiàn)在出現(xiàn)的各種外圍控制器，接口，通信設備，時鐘，定時器和其他產(chǎn)品消除了系統(tǒng)設計中的大部分繁瑣工作 - 以及大量的成本和成本。

許多新的微處理器接口電路位于線性到數(shù)字轉(zhuǎn)換的模糊區(qū)域。單片A/D和D/A轉(zhuǎn)換器的設計和開發(fā)活動處于歷史最高水平。正如人們經(jīng)常指出的那樣，現(xiàn)實世界不是數(shù)字化的;大多數(shù)人類和物理現(xiàn)象表現(xiàn)出逐漸變化，而不是簡單的開關(guān)反應。因此，數(shù)字微處理器系統(tǒng)的模擬接口肯定會變得越來越重要。

具有諷刺意味的是，大多數(shù)物理現(xiàn)象也不是線性的，而是對數(shù)的。 Precision Monolithics公司新推出的COMDAC“壓擴”D/A轉(zhuǎn)換器是有望將物理現(xiàn)象與數(shù)字系統(tǒng)更好匹配的新型產(chǎn)品中的第一款。

除數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換產(chǎn)品外，大多數(shù)被認為是線性IC的發(fā)展已經(jīng)成為低成本，可調(diào)節(jié)的3端和4端穩(wěn)壓器以及FET/雙極組合產(chǎn)品的多種器件。

雖然傳統(tǒng)邏輯領域出現(xiàn)的產(chǎn)品相對較少，但一項開發(fā)肯定會簡化CMOS邏輯的應用：業(yè)界領先的公司已就緩沖4000B系列CMOS的標準規(guī)范達成一致。

那么，這個二百周年的上半年，其特點是進化而非革命。大多數(shù)新產(chǎn)品都是從早期的產(chǎn)品中自然開發(fā)出來的，幸好降低了對設計師的要求，仍然試圖消化微處理器的含義。

對明智的設計師說一句話：一些最重要和最有趣的新產(chǎn)品產(chǎn)品還沒有真正到來，但現(xiàn)在正在宣布，所以你可以計劃你未來的產(chǎn)品。當然，他們也很早就被引入，以給予制造商在激烈的半導體市場叢林中首次公告所帶來的競爭優(yōu)勢。因此，如果您想使用最新的IC，請與供應商保持密切聯(lián)系以避免災難。