EMC概述和研究以及整改細(xì)節(jié)

一、EMC概述

1.EMC設(shè)計(jì)主要針對(duì)EMI+EMS，常見的EMI測試包括電源線的傳導(dǎo)騷擾（CE）和輻射發(fā)射（RE）測試，EMS測試包括：ESD、電源線的EFT、電源線的雷擊和浪涌測試、電源線的抗擾度測試;三要素是干擾源、耦合途徑、敏感器件；主要對(duì)策：疏（濾波、接地）和堵（屏蔽）

2.用高頻的視角看問題

3.所有信號(hào)都是從地流回去的

4.共模干擾與差模干擾：共模干擾往往是指同時(shí)加載在各個(gè)輸入信號(hào)接口段的共有的信號(hào)干擾。共模干擾是在信號(hào)線與地之間傳輸，屬于非對(duì)稱性干擾。共模干擾好比兩個(gè)人同時(shí)向前或者向后推你，于此相對(duì)的差模干擾則是一前一后在拉你。

二、EMC測試模型：

1.輻射發(fā)射測試：

一般都是先將水平和垂直做一遍測試，這時(shí)主要是測峰值，然后在針對(duì)峰值讀點(diǎn)，讀點(diǎn)測的是平均值，TUV等認(rèn)證時(shí)也是讀點(diǎn)；

2.傳導(dǎo)騷擾測試：

2.1需要的儀器：接收機(jī)、LISN網(wǎng)絡(luò)（三相、單相）、參考接地，一個(gè)重要的條件是一個(gè)2m*2m以上面積的參考地平面，并超出EUT邊界至少0.5m;一般在屏蔽室內(nèi)進(jìn)行，如下圖

2.2電源口傳導(dǎo)騷擾測試的拓?fù)鋱D如下,此時(shí)構(gòu)成了一個(gè)環(huán)路，成為了天線，此處應(yīng)注意電源線和接地線之間的面積，并且盡量將EUT的接地線接到LISN上，而不要就近接到參考地金屬板上（50R上產(chǎn)生的壓降就是所測量的共模傳導(dǎo)騷擾測試的結(jié)果）

3.靜電放電抗擾度測試：

Cs代表人體電容，Rd代表手握鑰匙或者其他金屬工具的人體電阻。

4. EFT(電快速瞬變脈沖群測試)

5.浪涌測試：包括電源線上的和信號(hào)線上的

5.1 電源線及信號(hào)線測試框圖如下：

5.2 電源線浪涌發(fā)生器及波形如下：

三、對(duì)策：

1.輻射：

輻射的泄露途徑：一種是設(shè)備內(nèi)部的電磁能量通過機(jī)箱的孔縫泄露；一種是設(shè)備的連接線充當(dāng)天線來發(fā)射

1.1機(jī)箱泄露：

1.1.1元件、IC、走線都可能成為輻射源，頻率越高越容易輻射；

1.1.2.機(jī)箱主要分為非屏蔽的塑料機(jī)箱和有屏蔽效果的金屬機(jī)箱或在內(nèi)部噴涂一層金屬的塑料機(jī)箱這兩種；非屏蔽機(jī)箱會(huì)直接將輻射泄露出去，屏蔽效果不好的話，屏蔽層上的孔縫也會(huì)成為天線

1.1.3. 對(duì)策：屏蔽層盡可能的完整，即使有孔縫，也要保證孔縫長度不足以成為設(shè)備內(nèi)最高頻率的天線（一般要求孔縫長度應(yīng)為：1＜λ／20(商用設(shè)備，屏蔽效能20dB)或1＜λ／50(軍用設(shè)備，屏蔽效能28dB)，λ為設(shè)備內(nèi)可能輻射的最高頻率的波長

）

1.1.4. 現(xiàn)場調(diào)試：

1.1.4.1如果是金屬機(jī)箱

首先，確定泄露途徑，是機(jī)箱還是連接線，拆除設(shè)備的連接線，對(duì)比拆除輻射的強(qiáng)度，若無明顯變化，則顯然主要是機(jī)箱泄露；然后，近場探測找到泄露點(diǎn)，用頻譜儀進(jìn)行近場探測不同的頻率，找到輻射較強(qiáng)的點(diǎn)，即為泄露點(diǎn)（之一）；再次，針對(duì)泄露點(diǎn)貼金屬導(dǎo)電帶或銅箔，并使其與機(jī)箱的金屬表面（地）有良好接觸，若有明顯改善，在后續(xù)修改孔縫的尺寸，如添加導(dǎo)電襯墊、采用波導(dǎo)、縮短連接螺絲的間距等。

1.1.4.2 如果是非金屬機(jī)箱

近場探測元器件走線等，找到輻射源后，對(duì)元器件添加屏蔽，修改時(shí)鐘頻率，或者修改走線，減小走線環(huán)路等。

1.2設(shè)備連接線的輻射：

1.2.1 I/O連接線或者控制線成為天線，沒有負(fù)載時(shí)只有共模電流沒有差模電流，連接線作為天線主要是以共模電流輻射為主，共模電流產(chǎn)生的磁場方向相同磁場疊加變得更強(qiáng)。

1.2.1.1 共模電流輻射的條件：

產(chǎn)生共模電流輻射的條件一是要有共模驅(qū)動(dòng)源，二是要有共模天線。

任何兩個(gè)金屬體之間只要存在射頻電位差就構(gòu)成共模輻射系統(tǒng)，兩個(gè)金屬體分別是它的不對(duì)稱振子天線的兩個(gè)極。射頻電位差即為共模驅(qū)動(dòng)源，它通過不對(duì)稱振子天線向空間輻射電磁能量。

由于C=εs/4πkd；當(dāng)頻率達(dá)到MHz級(jí)時(shí)nH的小電感和pF級(jí)的小電容都將產(chǎn)生重要影響。兩個(gè)導(dǎo)體連接處的小電感能產(chǎn)生射頻電位差，例如圖2中的數(shù)字地和模擬地之間的連接線的小電感，圖3中機(jī)殼與印刷板之間連接線的小電感等都是產(chǎn)生共模驅(qū)動(dòng)源的根源。沒有直接連接點(diǎn)的金屬體也可能通過小電容變成天線的一部分，例如圖5中的散熱片與開關(guān)管是絕緣的，但可以通過它們之間的小電容在射頻頻率上連接起來，構(gòu)成共模天線的一部分。

共模天線的一個(gè)極必定是設(shè)備的外部連接線，另一個(gè)極可以是設(shè)備內(nèi)部PCB的地線、電源面、機(jī)殼、散熱片、金屬支架等等。

1.2.2共模電流輻射有三種類型：電流驅(qū)動(dòng)型、電壓驅(qū)動(dòng)型、磁耦合型。

1.2.2.1 電流驅(qū)動(dòng)型：

差模的電壓源在回路地上產(chǎn)生壓降，成了驅(qū)動(dòng)源；有了源還差天線，天線就是除了此回路地以外的與他連接的地線和外接線纜（天線上走的是共模電流，由于它是由Idm產(chǎn)生的，so叫電流驅(qū)動(dòng)型）；這里告訴我們地線 要盡可能的低阻抗，少感性；圖1為電流驅(qū)動(dòng)模型，圖2圖3為舉例

1.2.2.2 電壓驅(qū)動(dòng)型：

由差模電壓源直接驅(qū)動(dòng)天線的兩個(gè)部分，即上金屬部分與下金屬部分

1.2.2.3 磁耦合型：

1.2.2.4 還有一種情況需要格外注意，屏蔽電纜“豬尾巴”引起的輻射，舉例及驅(qū)動(dòng)模型如下

1.3輻射調(diào)試對(duì)策總結(jié)：

1.3.1i. 利用頻譜儀等確定是機(jī)箱泄露還是連接線輻射

1.3.2. 機(jī)箱泄露：找到泄露點(diǎn)加以屏蔽；連接線輻射：加磁環(huán)等

1.4. 輻射發(fā)射的對(duì)策：

1.4.1.干擾源的類型：dV/dt or dI/dt(繼電器、電機(jī)、數(shù)字信號(hào)陡峭的沿等)

1.4.2.天線：走線長度是信號(hào)波長的1/4的整數(shù)倍時(shí),走線成為天線（v=λf），eg電機(jī)驅(qū)動(dòng)板上的相線，氣泡傳感器的發(fā)射接收線。

1.4.3.帶長線輸出的接口：信號(hào)，磁珠阻斷發(fā)射+電容吸收高頻or共模濾波器；電源：在長電線的兩端各添加一個(gè)0.01uF或0.001uF旁路電容，以吸收高頻，共模濾波器使用場合如總電源入口，差分信號(hào)如485等。

1.4.4.環(huán)路和PCB走線、過孔都能有電感，因此要求小環(huán)路（電源環(huán)路->去耦電容的走線與接地），短走線（IO和晶振，），少過孔（也可在附近打地過孔，提供較近的回路）

1.4.5.電源去耦：電源的環(huán)路盡量小，以較小電源上高頻噪聲的發(fā)射，電路中RF的能量是和I*A*f成正比的，I是電源回路中的電流，A是回路的面積，f是電流的頻率

1.4.6.地的布局：地層要放在主要元件層的下方，這能更好的吸收靜電和吸收高頻

1.4.7.元件布局和走線不相容的元件和信號(hào)線（數(shù)字與模擬、高頻與低頻、大電流與小電流、高壓與低壓）應(yīng)盡量遠(yuǎn)離，不要平行走線，不同層上走線要互相垂直；

1.4.8.高速的角度看問題：高速信號(hào)線要考慮阻抗匹配，走線要保持阻抗保持不變，避免出現(xiàn)寬窄不一、過孔等；

1.4.9.對(duì)于電場耦合的輻射要盡量降低電路的阻抗，磁場耦合的輻射要增加電路的阻抗

1.4.10.屏蔽：采用屏蔽電纜或帶屏蔽的連接器，要保證電纜屏蔽層與插頭的金屬外殼要360度搭接，不能出現(xiàn)“豬尾巴”現(xiàn)象，且與插座及機(jī)殼屏蔽層有良好搭接

2.ESD:

2.1ESD讓產(chǎn)品失效的三個(gè)要素：瞬時(shí)涌入的大電流（熱效應(yīng)及EMI），電壓波動(dòng)，靜電輻射場強(qiáng)

2.2 ESD的基本原理和對(duì)策的基本思想:靜電放電是一種高能量款頻譜的電磁騷擾，頻譜范圍可以達(dá)到數(shù)百兆赫茲（波形是連續(xù)的），稍微長一點(diǎn)的導(dǎo)線都可能形成有效的感性耦合，也會(huì)與產(chǎn)品內(nèi)部的導(dǎo)體（兩個(gè)金屬板即構(gòu)成了電容）或通過寄生電容產(chǎn)生容性耦合；泄放到地；

2.3 基本對(duì)策：ESD的上升沿0.7ns-1ns, di/dt –>磁珠/電感+電容，TVS，瞬時(shí)電流在2KV時(shí)7.5A，8KV時(shí)達(dá)到30A；

2.3.1 電容TVS要良好的接地，并且對(duì)信號(hào)的走線不要太長；

2.3.2 需要通過長線和主板連接的小板，且較靠近整機(jī)外部，如1800的指示燈板，最好在長線的兩端都加TVS（這里主要是考慮到導(dǎo)線在高頻時(shí)的感性及TVS的使用技巧）;

2.3.3 設(shè)備的裸露金屬：在接大地時(shí)，要單點(diǎn)接地，避免星形接地，以免形成較大環(huán)路，增加射頻噪聲，降低EMC性能，同時(shí)此處的大地要考慮和工作地及板上信號(hào)的安全距離和爬電距離，如電源板及電機(jī)驅(qū)動(dòng)板下的與泵門把手相連處。

2.3.4 接地：地層要盡可能的完整，保持電阻不變；外層與地層盡可能的多打地過孔，以保證泄放的暢通；

2.3.5 信號(hào)輸出加緩沖，便面CPU1的iO與CPU2的io直連，如1800的主與電源板

3.軟件的EMC

3.1軟件干擾舉例：

3.1.1微控制器無響應(yīng)；

3.1.2編程計(jì)數(shù)器失控

3.1.3執(zhí)行意外指令

3.1.4地址指向錯(cuò)誤

3.1.5子程序執(zhí)行錯(cuò)誤

3.1.6寄生復(fù)位

3.1.7寄生中斷

3.1.8I/O失靈

3.2軟件故障的后果舉例：

3.2.1意外指令

3.2.2上下文丟失

3.2.3進(jìn)程中的意外分支

3.2.4中斷丟失

3.2.5數(shù)據(jù)完整性丟失

3.2.6輸入測量值錯(cuò)誤

3.3 軟件的EMC預(yù)防技術(shù)：

3.3 .1看門狗：復(fù)位后盡快使能看門狗，勿在中斷中刷新看門狗

3.3 .2保護(hù)未使用的存儲(chǔ)區(qū)：用代碼填充未使用的存儲(chǔ)區(qū)（指令冗余）；此代碼用以強(qiáng)制看門狗復(fù)位或者跳轉(zhuǎn)到已知的程序（軟件陷阱）

3.3 .3輸入濾波：算術(shù)平均濾波、滑動(dòng)平均濾波、中位值濾波、去極值平均濾波

3.3 .4管理未使用的中斷向量：對(duì)未使用的中斷向量分配有效的中斷程序地址，并在中斷程序中能有效返回

3.3 .5針對(duì)AD：采取濾波措施，并存儲(chǔ)在RAM中

3.3 .6頻繁刷新寄存器：涉及的寄存器為時(shí)鐘控制寄存器或IO配置和數(shù)據(jù)寄存器（這些寄存器接近于芯片輸出焊盤），尤其是在驅(qū)動(dòng)程序或者LCD顯示中

3.3 .7針對(duì)不用的IO口：最好配置為輸出低電平，這樣不僅可以降低功耗，還可以避免其成為發(fā)射源

3.4.軟件的EMC自動(dòng)恢復(fù)技術(shù)：

3.4.1將上下文保存在RAM中：

3.4.2使用看門狗：用看門狗檢查各個(gè)軟件程序的運(yùn)行時(shí)間，一旦出現(xiàn)異常則立即復(fù)位或轉(zhuǎn)到軟件復(fù)位程序

3.4.3使用復(fù)位標(biāo)志標(biāo)識(shí)復(fù)位源：區(qū)分各種復(fù)位源，以實(shí)現(xiàn)快速恢復(fù)

4. EFT

4.1關(guān)于EFT的對(duì)策一般從三個(gè)方面入手：

1） 改變EFT電流的流向，使其不經(jīng)過產(chǎn)品中的敏感電路

2）在EFT干擾電流還未到達(dá)敏感電路之前進(jìn)行抑制，如在電源入口處添加對(duì)EFT有抑制作用的濾波器

3） 增加電路本身的抗干擾能力

其中，1）和3）是在產(chǎn)品最初設(shè)計(jì)時(shí)就要考慮的，2）是產(chǎn)品后期解決EFT的最有效最簡單的方法，比如在電源入口處加磁環(huán)，并在其上繞幾圈，但，在繞線時(shí)要使輸入輸出端原理，注意線間的耦合。

四.一些常見概念：

4.1 過孔的寄生參數(shù)：

4.1.2過孔的寄生電容：過孔的寄生電容會(huì)給電路造成的主要影響是延長了信號(hào)的上升時(shí)間，降低了電路的速度，并且隨著過孔的增加，電容實(shí)現(xiàn)的是并聯(lián)，即電路的速度越來越慢。

過孔本身存在著對(duì)地的寄生電容，如果已知過孔在鋪地層上的隔離孔直徑為D2,過孔焊盤的直徑為D1,PCB板的厚度為T,板基材介電常數(shù)為ε,則過孔的寄生電容大小近似于：C=1.41εTD1/(D2-D1)；

舉例來說，對(duì)于一塊厚度為50Mil的PCB板，如果使用內(nèi)徑為10Mil，焊盤直徑為20Mil的過孔，焊盤與地鋪銅區(qū)的距離為32Mil,則我們可以通過上面的公式近似算出過孔的寄生電容大致是：C=1.41x4.4x0.050x0.020/(0.032-0.020)=0.517pF。

4.1.2過孔的寄生電感：寄生串聯(lián)電感會(huì)削弱旁路電容的貢獻(xiàn)，減弱整個(gè)電源系統(tǒng)的濾波效果。

一個(gè)過孔近似的寄生電感：L=5.08h[ln(4h/d)+1]其中L指過孔的電感，h是過孔的長度，d是中心鉆孔的直徑。從式中可以看出，過孔的直徑對(duì)電感的影響較小，而對(duì)電感影響最大的是過孔的長度。上面的例子，可以計(jì)算出過孔的電感為：L=5.08x0.050[ln(4x0.050/0.010)+1]=1.015nH 。

4.1.3對(duì)策：信號(hào)線盡量不換層，若一定要換層，可在過孔周圍多打地過孔，以提供較近的回路；電源和地的過孔要就近打孔，且走線盡可能的短而粗

4.2.電源及地布局布線：

4.2.1 去耦電容、儲(chǔ)能電容、磁珠的放置：一般來說，電源附件要加去耦電容，針對(duì)強(qiáng)驅(qū)動(dòng)的還要添加儲(chǔ)能電容，磁珠用來抑制外部的干擾，從外部到電源腳的放置順序是：磁珠、儲(chǔ)能電容、去耦電容；

4.2.2 走線及過孔原則：就近過孔、短而粗的走線以保證足夠小的環(huán)路，使得電感特性足夠小

4.2.3 CPU的地和電源：盡量少打過孔以保證地平面的完整；周圍的元件除了去耦電容外和晶振，不要放得太近

4.2.4 連接器上用多根地線，大電流敏感信號(hào)輸入輸出等要分開；

4.3 模擬地與數(shù)字地

4.3.1 離散信號(hào)和連續(xù)信號(hào)的區(qū)別：在規(guī)格書上，數(shù)字信號(hào)的0和1有一定的電平范圍，即允許的波動(dòng)范圍較大，再比如AD采樣等電路的輸入信號(hào)有很多mv級(jí)別，這時(shí)就需要電源的穩(wěn)定

4.3.2 數(shù)字信號(hào)的構(gòu)成：方波是由N多個(gè)正弦波疊加而成，即方波含有很豐富的頻率成分

4.3.3 接地方式：

4.3.3.1 低頻模擬信號(hào)地：除加粗和縮短地線之外，電路各部分采用一點(diǎn)接地是抑制地線干擾的最佳選擇，主要可以防止由于地線公共阻抗而導(dǎo)致的部件之間相互干擾

4.3.3.2高頻數(shù)字電路地：接地線應(yīng)接成閉環(huán)路（若單點(diǎn)接地，相對(duì)于高頻信號(hào)而言，地線已經(jīng)足以成為天線了）,但環(huán)路不能太大，以免在強(qiáng)磁場時(shí)產(chǎn)生感應(yīng)電流：簡單地說，就是你的接地線,最后應(yīng)該是閉合的,而不能是有一端或多端開放.這樣來形容吧:你的布線完成后,地線的情況應(yīng)該是個(gè)"口"字或者"凸""凹"等字的形式,不要是"U"或者"L"之類的.

4.3.3.3 鋪地

1.對(duì)于不同信號(hào)的板子不同處理,比如高頻的要鋪網(wǎng)狀地,低頻的可以鋪實(shí)地.

2.鋪地的作用:減少信號(hào)回地電阻,對(duì)信號(hào)增加屏蔽功能,消除干擾,增加PCB硬度,美觀(導(dǎo)線或PCB走線的直流阻抗雖然在mR以下，但是在高頻時(shí)導(dǎo)線的感性會(huì)使其擁有很大的阻抗，這樣有電流流過時(shí)就會(huì)產(chǎn)生很大壓降，長寬比小于3的不帶孔和縫隙的金屬板或PCB平面可以在100Mhz時(shí)仍保持3mR的小阻抗，對(duì)于TTL電平，可以吸收高達(dá)600A的脈沖電流）。

3.數(shù)字地和模擬地采取單點(diǎn)接地的方式：低頻時(shí)影響不大，不同種類地之間用0歐電阻相連；高頻時(shí)，用磁珠 0R等都會(huì)在ESD和EFT等測試中產(chǎn)生壓降，從而產(chǎn)生嚴(yán)重問題。

3.對(duì)于鋪地的形狀和區(qū)域,要具體問題具體分析.要看你利用鋪地的那種功能.當(dāng)然首先不能違反地線的走線規(guī)則.對(duì)于一塊PCB可以分不同的區(qū)域鋪地,不能讓干擾通過同層或者其他層的地而引入到其他區(qū)域中.做到模數(shù)分開,強(qiáng)弱分開（別A的地有一部分在B的電源下面）.

4.地線星狀分布,大電流回地盡量短,并避免與小電流地接觸.高頻信號(hào)和模擬信號(hào)可以有地伴行......

5.單點(diǎn)接地：實(shí)現(xiàn)等電位連接，高頻時(shí)尤其要注意最后用長寬比<3的完整地平面來實(shí)現(xiàn)等電位

4.4 實(shí)心銅與網(wǎng)格銅

4.4.1較低頻時(shí)，敷實(shí)心銅；較高頻時(shí)，敷網(wǎng)格銅。

4.4.2PCB制造商建議我們，設(shè)計(jì)時(shí)大面積鋪銅時(shí)候，最好用網(wǎng)格的，實(shí)心的在PCB過波峰焊時(shí)容易出現(xiàn)受熱變形

波峰焊是讓插件板的焊接面直接與高溫液態(tài)錫接觸達(dá)到焊接目的，其高溫液態(tài)錫保持一個(gè)斜面，并由特殊裝置使液態(tài)錫形成一道道類似波浪的現(xiàn)象，所以叫"波峰焊"

4.5 差模與共模

4.5.1差模例子：電源板與主控板連線之所以要扎緊或者有些場合使用雙絞線，是因?yàn)樾盘?hào)線對(duì)地是差模電流流動(dòng)，一來一回，兩個(gè)方向的電流產(chǎn)生的磁場也是反向的，可以相互抵消，越近效果越好; 電線或者地環(huán)路上的壓降->差模干擾，如功放的滋滋聲，如ADC采樣

4.5.2 共模例子：如果在計(jì)算機(jī)常用的扁平饋線中抽取相鄰的兩根導(dǎo)線，線長1米，導(dǎo)線對(duì)上分別加以共模和差模電流，在離導(dǎo)線對(duì)3米處按GB9254規(guī)定測量騷擾場強(qiáng)。實(shí)驗(yàn)表明如果該處場強(qiáng)要達(dá)到B類設(shè)備的限值(30~230 MHz時(shí)為40 dBμV／m)，則差模電流要求為20 mA，而共模電流只要8μA，兩者相差2500倍。由此可見，共模電流輻射的抑制是非常重要的。

4.6 電感與磁珠

4.6.1 磁珠的構(gòu)成及用途：采用在高頻段具有良好阻抗特性的鐵氧體材料燒結(jié)而成，專用于抑制信號(hào)線、電源線上的高頻噪聲和尖峰干擾，還具有吸收靜電脈沖的能力。

4.6.2 磁珠的主要參數(shù)：

4.6.2.1 標(biāo)稱值：因?yàn)榇胖榈膯挝皇前凑账谀骋活l率產(chǎn)生的阻抗來標(biāo)稱的，阻抗的單位也是歐姆，一般以100MHz為標(biāo)準(zhǔn)，比如我們公司的風(fēng)華的600R磁珠，就是指在100MHz的時(shí)候磁珠的阻抗為600歐姆。

4.6.2.2 額定電流：額定電流是指能保證電路正常工作允許通過的電流，比如風(fēng)華的600R的磁珠額定電流是0.3A（實(shí)際通流能力>0.3A）。

4.6.3 電感和磁珠的區(qū)別：

4.6.3.1 構(gòu)成：一匝以上的線圈習(xí)慣稱為電感線圈，少于1匝（導(dǎo)線直通磁珠）的線圈習(xí)慣稱之為磁珠；電感是儲(chǔ)能元件，而磁珠是能量轉(zhuǎn)換（消耗）器件，將高頻轉(zhuǎn)化為熱能；磁珠可以理解成電阻和電感的串聯(lián)；磁珠有很高的電阻率和磁導(dǎo)率，他等效于電阻和電感串聯(lián)，但電阻值和電感值都隨頻率變化。他比普通的電感有更好的高頻濾波特性，在高頻時(shí)呈現(xiàn)阻性，所以能在相當(dāng)寬的頻率范圍內(nèi)保持較高的阻抗，從而提高調(diào)頻濾波效果。

4.6.3.2 用途：磁珠主要用于消除高頻噪聲，象一些RF電路，PLL，振蕩電路，含超高頻存儲(chǔ)器電路（DDR SDRAM，RAMBUS等）都需要在電源輸入部分加磁珠，或者信號(hào)線纜（最近的C6 1800 1500），電感多用于LC振蕩或低頻電源回路的濾波；EMC方面：磁珠主要用于抑制電磁輻射干擾，而電感用于這方面則側(cè)重于抑制傳導(dǎo)性干擾

4.6.3 多孔磁珠：有的磁珠上有多個(gè)孔洞，用導(dǎo)線穿過可增加組件阻抗（穿過磁珠次數(shù)的平方），不過在高頻時(shí)所增加的抑制噪聲能力不可能如預(yù)期的多，而用多串聯(lián)幾個(gè)磁珠的辦法會(huì)好些。

4.7 TVS

實(shí)用電子上的TVS曲線圖