USB PD拐點已現(xiàn) GaN能否為其打開一扇盈利之窗？

26日消息，在今日PI的財報會議上，PI總裁兼首席執(zhí)行官Balu Balakrishnan表示，由于智能手機市場快充技術(shù)的持續(xù)擴張，USB PD將在未來幾年成為其收入增長的驅(qū)動力。因為PI推出的基于GaN基InnoSwitch新器件不僅可以解決移動設備快充效率、散熱問題，而且體積可以做的足夠小。

據(jù)其介紹，Power Integrations（以下簡稱“PI”）第二季度收入比上一季度增長了15%至1.029億美元。其中終端市場業(yè)務收入貢獻值是37%消費類，33%工業(yè)，24%通信及6%的計算機業(yè)務。

據(jù)悉，在這四大終端應用中今年二季度PI最大的貢獻者來自通信市場，它比上一季度增長了50%以上，其原因主要得益于智能手機快充市場蓬勃興起。另外，移動設備市場顯然正受到多種融合趨勢的推動。

首先是新USB PD充電標準搭配Type-C連接器可以為任何移動設備提供高達100W的功率。其次，原始設備制造商（OEM）正在其設備中加入容量更大的電池，以便隨著使用量的不斷增加而延長電池續(xù)航時間。這種趨勢會隨著5G手機被采用而持續(xù)。

第三、隨著手機品牌商不斷推出各式各樣的旗艦機爭奪市占率，許多OEM現(xiàn)將充電速度視為差異化的標志。盡管OEM對充電速度的重視程度各不相同，但很明顯，更快的充電是整個行業(yè)的趨勢，將在未來幾年內(nèi)爆發(fā)。

“我們相信我們擁有市場上最好的技術(shù)來應對快速充電趨勢，我們認為隨著功率水平的不斷提高，PI的技術(shù)優(yōu)勢將會增加。”Balu Balakrishnan表示。效率在快速充電中至關(guān)重要，因為外形太小容易造成散熱不好，而集成也很關(guān)鍵，因為高功率充電器通常具有更高的復雜度和更多的元件數(shù)。而PI的 InnoSwitch產(chǎn)品恰好可以彌補這一缺陷。

據(jù)其今日官方消息，InnoSwitch家族又再添新成員——InnoSwitch 3系列恒壓/恒流離線反激式開關(guān)電源IC。新IC可在整個負載范圍內(nèi)提供95%的高效率，并且在密閉適配器內(nèi)不使用散熱片的情況下可提供100W的功率輸出。這一突破性的性能提升源自內(nèi)部開發(fā)的高壓氮化鎵開關(guān)技術(shù)。

Power Integrations總裁兼首席執(zhí)行官Balu Balakrishnan表示?！癙I是目前唯一家大批量生產(chǎn)高壓GaN基產(chǎn)品的公司。實際上，幾款采用GaN基產(chǎn)品的充電器已經(jīng)在零售市場上廣泛銷售，其中包括極小尺寸的30W USB PD充電器，可輕松插入襯衫口袋?！?/p>

這款基于GaN的InnoSwitch器件具有優(yōu)異的高效能，可實現(xiàn)極小的外形尺寸，從而實現(xiàn)硅開關(guān)無法達到的功率密度水平。Balu Balakrishnan指出，“雖然這些新產(chǎn)品是針對移動設備的高功率充電器，但GaN基在未來幾年的產(chǎn)品路線圖中會扮演重要角色，公司計劃推出一系列新產(chǎn)品，將GaN的優(yōu)越性能帶入將來市場產(chǎn)品的廣泛應用中?！?/p>

對于PI而言，GaN技術(shù)的重要性不言而喻，它不僅適用于適配器，還適用于功率轉(zhuǎn)換。它希望將這項技術(shù)推廣到更多新產(chǎn)品中。譬如在30W或40W的產(chǎn)品中使用這項技術(shù)，原因有二：一是PI 的GaN技術(shù)與業(yè)界一直談論的所有其他GaN技術(shù)完全不同。因為它是專有的。PI將這項技術(shù)專注于電源轉(zhuǎn)換，它是專門為此而設計的。二是GaN作為一種尚未商業(yè)化的技術(shù)是因為GaN分立器件非常難以使用。業(yè)界很難去駕馭它。保護它，因為過高的電流會損壞器件。但是這個問題，PI已經(jīng)徹底攻克，它可以完全集成在PI系統(tǒng)級芯片中。

也許有人會問為什么PI選擇GaN而不是碳化硅？Balu Balakrishnan給出的解釋是，GaN和碳化硅都是一種非常有價值的技術(shù)，但后者更適用于使用1,200V和1,700V的高壓時。在600V，700V的情況下，它將很難與氮化鎵技術(shù)競爭。

展望未來，PI預計第三季度收入將達到1.14億美元，上下浮動300萬美元。其中大部分增長來自通信和工業(yè)市場。其中通信市場的增長主要來源于移動設備USB PD業(yè)務。