三星稱在GAA技術(shù)領(lǐng)先臺(tái)積電一年 更超前英特爾兩到三年

盡管日韓貿(mào)易沖突持續(xù)延燒，三星電子原定9月在日本東京的晶圓代工論壇將如期舉行。三星屆時(shí)預(yù)料將展示自家先進(jìn)制程技術(shù)，并提供用于生產(chǎn)3納米以下芯片，名為「環(huán)繞閘極」（GAA）技術(shù)的制程套件。三星據(jù)稱在GAA技術(shù)領(lǐng)先全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電一年，更超前英特爾（Intel）兩到三年。

南韓媒體BusinessKorea報(bào)導(dǎo)，三星28日宣布，2019年「三星晶圓代工論壇」（SFF）將如期于9月4日在東京舉行，且已于26日在網(wǎng)站上開始受理報(bào)名。在日韓貿(mào)易緊張不斷升高之際，業(yè)界正懷疑這場(chǎng)論壇能否如期在東京舉行，三星這項(xiàng)決定消弭了外界的疑慮。

產(chǎn)業(yè)專家分析，三星想要傳達(dá)的訊息是，盡管面臨日本的「斷貨」威脅，三星電子旗下的晶圓代工事業(yè)不受中斷。

報(bào)導(dǎo)指出，三星將展示自家奈米制程技術(shù)，并提供名為「環(huán)繞閘極」（GAA）技術(shù)的制程套件。GAA技術(shù)將用于3納米、甚至更精密的制程技術(shù)。

日本當(dāng)局在4日加強(qiáng)管制三項(xiàng)重要半導(dǎo)體原料的出口，其中，日制光刻膠為極紫外光（EUV）微影技術(shù)的關(guān)鍵材料，讓三星的晶圓代工部門首當(dāng)其沖，也削弱與臺(tái)積電在7納米芯片的競(jìng)逐能力。

EUV制程是三星欲在2030年于全球記憶體、無(wú)晶圓廠及晶圓代工業(yè)務(wù)穩(wěn)坐龍頭寶座的關(guān)鍵。在EUV制程與臺(tái)積電旗鼓相當(dāng)?shù)娜请娮?，正快馬加鞭量產(chǎn)7納米芯片，盼能借提前進(jìn)度超車臺(tái)積電。但日本本周非?？赡馨涯享n踢出「白色名單」，三星的高科技原料進(jìn)口預(yù)料將更加受限。

三星預(yù)定未來(lái)幾個(gè)月完成位于華城的第一條EUV芯片產(chǎn)線，并計(jì)劃之后在京畿道平澤建設(shè)另一條EUV產(chǎn)線。如今，三星一名高階主管指出，「考量到當(dāng)前情況，我們必須考慮投資新EUV產(chǎn)線的時(shí)機(jī)」。

三星電子自5月開始陸續(xù)在美國(guó)、上海及首爾舉辦晶圓代工論壇，待9月論壇落幕后，下一場(chǎng)將論壇于10月在德國(guó)慕尼黑登場(chǎng)。

臺(tái)積電回應(yīng)： 有信心維持領(lǐng)先

面對(duì)三星積極沖刺晶圓代工，并企圖在3 納米制程超車臺(tái)積電，臺(tái)積電發(fā)言系統(tǒng)表示，不對(duì)競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的技術(shù)發(fā)展做任何評(píng)論，并強(qiáng)調(diào)絕有信心在7納米、5納米，甚至3納米制程持續(xù)維持全球領(lǐng)先地位。

臺(tái)積電供應(yīng)鏈分析，臺(tái)積電在制程推進(jìn)深思熟慮，且有雄厚客戶群為后盾，讓臺(tái)積電每推出一項(xiàng)先進(jìn)制程，絕對(duì)滿足客戶的性價(jià)比，且不與客戶競(jìng)爭(zhēng)，是領(lǐng)先群雄的最大利基。

臺(tái)積電目前的7納米電晶體的密度，已非三星能匹敵，臺(tái)積電遙遙領(lǐng)先三星后，再導(dǎo)入更先進(jìn)的5納米制程，雖然三星急于想在3納米切入GAA電晶體設(shè)計(jì)架構(gòu)，認(rèn)為要用更先進(jìn)的技術(shù)，搶食臺(tái)積電現(xiàn)有客戶，但進(jìn)入5納米后的光罩費(fèi)用極為昂貴，更遑論3納米制程。

三星雖然在記憶體一直保持領(lǐng)先地位，因此也想復(fù)制記憶體成功模式，在晶圓代工挑戰(zhàn)臺(tái)積電地位。