9月2日，長江存儲正式對外宣布，其基于Xtacking?架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存（每顆裸芯片的存儲容量為256千兆字位，每個存儲單元為三個字位的三維閃存）正式量產(chǎn)，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 14:31:15
1204 的堆疊NAND閃存 V-NAND實(shí)現(xiàn)了具有最新第六代產(chǎn)品的128層單堆疊，并通過TLC實(shí)現(xiàn)了512 Gb（千兆位）容量。它計劃于2020年投放市場，并且正在針對在5年內(nèi)達(dá)到500層或更多層的堆棧
2019-11-25 09:52:315472 256Gb 3D V-NAND閃存芯片。目前備受矚目的三星48層V-NAND 3D快閃存儲器已經(jīng)出現(xiàn)在市場上了，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)總算等到了大好機(jī)會先睹為快。
2016-07-13 10:32:436006 明年蘋果iPhone將迎來十周年，屆時將發(fā)布的iPhone 8將進(jìn)行大幅升級，除采用了OLED曲面屏全新設(shè)計外，配置方面自然也會提升不少?？紤]到今年iPhone 7和7 Plus都將存儲提升至256GB，如果蘋果再提升，明年512GB版iPhone就有望跟我們見面。
2016-11-21 10:39:181007 西數(shù)公司日前表示今年會試產(chǎn)512Gb核心容量的64層堆棧3D NAND閃存，單顆核心容量就達(dá)到了64GB，比目前主流水平翻倍，制造超大容量SSD硬盤更容易了。
2017-02-07 14:21:31750 據(jù)外媒報道，東芝今天宣布正式出貨BiCS FLASH 3D閃存，采用64層堆疊，單晶粒容量512Gb（64GB，TLC），相對于上一代48層256Gb，容量密度提升了65%，這樣封裝閃存芯片的最高容量將達(dá)到960GB。
2017-02-23 08:33:401507 電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊：三星今天在韓國宣布，開始大規(guī)模量產(chǎn)64層堆疊、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND閃存芯片，是為第四代3D閃存。
2017-06-16 06:00:002000 1、三星宣布512GB eUFS3.1閃存已大規(guī)模生產(chǎn)，寫入速度提升3倍 據(jù)ZDnet報道，三星電子宣布，已經(jīng)開始大規(guī)模生產(chǎn)面向智能手機(jī)的512GB嵌入式通用閃存（eUFS） 3.1。這款新的閃存
2020-03-18 11:33:374512 閃存。 ? ? 容量方面，該系列產(chǎn)品能夠提供內(nèi)存容量由6GB到12GB、閃存容量由128GB到512GB。 ? 性能方面，LPDDR5能夠支持25GB/s的讀寫速度，相較之前的LPDDR4X快1.5
2021-06-17 07:08:003267 全新的256GB、512GB和1TB閃存設(shè)備允許智能手機(jī)和移動應(yīng)用程序充分利用5G網(wǎng)絡(luò)的高速率 為了繼續(xù)推動通用閃存(1)（UFS）技術(shù)的發(fā)展，全球存儲器解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者鎧俠株式會社近日宣布，具有
2023-06-06 14:30:191529 
我們將會介紹SSD市場的一些最新發(fā)展，如日益普及的3D NAND和存儲器單元的堆疊技術(shù)。3D NAND緊跟三星之后，慢慢地肯定有更多的制造商使用3D NAND閃存。 利用這種技術(shù)，使存儲單元被垂直堆疊
2017-11-17 14:30:57
，既有超強(qiáng)的性能，同時兼顧了低功耗的設(shè)計，外加強(qiáng)大的3D性能及視頻處理能力，將成為三星高端市場的主力處理器。S5P6818 核心板尺寸為標(biāo)配了1GB DDR3內(nèi)存、8GB EMMC存儲并配備有三星電源
2017-06-29 09:30:45
SSD 512GB MLC MSATA
2024-03-14 21:39:58
SSD 512GB SATAIII
2024-03-14 20:38:08
`1.三星嵌入式方案思科德技術(shù)是從事三星嵌入式方案開發(fā)的專業(yè)團(tuán)隊(duì)，專注于以三星ARM處理器為核心的嵌入式平臺開發(fā)。 思科德技術(shù)經(jīng)歷多年的研發(fā)和服務(wù)客戶，開發(fā)出的產(chǎn)品方案包括平板電腦、手持設(shè)備、廣告機(jī)
2013-11-19 17:26:07
三星大中華區(qū)首席技術(shù)官裵容徹先生表示，三星不斷進(jìn)行技術(shù)創(chuàng)新，新一代的QLC產(chǎn)品成本可以降低60%，同時還推出了容量高達(dá)1Tb的V-NAND技術(shù)，速度將會達(dá)到1200Mbps。在市場應(yīng)用方面，三星推出
2018-09-20 17:57:05
韓國三星電子日前宣布，位于中國陜西省西安市的半導(dǎo)體新工廠已正式投產(chǎn)。該工廠采用最尖端的3D技術(shù)，生產(chǎn)用于服務(wù)器等的NAND閃存（V-NAND）。三星電子希望在IT（信息技術(shù)）設(shè)備生產(chǎn)基地聚集的中國
2014-05-14 15:27:09
DTDUO3C/32GB/64GB閃存硬盤DTDUO3C/128GB全球記憶體模塊龍頭金士頓 (Kingston)亞太區(qū)Flash Memory業(yè)務(wù)總監(jiān)蘇治源表示，該公司NAND Flash產(chǎn)品去年
2022-02-10 12:26:44
固態(tài)硬盤（SSD） FLASH - NAND（TLC） 512GB mSATA
2024-03-14 22:58:08
3D NAND提高市場競爭力，控制芯片選擇了Silicon Motion SM2262EN。原廠早在2018下半年開始量產(chǎn)96或92層3D NAND，并陸續(xù)推出了新制程的SSD，比如：三星970
2022-02-06 15:39:12
USB2.0接口，并且在2.0接口時也能夠有足夠的傳輸速度。目前將推出512GB的版本，1TB版本將在第一季稍后上市。DTVP30/4GB/8GB/16GBDTVP30/32GB/64GB
2022-02-10 12:13:59
BiCS 3的TLC NAND芯片沒任何區(qū)別，均包含256Gb和512Gb兩種規(guī)格，但是采用BiCS 4技術(shù)的QLC的存儲芯片還可以有768Gb甚至1Tb這兩種規(guī)格。同時西部數(shù)據(jù)在他們的PPT中表示從
2022-02-03 11:41:35
64層3D TLC NAND的512Gb，容量翻倍，這使得總GB當(dāng)量的NAND Flash供應(yīng)增加。在需求方面，雖然三星、蘋果、華為等高端旗艦機(jī)容量向512GB升級，但是全球智能型手機(jī)出貨放緩，尤其是
2022-02-01 23:19:53
S29GL512S10FAI020閃存芯片S29GL512S11DHI010西部數(shù)據(jù)發(fā)布首款采用3D TLC NAND的汽車嵌入式UFS存儲產(chǎn)品，以滿足高級駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）和自動駕駛汽車等
2022-02-02 08:17:42
應(yīng)用。2018年智能型手機(jī)對大容量需求強(qiáng)勁，尤其是蘋果、三星、華為等新機(jī)容量向512GB升級，正推動高端旗艦機(jī)容量需求翻倍增加。西部數(shù)據(jù)iNAND MC EU321 UFS2.1產(chǎn)品采用了96層3D NAND技術(shù)
2022-02-02 08:45:13
*timer){return HRTIMER_NORESTART;//不重復(fù)觸發(fā)，HRTIMER_RESTART;//是重復(fù)觸發(fā)返回值}測試精度達(dá)到1.5us. S5P 6818三星嵌入式開發(fā)板高精度定時器
2017-12-04 11:27:25
SDCS2/256GB-3P1A閃存硬盤SDCS2/512GB-3P1A預(yù)期未來將是平板計算機(jī)和輕薄筆電的時代，為滿足現(xiàn)今消費(fèi)者對行動裝置輕巧便利的產(chǎn)品需求，Kingston Digital
2022-02-08 11:17:32
SSD 512GB MLC M.2 SATAIII
2024-03-14 20:16:33
東芝近日宣布推出多款最大容量為 32GB的嵌入式NAND閃存模塊，這些嵌入式產(chǎn)品應(yīng)用于移動數(shù)碼消費(fèi)產(chǎn)品，包括手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)，樣品將于2008年9月出廠，從第四季度開始量產(chǎn)
2008-08-14 11:31:20
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費(fèi)產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
的3D閃存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND閃存（3DNAND閃存中的一種），率先支持ToggleDDR4．0接口，傳輸速度達(dá)到了1．4Gbps，相比64層堆棧的V－NAND閃存提升了40
2021-07-13 06:38:27
大家好，我有一個有趣的困境，我無法在網(wǎng)上找到任何地方。我有一個三星970 pro 512gb用于啟動驅(qū)動器，WD Black 4TB Hdd用于存儲，而intel optane 800p 58gb
2018-12-03 15:33:05
閃存（charge trap flash，簡稱CTF）路線，相比傳統(tǒng)的FG（Floating Gate，浮柵極）技術(shù)難度要小一些。最終，三星量產(chǎn)的是VG垂直柵極結(jié)構(gòu)的V-NAND閃存，目前已經(jīng)發(fā)展了六
2020-03-19 14:04:57
處理器，1GB DDR3 1600內(nèi)存及8GB eMMC，配合專用的電源管理芯片，支持鋰電池管理，將性能與功耗完美平衡，能滿足大多數(shù)用戶的需求。對于要求苛刻的場合，飛凌嵌入式還可提供工業(yè)級和汽車級
2015-05-20 14:47:23
產(chǎn)品系列，滿足市場對不同性能的需求。 飛凌嵌入式i.MX6開發(fā)平臺采用核心板+底板結(jié)構(gòu)，默認(rèn)配置為：4核i.MX6Quad處理器，1GB DDR3 1600內(nèi)存及8GB eMMC，配合專用的電源管理
2015-05-20 17:58:22
三星推出64GB moviNAND閃存芯片
三星近日公布了兩款采用新制程技術(shù)的閃存產(chǎn)品。其中moviNAND閃存芯片產(chǎn)品使用了三星最新的3xnm制程NAND芯片，單片封裝的最大容量可達(dá)64GB
2010-01-14 17:00:04713 金士頓發(fā)布512GB新品固態(tài)硬盤
金士頓今天發(fā)布了新款SSDNow V+系列固態(tài)硬盤，容量達(dá)到512GB。雖然原本印象中SSDNow V系列以低價面向固態(tài)
2010-01-27 09:22:02552 11月21日消息，目前蘋果iPhone手機(jī)最高存儲容量為256GB?，F(xiàn)在有微博網(wǎng)友爆料，蘋果將在明年將iPhone8高配版存儲容量升級為512GB。
2016-11-21 17:54:062531 迷你的BG系列M.2 SSD，尺寸進(jìn)一步下降到了20*16mm，遠(yuǎn)小于現(xiàn)有的2242規(guī)格，最大可以做到512GB容量。
2017-01-10 02:59:115142 如今，不少手機(jī)都不能拓展內(nèi)存，用戶在使用時，可能會遇到過存儲空間不足的情況，只能不斷刪文件清出空間。為了解決這一問題，臺灣某廠商就推出了一款UFS 2.1主控制器，最高可搭配512GB閃存。
2017-03-13 14:38:52805 在三星S8賣得最火熱的時候，S9也慢慢被曝光了。據(jù)悉，三星S9身上有諸多光環(huán)——驍龍845頂級處理器、8GB運(yùn)存 、512GB存儲空間、5.7英寸4K AMOLED屏幕等。
2017-05-16 11:07:511793 2018年是3D NAND產(chǎn)能快速增長的一年，主要是因?yàn)镕lash原廠三星、東芝、SK海力士、美光等快速提高64層3D NAND生產(chǎn)比重，而且相較于2D NAND技術(shù)，64層256Gb和512Gb在市場上的廣泛應(yīng)用，使得高容量的NAND Flash相關(guān)產(chǎn)品價格持續(xù)下滑
2018-07-16 09:48:00667 三星512GB UFS閃存開始量產(chǎn)，它具有860MB/s讀取速度和255MB/s寫入速度，它的存在必將滅亡手機(jī)存儲卡。
2017-12-05 14:21:281450 三星表示，這款512GB的閃存芯片專門面向移動設(shè)備開發(fā)，其中整合了八個多層存儲數(shù)據(jù)的V-NAND芯片。和過去三星256GB的芯片相比，雖然容量翻一倍，但是使用的空間卻相同。這給手機(jī)設(shè)計帶來了福音。
2017-12-06 11:03:441038 蘋果之前向外宣布明年的新iPhone將會進(jìn)行擴(kuò)容到512GB儲存容量，不久后就有網(wǎng)友爆出中國廠商已經(jīng)率先為iPhone加512GB存儲，搶先蘋果官方一步，還表明升級512GB 容量并不太復(fù)雜。
2017-12-10 09:59:519164 在Intel第三代3D閃存固態(tài)盤我們可以知道的是，用上了 Host Memory Buffer （HMB）技術(shù)，Intel的單Die升級到了512Gb，不需要整合DRAM做緩沖池。具體的信息將會CES 2018上才知曉。
2017-12-25 15:18:453039 據(jù)報道最大容量512GB的microSD存儲卡終于開始發(fā)售，該卡支持Video Speed Class 10即V10標(biāo)準(zhǔn)，滿足10MB/s寫入速度，可用于一般的電子移動設(shè)備。
2018-01-23 16:06:441378 三星在今年必然會發(fā)的手機(jī)中，還有一款備受期待，就是三星Galaxy Note 9，在外觀上可能會繼續(xù)保留Note 8的設(shè)計，但會在內(nèi)部性能上有明顯的提升。根據(jù)知情人士爆料，Galaxy Note 9很有何能帶來8GB內(nèi)存＋512GB存儲的配置。
2018-06-11 16:37:00717 
日前，英國一家名為Integral Memory的公司，推出了全球首款512GB TF存儲卡。
2018-06-01 15:10:004760 據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167 隨著Flash各家原廠紛紛升級到64層3D NAND技術(shù)量產(chǎn)256Gb或512Gb單顆Die，以及提高新工廠的產(chǎn)出量，2018年三星將全面向3D NAND普及，美光預(yù)計2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:431607 三星在德國官方網(wǎng)站上架了512GB的存儲卡，它的價格高到嚇人，將近2300元，再加個兩百元，都快買部小米8的旗艦機(jī)了。
2018-11-02 14:42:433324 聯(lián)想小新潮7000 14銳龍版搭載了512GB的NVMe PCIe SSD，讀寫性能不僅大幅領(lǐng)先于普通SATA SSD，即使與同系列256GB相比，連續(xù)寫入速度也有較大提升。同時采用8GB DDR4
2018-11-08 17:29:055838 今年8月初，NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2018-11-23 08:36:52935 6月15日，三星電子宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)第四代64層256Gb V-NAND，與48層256Gb V-NAND相比，生產(chǎn)效率將提高30%以上。東芝/西部數(shù)據(jù)、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115 價格方面，11英寸無線局域網(wǎng)+蜂窩網(wǎng)絡(luò)機(jī)型售價分別為7699元（64GB）、8899元（256GB）、10499元（512GB）和13699元（1TB）。12.9寸無線局域網(wǎng)+蜂窩網(wǎng)絡(luò)機(jī)型售價分別為9299元（64GB）、10499元（256GB）、12099元（512GB）和15299元（1TB）。
2018-12-30 10:00:003149 1TB固態(tài)硬盤單價已經(jīng)有節(jié)奏的下跌50%，存儲芯片價格崩盤再次給高容量的固態(tài)硬盤普及推波助瀾。很快，傳說中的512GB和1TB產(chǎn)品將會成為主流。
2019-02-18 15:19:051146 隨著3D閃存的問世，固態(tài)硬盤的容量一直在提升，同時SSD主控技術(shù)也在進(jìn)步。早在850 PRO和850 EVO這一行業(yè)首個使用V-NAND技術(shù)的消費(fèi)者固態(tài)硬盤，當(dāng)時用的還是MHX主控，閃存則是從32層堆棧升級到了48層堆棧。
2019-05-09 11:25:2623082 現(xiàn)在，長江存儲聯(lián)席首席技術(shù)官、技術(shù)研發(fā)中心高級副總裁程衛(wèi)華接受采訪時表示，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-09-02 16:30:002263 的存儲空間將從64GB提高到128GB，iPhone XI系列會保留256GB/512GB的高配版本，但iPhone XR 2019是否會提供512GB存儲版本還未能確定。
2019-06-08 18:08:005443 此次三星推出的三星Galaxy A50是三星旗下的一款中端產(chǎn)品。該機(jī)配備6.4英寸顯示屏，后置三顆攝像頭，包括一個主攝像頭、一個景深鏡頭和一個廣角鏡頭；配備4000mAh電池，輔以64GB存儲，支持512GB最大擴(kuò)容。
2019-06-12 16:44:442727 數(shù)據(jù)的高速膨脹加大了用戶對大容量SSD的需求，上個月，影馳正式推出了主打大容量的全新擎系列SSD，目前擁有512GB和1TB兩種型號，未來還會根據(jù)用戶的需求推出更多、更大的容量。
2019-07-12 09:27:022823 據(jù)外媒報道稱，三星歐洲等官網(wǎng)上都已經(jīng)出現(xiàn)了Note 10的細(xì)節(jié)，不過雖然不多，但是還是能看出一些端倪，比如Note 10+將會運(yùn)行安卓10.0系統(tǒng)，并且頂配是512GB版本，當(dāng)然也有256GB版本
2019-07-30 10:39:477818 Galaxy Book S提供了13.3英寸的全高清觸控屏，采用8GB LPDDR4X內(nèi)存，最高512GB機(jī)身存儲，最多支持1TB的micro SD卡。這款筆記本電腦的電池42Wh，三星稱視頻播放時間長達(dá)23小時，這表明充滿電就能用一整天。該筆記本電腦還支持QC 2.0和PD 2.0快充。
2019-08-09 08:46:551150 三星發(fā)布全新企業(yè)級固態(tài)硬盤PM1733，該產(chǎn)品采用了三星自家研發(fā)的主控，搭配自家的第五代V-NAND閃存，單Die容量512Gb(64GB)，提供兩種不同規(guī)格，一個是2.5英寸雙U.2接口，另一個是PCIe接口。
2019-08-21 16:52:492564 5G超級SIM卡有SIM卡有完整通訊功能的同時，它也是一張超大容量的存儲卡。目前有32GB、64GB和128GB三個版本，未來還將推出512GB和1TB版本。
2019-08-26 16:50:123312 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進(jìn)一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-03 10:38:04624 三星推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進(jìn)一步提高容量和密度，它擁有100多個活動層。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，三星公司不得不使用新的電路設(shè)計技術(shù)。
2019-09-09 16:05:251151 跟據(jù)先前曝光的信息顯示，三星W20 5G基本款的內(nèi)部存儲空間將上調(diào)到512GB，而去年基本型號的W系設(shè)備則只有128GB存儲空間和256GB選項(xiàng)。同時預(yù)計還將支持UFS 3.0存儲。
2019-09-17 10:31:521942 9月19日晚上20點(diǎn)，Redmi最強(qiáng)旗艦K20 Pro尊享版將正式發(fā)布，官方最新預(yù)熱海報顯示，新機(jī)將搭載512GB超大存儲空間。
2019-09-18 11:48:314971 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 據(jù)悉，三星W20 5G采用4235mAh雙芯電池，搭配12GB+512GB大內(nèi)存，采用Dynamic AMOLED材質(zhì)的可折疊柔性屏幕，6攝像頭組合。
2019-11-20 10:16:341041 NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產(chǎn)業(yè)界首款消費(fèi)級QLC SSD，SATA接口，最大容量4TB，采用第四代V－NAND，64層3D堆疊，單芯片容量1Tb（128GB）。
2019-12-13 11:35:481156 為什么買了512GB的硬盤到手只有480GB？
2019-12-17 09:55:3515894 為什么買了512GB的硬盤到手只有480GB？
2019-12-17 09:59:535930 今日，三星電子宣布已開始量產(chǎn)512GB封裝容量的eUFS 3.1閃存，可用于手機(jī)、平板等。
2020-03-17 11:45:262147 三星今日宣布開始量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，其連續(xù)寫入速度超過1.2GB/s，是其前代產(chǎn)品寫入速度的3倍。
2020-03-17 14:22:143065 3月18日消息，據(jù)國外媒體報道，三星電子日前公告稱，該公司開始大規(guī)模量產(chǎn)512GB eUFS 3.1芯片，適用于旗艦智能手機(jī)。
2020-03-18 17:01:052534 智能手機(jī)的運(yùn)算能力越來越高，下載速度也越來越快，儲存芯片的讀寫速度亦需要配合，才能發(fā)揮每個環(huán)節(jié)的最高效能。日前三星（Samsung）就宣布開始大規(guī)模投產(chǎn)512GB的eUFS 3.1儲存芯片，它的特點(diǎn)就是其讀寫速度較上一代更快。
2020-03-21 10:06:272417 長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布其128層QLC 3D NAND閃存（型號：X2-6070）研發(fā)成功。同時發(fā)布的還有128層512Gb TLC（3 bit/cell）規(guī)格閃存芯片（型號：X2-9060），用以滿足不同應(yīng)用場景的需求。
2020-07-06 16:49:421372 存儲芯片大廠SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，TLC顆粒，容量達(dá)512Gb（64GB）。 ? 據(jù)，SK海力士透露，該閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術(shù)
2020-12-14 15:55:321072 加而成，第一批為TLC顆粒，單個Die的容量為512Gb（64GB），當(dāng)然后期很可能會加入QLC。 更重要的是，美光不只是宣布了新技術(shù)，而且176層閃存已經(jīng)量產(chǎn)并出貨了，已經(jīng)用于一些Crucial英睿達(dá)品牌的消費(fèi)級SSD，明年還會發(fā)布更多新產(chǎn)品。 在176層閃存技術(shù)上，美光
2020-11-14 10:01:201797 、512GB，那么這兩種情況下SSD有什么區(qū)別，廠商為什么要隱瞞部分SSD容量呢？ 針對這個現(xiàn)象，長江存儲旗下的致鈦科技今天繼續(xù)科普SSD硬盤，這次就談到了SSD足容的問題。 首先，閃存顆粒在設(shè)計的時候都是以2的冪次方來設(shè)計的，比方說256GB、512GB等，所以依托于閃存顆粒進(jìn)行
2020-12-01 16:24:369782 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。 SK海力士透露，閃存單元架構(gòu)為CTF（電荷捕獲），同時集成了PUC技術(shù)。 4D閃存是SK
2020-12-07 13:49:271552 繼美光后，SK海力士宣布完成了業(yè)內(nèi)首款多堆棧176層4D閃存的研發(fā)，容量512Gb（64GB），TLC。
2020-12-07 13:44:091666 12月7日，韓國半導(dǎo)體公司SK海力士表示，近期已成功研發(fā)出基于三層存儲單元（TLC）的176層512Gb（千兆位）NAND閃存。
2020-12-08 11:01:411697 （約合人民幣8400元）； Galaxy S21 Ultra起售價1349歐元（約合人民幣10700元）。 值得注意的是，Galaxy S21 Ultra提供了128GB、256GB和512GB三種存儲選擇，其中512GB頂配版本售
2020-12-23 10:18:333010 據(jù)供應(yīng)鏈消息，今年 iPhone Pro 系列的最高存儲容量將從 512GB 翻倍到 1TB。
2021-03-05 16:35:20521 根據(jù)官方介紹，除子18GB運(yùn)存，紅魔6 Pro氘鋒透明版還配備512GB大存儲空間，售價6599元，比256版本的iPhone12便宜1000元。
2021-03-08 17:03:138240 今日，作為先進(jìn)內(nèi)存技術(shù)的廠商，三星宣布開發(fā)出三星首款512GB內(nèi)存擴(kuò)展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業(yè)化邁出了重要一步，CXL將在IT系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的內(nèi)存容量且更低的延遲。
2022-05-10 10:16:081370 的整體使用體驗(yàn)。 本次升級的目的是找一塊價格實(shí)惠且擁有不錯性能的固態(tài)硬盤,于是致鈦的 SC001 Active系列 512GB 版本就成為了我的選擇,對于沒有多余 M.2 接口的用戶來說,2.5 吋 SATA 盤的拓展性時至如今仍舊非常優(yōu)秀。并且 SC001 搭載的長江存儲原廠顆粒品質(zhì)
2022-06-16 15:03:4211465 
搭載 MediaTek 天璣 8100 5G 移動平臺，兼具澎湃性能與冰封能效；LPDDR5 + 512GB 超大存儲組合，處理速度大幅提升；144Hz 高配 LCD 屏幕，暢享高配護(hù)眼視覺
2022-10-27 09:57:184258 和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。 三星電子第八代V-NAND，
2022-11-08 13:37:36577 2Gb以下容量的 NAND型閃存絕大多數(shù)是（512+16）字節(jié)的頁面容量，2Gb以上容量的NAND型閃存則將頁容量擴(kuò)大到（2048+64）字節(jié)。
2023-06-10 17:21:001983 三星電子計劃從今年第四季度開始生產(chǎn)128gb和256gb產(chǎn)品，并生產(chǎn)512gb產(chǎn)品。256gb產(chǎn)品的連續(xù)讀取速度為2000兆/秒，連續(xù)寫入速度為700兆/秒。
2023-07-14 11:33:52452 據(jù)《電子時報》報道，三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元，比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示，由于上下nand閃存的庫存緩慢，很難說服上調(diào)價格。
2023-08-02 11:56:24762 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282
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