智能功率模塊(IPM)廣泛用于變頻空調(diào)壓縮機(jī)驅(qū)動、戶內(nèi)戶外風(fēng)扇驅(qū)動和功率校正電路。近年來,泵和工業(yè)風(fēng)扇領(lǐng)域因?yàn)閷o湊化的要求,也開始使用IPM產(chǎn)品進(jìn)行設(shè)計,隨著變頻系統(tǒng)和伺服驅(qū)動應(yīng)用于工業(yè)機(jī)器人等新興領(lǐng)域,IPM的高可靠性設(shè)計也開始大顯神威。安森美半導(dǎo)體的IPM陣容強(qiáng)大,技術(shù)領(lǐng)先,功率等級從50 W至7.5 kW,滿足各種不同的應(yīng)用需求,并持續(xù)研發(fā)更高功率密度和能效、更可靠的IPM,拓展工業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,以助力提升工業(yè)能效,并滿足工業(yè)新興領(lǐng)域的需求。
什么是IPM?
IPM在一個封裝模塊中高度集成MOSFET和IGBT等分立功率器件、高低壓驅(qū)動芯片和外圍阻容器件、二極管,實(shí)現(xiàn)比分立方案更靈敏準(zhǔn)確的保護(hù)功能、更簡單的外圍元器件設(shè)計、更簡化的生產(chǎn)工藝和更好的散熱性能。
圖1:IPM的優(yōu)勢
IPM基板技術(shù)
IPM可以無需絕緣墊片直接與外部散熱器相連,不但簡化了散熱的工藝難度,而且也降低了熱阻。IPM的這種優(yōu)點(diǎn)基于IPM基板技術(shù)。
直連銅基板(DBC)、陶瓷基板和絕緣金屬基板(IMST)是三種不同的IPM基板技術(shù),各有優(yōu)缺點(diǎn),可基于不同的應(yīng)用需求使用不同的基板技術(shù)。DBC技術(shù)熱阻最低,可實(shí)現(xiàn)最高的電流密度,但工藝難度較高,成本最高。陶瓷基板技術(shù)成本稍低,易于量產(chǎn),適用于功率密度稍高、同時對成本有較高要求的領(lǐng)域,和DBC工藝一樣,隔離電壓大于4kV,但受制于工藝本身,貼裝的器件比較有限。IMST技術(shù)易貼裝各類電阻電容和電感器件,但熱阻較大,所以電流低。
新的SPM?49用于5kW至7.5kW的空調(diào)、逆變器、泵和風(fēng)扇
SPM的優(yōu)點(diǎn)之一就是高度的集成化設(shè)計,但因?yàn)橐_定義各家供應(yīng)商不相同,造成客戶對單一供應(yīng)商的擔(dān)心,安森美半導(dǎo)體的SPM?49在封裝上兼容“M”公司的Large DIP系列產(chǎn)品,可以消除客戶對“獨(dú)家”供應(yīng)商的擔(dān)心。
SPM?49采用先進(jìn)的溝槽型IGBT,比平面型IGBT功率密度更高,使用DBC基板技術(shù),熱阻極低,因而有更高的熱性能,尺寸為79mm*31mm*8mm,相比Large DIP,SPM?49爬電距離更遠(yuǎn),絕緣性能更優(yōu)。同時,針對電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域,SPM?49采用短路耐受型的IGBT,可承受長達(dá)5 us以上的短路耐受時間。安森美半導(dǎo)體已推出的SPM?49是650 V、50A的NFAL5065L4B和650 V、75A的NFAL7565L4B,未來將陸續(xù)推出1200V的10A、25A、35A和50A電流等級產(chǎn)品。
針對相同封裝尺寸的SPM?49和Large DIP產(chǎn)品,我們在相同條件下進(jìn)行了測試,結(jié)果顯示在所有工作頻率 / 輸出電流測試條件下,安森美半導(dǎo)體的SPM?49產(chǎn)品NFAL7565L4BT的殼溫都比競爭對手低。
新的SPM?31用于3kW至5kW的空調(diào)、逆變器、泵和風(fēng)扇
SPM?31引腳兼容M公司的Mini DIP產(chǎn)品,消除客戶對獨(dú)家供應(yīng)商的擔(dān)憂,采用先進(jìn)的650V溝槽型IGBT和DBC技術(shù),熱阻降低12%左右,由于引線引腳和螺絲孔兼容設(shè)計,所以無需PCB再設(shè)計,且側(cè)面無虛設(shè)引腳的先進(jìn)封裝工藝使爬電距離更遠(yuǎn),便于散熱器設(shè)計靈活性改進(jìn),此外,內(nèi)置熱敏電阻NTC實(shí)現(xiàn)更精確和直接的檢測,便于客戶的熱設(shè)計。安森美半導(dǎo)體已推出的SPM?31產(chǎn)品是650 V、30A的NFAM3065L4B和650 V、50A的NFAM5065L4B,未來將陸續(xù)推出1200V的5A、10A、20A電流等級產(chǎn)品。
針對相同封裝尺寸的SPM?31和Mini DIP產(chǎn)品,我們在相同條件下進(jìn)行了測試,結(jié)果顯示在所有工作頻率 / 輸出電流測試條件下,安森美半導(dǎo)體的SPM?31產(chǎn)品NFAM5065L4BT的殼溫和損耗都比競爭對手低,尤其在更高頻率、重載的情況下,熱性能優(yōu)勢明顯。
SPM?34用于達(dá)7.5kW的空調(diào)、逆變器、泵和風(fēng)扇
SPM?34覆蓋達(dá)7.5kW的功率等級,采用先進(jìn)的650V 和1200V 溝槽型的短路耐受 IGBT,和DBC基板技術(shù),散熱性極佳,在工業(yè)領(lǐng)域有著很多的成功案例。
表1:SPM?34 (達(dá)7.5kW)
成熟的SPM?3V(達(dá)5kW) 廣泛用于從空調(diào)到工業(yè)變頻器領(lǐng)域
SPM?3V產(chǎn)品最高功率等級為5kW,是最為成熟的IPM產(chǎn)品,從空調(diào)到工業(yè)變頻器領(lǐng)域均有廣泛使用,覆蓋了1200V的10A到20A的系列產(chǎn)品,而600V更是覆蓋了從15A到50A的全電流等級產(chǎn)品,采用先進(jìn)的650V 和1200V 溝槽型的短路耐受 IGBT,和DBC基板技術(shù),散熱性極佳,并通過熱偵測實(shí)現(xiàn)全面的保護(hù)功能。
表2:SPM?3V(達(dá)5kW)
SPM? 45用于500W 至 2.2kW的泵、緊湊型工業(yè)逆變、白家電
SPM? 45是兼顧散熱和成本的高性價比方案,電流覆蓋從5A 到30A,內(nèi)置自舉二極管和熱敏電阻,引腳復(fù)用功能可滿足客戶更多需求,統(tǒng)一封裝兼容1P到3P空調(diào),具有極佳的電磁兼容性能、溫度特性,和完善的保護(hù)性能。
表3:SPM? 45(500W 至 2.2kW)
DIP-S6/ DIP-S用于200W至1.1kW的白家電
DIP-S6/DIP-S產(chǎn)品比SPM? 45系列功率密度更高,且內(nèi)置的驅(qū)動芯片可實(shí)現(xiàn)直通保護(hù),當(dāng)控制型號將一個橋臂的上下管同時導(dǎo)通時,DIP-S6/DIP-S產(chǎn)品將屏蔽其中一個信號,避免橋臂直通損壞模塊。
在PFC模塊領(lǐng)域,安森美半導(dǎo)體提供適用于無橋PFC、升壓PFC和交錯并聯(lián)PFC等各種PFC拓?fù)涞漠a(chǎn)品,高度集成功率器件驅(qū)動電路,內(nèi)置熱敏電阻,從而提高功率密度,易于PCB布局和設(shè)計,電流等級從20A到75A全部覆蓋。
表4:安森美半導(dǎo)體提供適用于各種PFC拓?fù)涞哪K
值得一提的是,安森美半導(dǎo)體最新的交錯式并聯(lián)功率因數(shù)校正模塊NFL25065L4B,其功率器件部分內(nèi)置了兩顆第四代短路耐受能力的IGBT、兩顆碳化硅(SiC)二極管及驅(qū)動芯片,無需客戶再進(jìn)行驅(qū)動電路設(shè)計,并集成了單相整流橋二極管,同時使用熱敏電阻對殼溫進(jìn)行探測,具備優(yōu)化的電磁兼容性能,單個IGBT功耗和在實(shí)際負(fù)載工作條件下的殼溫都較前代FPAM50LH60降低,且導(dǎo)通時的電流和電壓振鈴都減小,關(guān)斷時的拖尾電流明顯改善,損耗更小。
SIP方案廣泛用于200 W至1kW的工業(yè)變頻器和泵
SIP系列覆蓋600 V、5A/10A/15A額定值,新的SIP-K采用新的IGBT 及 FRD 工藝、第3代溝槽IGBT、極快速二極管,和IMST基板技術(shù),比現(xiàn)有SIP 方案實(shí)現(xiàn)更小的封裝尺寸,且引腳定義相同,易于替代,廣泛用于工業(yè)變頻器和泵。
SPM8、SPM5和SPM7用于低于200 W的中小功率等級的白家電
針對冰箱、洗衣機(jī)、洗碗機(jī)和風(fēng)扇風(fēng)機(jī)在內(nèi)的低于200W的中小功率等級,安森美半導(dǎo)體提供SPM8、SPM5和SPM7產(chǎn)品,其緊湊化設(shè)計可實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的高功率密度需求,最小的SPM7產(chǎn)品將6個MOS、4個驅(qū)動芯片和眾多外圍電路集成在一個拇指蓋大小的模塊中,將風(fēng)扇電機(jī)的物理結(jié)構(gòu)與驅(qū)動設(shè)計合二為一。
總結(jié)
安森美半導(dǎo)體提供1200V和650V/600V全系列的IPM產(chǎn)品,最高功率等級7.5kW,滿足工業(yè)電機(jī)驅(qū)動、暖通空調(diào)(HVAC)、工業(yè)逆變、泵、工業(yè)風(fēng)扇、白家電等各種應(yīng)用需求,并針對新興工業(yè)應(yīng)用更緊湊和更高能效的趨勢持續(xù)開發(fā)新的產(chǎn)品,基于新一代溝槽型的短路耐受IGBT技術(shù)、先進(jìn)的DBC和IMST基板技術(shù)及豐富的封裝,提供更高的能效、功率密度、熱性能和可靠性,助力提升工業(yè)系統(tǒng)能效。而且,安森美半導(dǎo)體的IPM封裝和晶圓基地遍布全球,并不斷擴(kuò)大相關(guān)的晶圓和封測產(chǎn)能,以滿足日益增長的客戶需求。
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