0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線(xiàn)課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

關(guān)于EUV機(jī)臺(tái)的性能分析和應(yīng)用介紹

lC49_半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:djl ? 2019-09-04 16:56 ? 次閱讀

三星有意一口氣買(mǎi)下10臺(tái)單價(jià)為1.76億美元的EUV。三星如果真的這樣做,那就會(huì)提升其在7nm等先進(jìn)工藝上的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。這一方面是由于EUV設(shè)備是未來(lái)集成電路發(fā)展的關(guān)鍵,另一方面則在于三星如果真能買(mǎi)下10臺(tái),那么臺(tái)積電、Intel和格芯等廠商則會(huì)面臨幾乎未來(lái)一年內(nèi)無(wú)EUV設(shè)備可買(mǎi)的風(fēng)險(xiǎn)。

因?yàn)楦鶕?jù)EUV設(shè)備唯一供應(yīng)商——荷蘭ASML的消息顯示,他們每年大概能生產(chǎn)12臺(tái)EUV設(shè)備??紤]到三星之前已經(jīng)快對(duì)手一步購(gòu)入了一些EUV設(shè)備,使得韓媒做出了這樣的猜測(cè)。但三星的計(jì)劃真的得逞嗎?

關(guān)于EUV機(jī)臺(tái)的性能分析和應(yīng)用介紹

巨頭們的EUV布局,未來(lái)勝負(fù)的關(guān)鍵

在摩爾定律的指導(dǎo)下,經(jīng)歷數(shù)十年發(fā)展的集成電路開(kāi)始面臨瓶頸:工藝制程進(jìn)入10nm之后,過(guò)往的可見(jiàn)光光刻技術(shù)似乎不能應(yīng)對(duì)如此小的溝通,因此業(yè)界將目光投向了EUV(極紫外光)光刻。

利用這種波長(zhǎng)為13.4nm的光源打造的EUV光刻設(shè)備能夠在晶圓上刻上先進(jìn)工藝所需的電路。于是包括臺(tái)積電、三星、Intel和格芯在內(nèi)的幾大先進(jìn)晶圓代工廠都將目光投向了這個(gè)設(shè)備,并說(shuō)出了他們?cè)贓UV光刻機(jī)上的布局和規(guī)劃:

首先在臺(tái)積電方面,雖然臺(tái)積電他們透露已經(jīng)在7nm研發(fā)上使用了7nm工藝,并實(shí)現(xiàn)了EUV掃描機(jī)、光罩和印刷的集成。但根據(jù)臺(tái)積電聯(lián)席CEO 劉德銀在2016年的某會(huì)議上的演講透露,臺(tái)積電方面認(rèn)為EUV光刻工藝直到2020年才能有效量產(chǎn)。按照臺(tái)積電的路線(xiàn)圖,也就就是說(shuō),臺(tái)積電會(huì)在5nm上采用EUV工藝取代現(xiàn)在的傳統(tǒng)光刻。已達(dá)到在新工藝上提高密度,簡(jiǎn)化工藝并降低成本的目的。

來(lái)到三星這邊似乎則更為激進(jìn)。在之前的報(bào)道中我們看到,三星計(jì)劃在7nm制程中采用EUV光刻。在ASML與今年7月的半導(dǎo)體設(shè)備站上宣布突破了250瓦EUV光源的瓶頸后(光源功率(source power)──也就是傳送到掃描機(jī)以實(shí)現(xiàn)晶圓曝光的EUV光子(photon)數(shù)量之量測(cè)值──直接等同于生產(chǎn)力,芯片制造商一直以來(lái)都堅(jiān)持250瓦的光源功率是達(dá)成每小時(shí)125片晶圓(WPH)生產(chǎn)量的必要條件,即production-ready。),三星宣布將會(huì)在2018年推出使用EUV等先進(jìn)制造技術(shù)的7nm新工藝。

來(lái)到Intel方面,作為制造巨頭,英特爾在先進(jìn)制程方面的引進(jìn)相當(dāng)克制。在早前的制程大會(huì)上,在問(wèn)到EUV的布局上面,英特爾方面表示,從他們方面看來(lái),EUV光刻的產(chǎn)能和配套服務(wù),目前還不能符合量產(chǎn)需求,因此他們會(huì)保持對(duì)新設(shè)備的關(guān)注,在適合的時(shí)候會(huì)進(jìn)行公布。

來(lái)到格芯方面,在今年六月份,格芯公布了他們的7nm進(jìn)度,根據(jù)他們的Roadmap,他們將會(huì)在2018年進(jìn)入7nm,但是這時(shí)候用的是DUV技術(shù),根據(jù)他們的布局,會(huì)在2019年引入EUV技術(shù)。

三星真能壟斷EUV光刻機(jī)?

BusinessKorea的報(bào)道顯示,ASML從2000年開(kāi)始就投入了EUV光刻的研究。在研發(fā)早期,三星和Intel就對(duì)ASML提供了極大的支持。

在2012年8月,三星宣布加入了ASML的客戶(hù)聯(lián)合投資計(jì)劃。根據(jù)協(xié)議規(guī)定,三星承諾在未來(lái)五年內(nèi)(從2012年算起),向ASML的次時(shí)代微影技術(shù)投入2.76億歐元,占整個(gè)項(xiàng)目13.8億歐元籌款目標(biāo)的15%。與此同時(shí)三星向ASML投資了5.03億歐元,取得ASML約3%股權(quán)。

但到了2016年,三星宣布出售價(jià)值約6.06億歐元的ASML股權(quán),這占了當(dāng)時(shí)ASML整體股權(quán)的1.45%。也就是說(shuō)三星手上的ASML股權(quán)大約剩下1.55%。

英特爾方面也加入了三星的客戶(hù)聯(lián)合投資計(jì)劃,根據(jù)當(dāng)時(shí)的報(bào)道,Intel參與ASML的計(jì)劃分為兩期,第一期目標(biāo)為Intel投資5.53億歐元(6.8億美元)協(xié)助ASML開(kāi)發(fā)18英寸晶圓制造工具,同時(shí)Intel將以17億歐元(21億美元)的代價(jià)收購(gòu)ASML公司大約10%的盤(pán)前交易已發(fā)行股票。

第二期目標(biāo)還要等ASML股東批準(zhǔn),它包括額外的2.76億歐元(3.4億美元)的有關(guān)EUV技術(shù)的R&D研發(fā)資金,以及價(jià)值8.38億歐元(10億美元)的5%盤(pán)后交易已發(fā)行股票。屆時(shí)Intel將持有ASML 15%股份,整個(gè)產(chǎn)權(quán)交易價(jià)值約為25億歐元(31億美元)。

作為協(xié)議的一部分,Intel需要提前購(gòu)買(mǎi)ASML的450mm晶圓及EUV開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)工具。

臺(tái)積電方面也同時(shí)參與。當(dāng)時(shí)消息顯示,臺(tái)積電將以8.38億歐元購(gòu)買(mǎi)ASML的5%股權(quán),并同意在下一代光刻技術(shù)如超紫外技術(shù)和450毫米光刻設(shè)備的研發(fā)上向ASML投資2.76億歐元。不過(guò)臺(tái)積電在2015年全部處理了ASML 股權(quán),獲利6.95 億美元。

至于格芯方面,從公開(kāi)信息查找,似乎他們并沒(méi)有參與這個(gè)計(jì)劃。

如果光從股權(quán)上看,則是Intel、三星、臺(tái)積電三者按照從先到后,如果這些股份占有董事會(huì)的決策權(quán)的話(huà),那么Intel在ASML中的話(huà)事權(quán)似乎更大,三星想一下子包攬所有的EUV設(shè)備,是否會(huì)獲得來(lái)自Intel等的阻撓,這未能盡知。

這些基于股權(quán)話(huà)事的說(shuō)法是來(lái)自作者的猜測(cè),不過(guò)按照常理,Intel和三星等投入到ASML的計(jì)劃和股份中,除了推動(dòng)EUV的進(jìn)展,共同受益外,在未來(lái)競(jìng)購(gòu)中處于領(lǐng)先地位,應(yīng)該也是他們前赴后繼投入的一個(gè)重要原因。

當(dāng)然,至于隱藏在后面的具體細(xì)則,作者未能得知,希望有知情者透露。

我們不妨從EUV之前的購(gòu)買(mǎi)狀況來(lái)分析一下。

根據(jù)ASML的公開(kāi)信息顯示, 2016年第四季度賣(mài)掉了6臺(tái)EUV光刻機(jī),而根據(jù)分析師透露,當(dāng)中的五臺(tái)都是賣(mài)給了臺(tái)積電。

三星方面無(wú)疑是最大買(mǎi)主,據(jù)相關(guān)消息透露,他們已經(jīng)購(gòu)入了超過(guò)十臺(tái)的EUV設(shè)備,并將其裝設(shè)于韓國(guó)華城市的18號(hào)生產(chǎn)線(xiàn)(Line 18)全力搶占晶圓代工版圖。

至于英特爾方面,和他們的EUV規(guī)劃一樣,沒(méi)有消息透露他們買(mǎi)了多少臺(tái)設(shè)備,但在2015年,有消息泄露有美商一口氣買(mǎi)了好幾臺(tái)EUV光刻機(jī)。有人就猜測(cè)那是Intel。

至于格芯方面的具體布局依然是沒(méi)有消息源可尋。

正如開(kāi)頭所說(shuō),ASML今年的EUV產(chǎn)能是12臺(tái),全部銷(xiāo)售一空,但他們?cè)诿髂陼?huì)將產(chǎn)能提升到24臺(tái)。但根據(jù)ASML在7月發(fā)布的報(bào)告顯示,他們擠壓的EUV訂單已經(jīng)達(dá)到了21臺(tái)??紤]到現(xiàn)在晶圓廠的競(jìng)爭(zhēng)情況,未來(lái)的競(jìng)爭(zhēng)肯定會(huì)加劇的。

綜上所述,三星想一口氣買(mǎi)下所有的EUV光刻機(jī),也許只是一個(gè)大膽的設(shè)想。不過(guò)考慮三星之前斥巨資壟斷了OLED生產(chǎn)關(guān)鍵設(shè)備供應(yīng)商CanonTokki多年的產(chǎn)能,可以看出三星再次做出這種事也有很大可能。通過(guò)內(nèi)存瘋長(zhǎng)掙得盤(pán)滿(mǎn)缽滿(mǎn)的韓國(guó)巨頭現(xiàn)在真可謂是財(cái)大氣粗,況且對(duì)ASML來(lái)說(shuō),Business is business,和誰(shuí)不是做生意呢?

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 臺(tái)積電
    +關(guān)注

    關(guān)注

    44

    文章

    5652

    瀏覽量

    166680
  • 晶圓
    +關(guān)注

    關(guān)注

    52

    文章

    4936

    瀏覽量

    128112
  • EUV
    EUV
    +關(guān)注

    關(guān)注

    8

    文章

    607

    瀏覽量

    86065
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    清洗EUV掩膜版面臨哪些挑戰(zhàn)

    本文簡(jiǎn)單介紹了極紫外光(EUV)掩膜版的相關(guān)知識(shí),包括其構(gòu)造與作用、清洗中的挑戰(zhàn)以及相關(guān)解決方案。
    的頭像 發(fā)表于 12-27 09:26 ?138次閱讀

    日本首臺(tái)EUV光刻機(jī)就位

    據(jù)日經(jīng)亞洲 12 月 19 日?qǐng)?bào)道,Rapidus 成為日本首家獲得極紫外 (EUV) 光刻設(shè)備的半導(dǎo)體公司,已經(jīng)開(kāi)始在北海道芯片制造廠內(nèi)安裝極紫外光刻系統(tǒng)。 它將分四個(gè)階段進(jìn)行安裝,設(shè)備安裝預(yù)計(jì)在
    的頭像 發(fā)表于 12-20 13:48 ?237次閱讀
    日本首臺(tái)<b class='flag-5'>EUV</b>光刻機(jī)就位

    FIB機(jī)臺(tái)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

    簡(jiǎn)單介紹FIB機(jī)臺(tái)的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。?? 首先,讓我們看一下FIB機(jī)臺(tái)的外觀圖 接下來(lái),我們將FIB從中線(xiàn)剖開(kāi),是下圖這個(gè)樣子: 什么是雙束聚焦離子束顯微鏡? 即同時(shí)具有電子束與離子束。 離子束(FIB
    的頭像 發(fā)表于 12-18 09:20 ?186次閱讀
    FIB<b class='flag-5'>機(jī)臺(tái)</b>的內(nèi)部結(jié)構(gòu)

    機(jī)臺(tái)架環(huán)境試驗(yàn)箱采購(gòu)指南

    在電機(jī)制造和研發(fā)領(lǐng)域,電機(jī)臺(tái)架環(huán)境試驗(yàn)箱是不可或缺的重要設(shè)備。它不僅能夠幫助工程師全面評(píng)估電機(jī)在不同環(huán)境下的性能表現(xiàn),還能為電機(jī)的設(shè)計(jì)優(yōu)化、質(zhì)量控制和故障診斷提供寶貴的數(shù)據(jù)支持。因此,選擇一款合適的電機(jī)臺(tái)架環(huán)境試驗(yàn)箱至關(guān)重要。本
    的頭像 發(fā)表于 12-13 09:42 ?239次閱讀
    電<b class='flag-5'>機(jī)臺(tái)</b>架環(huán)境試驗(yàn)箱采購(gòu)指南

    ASM推出全新PE2O8碳化硅外延機(jī)臺(tái)

    全新推出的PE2O8碳化硅外延機(jī)臺(tái)是對(duì)行業(yè)領(lǐng)先的ASM單晶片碳化硅外延機(jī)臺(tái)產(chǎn)品組合(包含適用于6英寸晶圓的 PE1O6 和適用于8英寸晶圓的 PE1O8)的進(jìn)一步增強(qiáng)。該機(jī)臺(tái)采用獨(dú)立雙腔設(shè)計(jì),兼容6
    發(fā)表于 10-17 14:21 ?174次閱讀
    ASM推出全新PE2O8碳化硅外延<b class='flag-5'>機(jī)臺(tái)</b>

    ASM推出全新PE2O8碳化硅外延機(jī)臺(tái)

    全新推出的PE2O8碳化硅外延機(jī)臺(tái)是對(duì)行業(yè)領(lǐng)先的ASM單晶片碳化硅外延機(jī)臺(tái)產(chǎn)品組合(包含適用于6英寸晶圓的 PE1O6 和適用于8英寸晶圓的 PE1O8)的進(jìn)一步增強(qiáng)。該機(jī)臺(tái)采用獨(dú)立雙腔設(shè)計(jì),兼容6
    發(fā)表于 10-17 14:11 ?388次閱讀
    ASM推出全新PE2O8碳化硅外延<b class='flag-5'>機(jī)臺(tái)</b>

    晶閘管與IGBT的性能分析

    晶閘管(Thyristor)與絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)作為電力電子領(lǐng)域中的關(guān)鍵器件,各自具有獨(dú)特的性能特點(diǎn)和應(yīng)用場(chǎng)景。以下是對(duì)兩者性能的詳細(xì)分析,內(nèi)容涵
    的頭像 發(fā)表于 08-27 14:09 ?1869次閱讀

    日本大學(xué)研發(fā)出新極紫外(EUV)光刻技術(shù)

    近日,日本沖繩科學(xué)技術(shù)大學(xué)院大學(xué)(OIST)發(fā)布了一項(xiàng)重大研究報(bào)告,宣布該校成功研發(fā)出一種突破性的極紫外(EUV)光刻技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)超越了當(dāng)前半導(dǎo)體制造業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)界限,其設(shè)計(jì)的光刻設(shè)備能夠采用更小巧的EUV光源,并且功耗僅為傳統(tǒng)EUV
    的頭像 發(fā)表于 08-03 12:45 ?1076次閱讀

    加速科技ST2500EX測(cè)試機(jī)臺(tái)再獲封測(cè)廠超千萬(wàn)訂單

    近日,加速科技自主研發(fā)的ST2500EX測(cè)試機(jī)臺(tái)再次斬獲測(cè)試廠超千萬(wàn)訂單! ST2500EX測(cè)試機(jī)臺(tái)以其卓越的性能和可靠的穩(wěn)定性備受市場(chǎng)認(rèn)可與青睞。作為加速科技的核心產(chǎn)品之一,性能成熟
    的頭像 發(fā)表于 07-23 09:48 ?326次閱讀
    加速科技ST2500EX測(cè)試<b class='flag-5'>機(jī)臺(tái)</b>再獲封測(cè)廠超千萬(wàn)訂單

    臺(tái)積電A16制程采用EUV光刻機(jī),2026年下半年量產(chǎn)

    據(jù)臺(tái)灣業(yè)內(nèi)人士透露,臺(tái)積電并未為A16制程配備高數(shù)值孔徑(High-NA)EUV光刻機(jī),而選擇利用現(xiàn)有的EUV光刻機(jī)進(jìn)行生產(chǎn)。相較之下,英特爾和三星則計(jì)劃在此階段使用最新的High-NA EUV光刻機(jī)。
    的頭像 發(fā)表于 05-17 17:21 ?1023次閱讀

    Bladed軟件介紹

    、氣候條件、渦輪機(jī)設(shè)計(jì)參數(shù)等因素,以預(yù)測(cè)風(fēng)力渦輪機(jī)在各種工作條件下的性能表現(xiàn)。通過(guò)分析這些參數(shù),Bladed能夠提供關(guān)于渦輪機(jī)性能、結(jié)構(gòu)強(qiáng)度和可靠性的定量和定性評(píng)估,幫助設(shè)計(jì)師和工程師
    發(fā)表于 03-03 21:36

    SAGE算法的性能分析

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SAGE算法的性能分析.pdf》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 02-28 10:38 ?0次下載

    安達(dá)發(fā)|APS生產(chǎn)排程的多機(jī)臺(tái)產(chǎn)線(xiàn)詳解

    在生產(chǎn)管理中,APS(高級(jí)計(jì)劃與排程)系統(tǒng)它可以幫助企業(yè)實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)過(guò)程的優(yōu)化和效率提升。特別是在多機(jī)臺(tái)產(chǎn)線(xiàn)的生產(chǎn)環(huán)境中,APS系統(tǒng)的作用更加明顯。本文將詳細(xì)解析APS生產(chǎn)排程的多機(jī)臺(tái)產(chǎn)線(xiàn),包括允許
    的頭像 發(fā)表于 02-21 16:07 ?468次閱讀
    安達(dá)發(fā)|APS生產(chǎn)排程的多<b class='flag-5'>機(jī)臺(tái)</b>產(chǎn)線(xiàn)詳解

    如何獲得高純度的EUV光源?EUVL光源濾波系統(tǒng)的主流技術(shù)方案分析

    目前,商用EUV光刻機(jī)采用激光等離子體型-極紫外(LPP-EUV)光源系統(tǒng),主要由驅(qū)動(dòng)激光器、液滴錫靶、收集鏡組成。
    的頭像 發(fā)表于 02-21 10:18 ?1238次閱讀
    如何獲得高純度的<b class='flag-5'>EUV</b>光源?EUVL光源濾波系統(tǒng)的主流技術(shù)方案<b class='flag-5'>分析</b>

    ASML為什么能在EUV領(lǐng)域獲勝?

    在討論ASML以及為何復(fù)制其技術(shù)如此具有挑戰(zhàn)性時(shí),分析通常集中在EUV機(jī)器的極端復(fù)雜性上,這歸因于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手復(fù)制它的難度。
    發(fā)表于 01-17 10:46 ?421次閱讀
    ASML為什么能在<b class='flag-5'>EUV</b>領(lǐng)域獲勝?