相信所有人對“存儲(chǔ)器”這個(gè)名詞一點(diǎn)都不陌生,因?yàn)樗械?a target="_blank">電子產(chǎn)品都必須用到存儲(chǔ)器,且通常用到不只一種存儲(chǔ)器,說它是一種“戰(zhàn)略物資”也不為過。
存儲(chǔ)器:DRAM和NAND
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備,用來存放程序和數(shù)據(jù)。計(jì)算機(jī)中的全部信息,包括輸入的原始數(shù)據(jù)、計(jì)算機(jī)程序、中間運(yùn)行結(jié)果和最終運(yùn)行結(jié)果都保存在存儲(chǔ)器中,它根據(jù)控制器指定的位置存入和取出信息。存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備,有了存儲(chǔ)器,計(jì)算機(jī)才有記憶功能,才能保證正常工作。隨著移動(dòng)設(shè)備、物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的興起,對于節(jié)能的數(shù)據(jù)儲(chǔ)存與內(nèi)存技術(shù)需求日益增加,目前的內(nèi)存技術(shù)以DRAM與NAND閃存為主流。
DRAM,即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間,為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新一次,如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。
NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動(dòng)器更好的存儲(chǔ)方案,這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得尤為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品。NAND閃存是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù),即斷電后仍能保存數(shù)據(jù)。它的發(fā)展目標(biāo)就是降低每比特存儲(chǔ)成本、提高存儲(chǔ)容量。
市場對DRAM和NAND的需求很多,包括來自數(shù)據(jù)中心、移動(dòng)電話、個(gè)人計(jì)算機(jī)、汽車、智能家電及智能城市等龐大需求。而全球主要內(nèi)存芯片供貨商的門坎很高,哪怕經(jīng)歷了幾十年的起伏,市場也一直被三星、SK海力士等廠商主導(dǎo),并已經(jīng)形成壟斷局面。
有調(diào)查數(shù)據(jù)顯示,截至今年第三季度,韓國芯片巨頭三星在DRAM和NAND閃存市場繼續(xù)保持著統(tǒng)治優(yōu)勢,這主要是因?yàn)轫n國本土券商集體看好芯片業(yè)務(wù)給三星電子業(yè)績帶來的推動(dòng)作用。
報(bào)告顯示,按照營收計(jì)算,三星電子第三季度占據(jù)了全球DRAM內(nèi)存芯片市場44.5%的份額;另一家韓國廠商SK海力士緊隨其后,市場份額達(dá)到27.9%。美國存儲(chǔ)芯片制造商美光科技在該榜單中位居第三,市場份額達(dá)到22.9%;中國***的南亞科技位居第四,市場份額為2.2%。
雖然全球芯片市場將在不久后失去熱度,但隨著帶有人工智能和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)產(chǎn)品的不斷上市,預(yù)計(jì)存儲(chǔ)芯片市場的需求仍將會(huì)繼續(xù)上漲。與中國芯片制造商相比,韓國的三星電子和SK海力士仍在不斷提升技術(shù)競爭優(yōu)勢,上述兩家公司在未來仍將是全球存儲(chǔ)芯片市場的主流廠商。
存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)走寒,遭遇困境
隨著近兩年內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)的迅猛發(fā)展,已逐步呈現(xiàn)“衰落”之勢,因NAND閃存芯片價(jià)格自2017年第四季已開始反轉(zhuǎn),且DRAM內(nèi)存芯片在2018年首季之后的供需動(dòng)態(tài)能見度已經(jīng)下滑。2017年DRAM價(jià)格上漲超過四成,同期NAND的價(jià)格漲幅也近四成。NAND的主要市場為PC機(jī)內(nèi)存和手機(jī)內(nèi)存,DRAM需求逐漸趨緩,庫存、定價(jià)壓力與日俱增,而NAND閃存供過于求,價(jià)格將進(jìn)一步走低。
今年第一和第二季度,DRAM依然持上漲之勢,三星、SK海力士和美光等廠商也都先后宣布了擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。但最近局面似乎有所轉(zhuǎn)變,存儲(chǔ)器價(jià)格走低,一方面是PC、移動(dòng)設(shè)備和數(shù)據(jù)中心這三大應(yīng)用產(chǎn)品的需求動(dòng)能在過去幾周明顯趨緩,這恐怕會(huì)讓第三季度報(bào)價(jià)一路走低。另一方面,由于需求降溫的關(guān)系,三星電子、SK 海力士的庫存也在增加。表現(xiàn)在DRAM層面,由于三星、SK海力士增產(chǎn)的影響,預(yù)估2018年、2019年的DRAM供給量將分別上揚(yáng)20%、20-25%。這將為市場帶來壓力,而需求也將相對收縮,外資相繼調(diào)降美光目標(biāo)價(jià)。
NAND遭遇了同樣困境。根據(jù)下半年智能手機(jī)市場出貨表現(xiàn)將相對疲弱,NAND閃存的供給過剩情況將日益惡化。因而有業(yè)內(nèi)人士分析稱2019年上半年NAND價(jià)格將重挫,目前的存儲(chǔ)定價(jià)周期與2014年末到2015年初情況相似,當(dāng)時(shí)也出現(xiàn)存儲(chǔ)器需求大跌的狀況。
三星、海力士發(fā)力,價(jià)格戰(zhàn)一觸即發(fā)
近日,有韓媒指出,今年第一季三星電子和SK海力士(SK Hynix)的半導(dǎo)體庫存雙雙創(chuàng)下新高,滿坑滿谷的記憶體賣不動(dòng),三星或許因此殺紅了眼。
今年Q1季末,三星電子的半導(dǎo)體庫存達(dá)7.4萬億韓元,寫下同季歷史新高。SK海力士的半導(dǎo)體庫存為2.2萬億韓元,更創(chuàng)下該公司史上之最。一般而言,企業(yè)都趕在新年之前盡量消化庫存,Q4應(yīng)是出貨旺季,但Q4庫存增加速度之快,幾乎前所未見。
三星半導(dǎo)體庫存連年提高,近來更急速成長。今年Q1超越7萬億韓元,和去年同期相比,Q1庫存飆升了1.7萬億韓元。主要原因應(yīng)是記憶體買氣驟減,Q1三星記憶體部門營收年減3,700萬億韓元。
與此同時(shí),常理上SK海力士的庫存大都在1.5萬億韓元以下,不料去年年底突然暴增至1.9萬億韓元,今年Q1又一舉突破2萬億韓元。SK海力士的庫存資產(chǎn)占總資產(chǎn)比重一路攀升,庫存爆滿,其主要問題是記憶體前景欠佳,需求仍淡,業(yè)者可能會(huì)啟動(dòng)更激烈的殺價(jià)戰(zhàn),出清庫存。
記憶體業(yè)凄慘,又有新技術(shù)出來搶市場,前景更為黯淡。日前,有媒體報(bào)導(dǎo),“相變化記憶體”因成本太高,智慧機(jī)等行動(dòng)裝置無法采納,過去15年來一直應(yīng)用在光碟片等科技產(chǎn)品。然而,IBM現(xiàn)在不但降低了成本,還想出新的方法,可在每個(gè)記憶單位中儲(chǔ)存3位元資訊、即使周遭溫度較高也毫無障礙,未來可能會(huì)讓記憶體領(lǐng)域出現(xiàn)巨變。
三星趁著對手SK海力士、美光轉(zhuǎn)進(jìn)20奈米不順之際,增產(chǎn)搶市占,意圖趕盡殺絕,DRAM恐怕只剩三星一家獨(dú)活。
韓媒在4月網(wǎng)站兩篇報(bào)導(dǎo)指出,制程微縮難度高,美光和SK海力士都在20nm遇到瓶頸,原先預(yù)期記憶體產(chǎn)出將因此大減,沒想到三星在一旁虎視眈眈,趁著對手碰壁時(shí),奪取市占。DRAM僅剩三大廠,通常產(chǎn)業(yè)整合后,大家會(huì)較為節(jié)制,結(jié)果三星非但沒松手,還想把DRAM市占從當(dāng)前的40%、提高至近50%。
國產(chǎn)存儲(chǔ)器加緊布局,有望實(shí)現(xiàn)“彎道超車”
這是一個(gè)得存儲(chǔ)器者得天下的時(shí)代。存儲(chǔ)器被普遍稱為“半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的皇冠”。如今正成為手機(jī)、電腦等產(chǎn)品硬件配置升級(jí)的重要賣點(diǎn)。同時(shí),漲價(jià)侵蝕著原本競爭激烈、利潤微薄的智能手機(jī)產(chǎn)業(yè),一路打價(jià)格戰(zhàn)的智能手機(jī)企業(yè)橫迎來史上首次漲價(jià)潮。
存儲(chǔ)器漲價(jià)從2016年下半年開始,到2017年DRAM價(jià)格漲幅將達(dá)到39%,NAND漲幅也將達(dá)到25%。這是由于需求增長和供給收縮。主要由于以三星、海力士為代表的企業(yè)正投入一場存儲(chǔ)器創(chuàng)新競賽,將2DNANDFlash轉(zhuǎn)移至三維閃存3DNANDFlash的技術(shù)革命,以及國產(chǎn)品牌手機(jī)出貨量持續(xù)增長,新一代iPhone產(chǎn)品推出,存儲(chǔ)器產(chǎn)能正被大量消耗導(dǎo)致產(chǎn)能增長放緩。
國內(nèi)存儲(chǔ)器目前主要依靠進(jìn)口,根據(jù)數(shù)據(jù),我國每年進(jìn)口的存儲(chǔ)器金額約為600億美元。為此,國家下定決心發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)。在這樣的格局中,國家已經(jīng)下定決心發(fā)展存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè),通過自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭。
國產(chǎn)存儲(chǔ)器正在南京、武漢、晉江三地建構(gòu)著三足鼎立之勢,2016年7月,紫光控股、國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金、湖北國芯產(chǎn)業(yè)投資基金合伙企業(yè)(有限合伙)和湖北省科技投資集團(tuán)共同出資240億美元成立了長江存儲(chǔ)。長江存儲(chǔ)主要從事3DNANDFlash的芯片與制造,旗下?lián)碛腥Y子公司武漢新芯。武漢新芯成立于2006年,2008年開始量產(chǎn),擁有12英寸集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力,其閃存與影像傳感器制造技術(shù)位居世界前列,并且布局了物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域,同時(shí)從事SOC、三維集成、MCU平臺(tái)等工藝技術(shù)的研發(fā)與生產(chǎn)。
在全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵時(shí)刻,不知中國企業(yè)能夠也能開拓出一片屬于自己的市場。中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)起步較晚,我國作為全球最重要的存儲(chǔ)器市場,在國家產(chǎn)業(yè)政策扶持以及大量資本投入的背景下,通過自主研發(fā)關(guān)鍵技術(shù)與引入半導(dǎo)體巨頭,有望實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的“彎道超車”,在全球競爭中占有一席之地。
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