相對(duì)于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:44
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，這是第一顆國(guó)產(chǎn)的DDR4內(nèi)存芯片。 根據(jù)產(chǎn)品介紹，目前兩款 DDR4 顆粒單顆容量均為 8Gb（1GB），頻率 2666MHz，工作電壓 1.2V，工作溫度 0℃ 到 95 ℃，采用 78-ball
2020-02-27 09:01:118110 今年2月底，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)官方宣布，符合國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的自產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4內(nèi)存芯片全面開始供貨，這也是DDR4內(nèi)存第一次實(shí)現(xiàn)真正國(guó)產(chǎn)，并采用國(guó)產(chǎn)第一代10nm級(jí)工藝制造
2020-05-22 11:47:378324 Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）近日宣布領(lǐng)先業(yè)界推出基于 32Gb 單裸片的128GB DDR5 RDIMM 內(nèi)存，具有高達(dá) 8,000 MT/s 速率
2023-11-24 15:08:02663 
0.13μm非易失性FRAM產(chǎn)品的增強(qiáng)的耐久性能
2021-02-04 07:15:14
概述：MAX5128非易失、單路、線性變化數(shù)字電位器，能夠?qū)崿F(xiàn)機(jī)械電位器的功能，用簡(jiǎn)單的2線數(shù)字接口取代機(jī)械調(diào)節(jié)。MAX5128具有與分立電位器或可變電阻器相同的功能，提供128抽頭、22kΩ端到端
2021-05-17 07:50:42
3D顯示技術(shù)的原理是什么？3D顯示技術(shù)有哪些應(yīng)用？3D拍好了到底怎么樣傳輸？
2021-05-31 06:53:03
作者：一博科技高速先生自媒體成員 黃剛“我們的DDR3運(yùn)行得很穩(wěn)定！”，“我們的DDR4系統(tǒng)的運(yùn)行速率和帶寬都足夠了！”當(dāng)大家還在沉浸在DDR3和DDR4給你們帶來的穩(wěn)定和高帶寬高速率的時(shí)候，高速
2021-08-12 15:42:06
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:53:43
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-03-12 16:05:56
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存檢測(cè)儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 22:58:49
頻率的DDR3/DDR2/DDR/SD 內(nèi)存條，內(nèi)存芯片測(cè)試范圍: DDR3----------0—16G DDR2---------0—8G  
2009-03-13 15:46:57
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:50:27
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條, 內(nèi)存
2009-02-10 22:55:45
江山科技最新推出JS-9500內(nèi)存測(cè)試儀(SD/DDR/DDR2/DDR3)為領(lǐng)先業(yè)界的軟硬件測(cè)試系統(tǒng),采用國(guó)際內(nèi)存業(yè)界最先進(jìn)自動(dòng)儲(chǔ)存器測(cè)試程序,能快速、準(zhǔn)確檢測(cè)內(nèi)存條,筆記本
2009-08-17 23:00:19
還未接觸過DDR4，在LAYOUT顆粒設(shè)計(jì)中，布局布線上DDR3與DDR4有沒有區(qū)別？有哪些區(qū)別？
2019-03-07 10:11:39
DDR4 DESIGNDDR4 DESIGNDDR4 DESIGN拿走拿走！
2015-04-24 18:06:37
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
在CMD、ADD、CTRL信號(hào)為高電平時(shí)線路中就不會(huì)存在電流，可以降低功耗。DDR3和DDR4端接方式的對(duì)比如圖4所示。圖 4 DDR3和DDR4端接方式對(duì)比3 ACT_n信號(hào)為了避免由于容量增加
2019-11-12 12:40:17
中高端顯卡常用的128MB顯存便需8顆。而DDR3顯存規(guī)格多為8M X 32bit，單顆顆粒容量較大，4顆即可構(gòu)成128MB顯存。如此一來，顯卡PCB面積可減小，成本得以有效控制，此外，顆粒數(shù)減少后
2011-02-27 16:47:17
內(nèi)存條是如何誕生的？內(nèi)存條容量是怎樣變化的？DDR4還是很年輕？還有發(fā)展空間嗎？
2021-06-18 07:24:30
非易失可重復(fù)編程FPGA的應(yīng)用有哪些？
2021-05-08 08:17:26
我們正在構(gòu)建一個(gè)設(shè)備來測(cè)量消耗。電路 ACS712 讀取那一刻的消耗量，所以，我需要做一個(gè)每秒累加的方法。問題：非易失性內(nèi)存有寫入限制，所以我需要使用易失性內(nèi)存。寫入易失性存儲(chǔ)器是否有一些限制？我們的想法是每秒讀取一次 ACS712 并寫入易失性存儲(chǔ)器，每 10 分鐘寫入一次非易失性存儲(chǔ)器。
2023-05-30 08:48:06
非易失性SRAM（nv SRAM）結(jié)合了賽普拉斯行業(yè)領(lǐng)先的SRAM技術(shù)和一流的SONOS非易失性技術(shù)。在正常操作下，nv SRAM的行為類似于使用標(biāo)準(zhǔn)信號(hào)和時(shí)序的常規(guī)異步SRAM。nv SRAM執(zhí)行
2020-04-08 14:58:44
做嵌入式開發(fā)的工程師肯定都接觸過DDR，DDR就是我們常說的內(nèi)存的大小，現(xiàn)在DDR已經(jīng)發(fā)展到DDR5系列了，存儲(chǔ)容量和存儲(chǔ)速度都得到了極大的提高。但嵌入式項(xiàng)目中目前用到最多的還是DDR3和DDR4
2020-09-16 15:30:27
-2P/256GB-2PDTKN/32GB/64GBDTKN/128GB/256GBDT80/32GB/64GBDT80/128GB/256GBDT100G3/32GB/64GBDT100G3/128GB/256GB
2022-02-10 12:13:59
LS1012AXN7EKB是否支持128GB容量的SD卡（SDXC）？
2023-03-22 07:06:21
能夠以128GB的超高容量，于3000MHz的高時(shí)脈順利運(yùn)作。這組HyperX Predator DDR4是由單條16GB的存儲(chǔ)器共八條所組成，并具有超低的16-16-16-36時(shí)序以及XMP設(shè)定
2022-02-13 11:25:18
嗨，我正在嘗試在Kintex UltraScale（KCU105）中實(shí)現(xiàn)DDR4內(nèi)存，但是（DDR4 SDRAM（MIG））中的特定部分不可用。部分是：MT401G16HBA-083E：我應(yīng)該為實(shí)現(xiàn)這個(gè)內(nèi)存做什么。？注意：我正在使用VIVADO 2016.1謝謝Luis。
2020-04-26 13:58:08
的存儲(chǔ)卡，那三星就是你的菜。三星公司的高端MicroSD存儲(chǔ)卡產(chǎn)品線Pro Plus最新推出128GB容量版本。天啊，還真不便宜！該款存儲(chǔ)卡起售價(jià)$199.99，對(duì)于一張存儲(chǔ)卡而言，這個(gè)定價(jià)可以算得
2015-12-16 11:31:26
非易失性存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理劉鋼先生表示，英特爾對(duì)大數(shù)據(jù)進(jìn)行了分層：溫?cái)?shù)據(jù)和熱數(shù)據(jù)，對(duì)存儲(chǔ)的需求已不僅僅表現(xiàn)在大容量存儲(chǔ)上，更多的是要求快速處理。2018年英特爾基于QLC和3D Xpoint技術(shù)將推動(dòng)
2018-09-20 17:57:05
就在前幾天，網(wǎng)上曝光出具有紫光國(guó)芯標(biāo)識(shí)的PC DDR4內(nèi)存條，是完全自主研發(fā)的DRAM顆粒。單條容量為4GB，具體參數(shù)不詳。在今年一月份，紫光集團(tuán)投資2000億元在南京建設(shè)半導(dǎo)體基地，建成后將成
2018-03-28 23:42:26
4個(gè)插槽，我們可以容納128GB內(nèi)存，但CPU只支持64GB內(nèi)存。DELL 7730也是如此非常感謝以上來自于谷歌翻譯以下為原文Hi everyone,I wonder how can Lenovo
2018-10-26 14:58:40
的防呆缺口位置是不同的，不能混插。常見的容量是512MB到8GB，當(dāng)然也有單條16GB的DDR3內(nèi)存，只不過很稀少。Intel酷睿i系列(如LGA1156處理器平臺(tái))、AMD AM3主板及處理器的平臺(tái)
2022-10-26 16:37:40
和32GB。而DDR4最大單條容量為128GB，更大的容量意味著DDR4可以給更多的應(yīng)用提供支持。4，功耗不同通常情況下，DDR3的內(nèi)存的工作電壓為1.5V，耗電較多，而且內(nèi)存條容易發(fā)熱降頻，影響性能。而
2019-07-25 14:08:13
增強(qiáng)信號(hào)的完整性、改善資料傳輸及儲(chǔ)存的可靠性。根據(jù)宏旺半導(dǎo)體對(duì)存儲(chǔ)市場(chǎng)的觀察，DDR一代與DDR2在市面上已將很少見了，臺(tái)式機(jī)的內(nèi)存條普遍已經(jīng)使用DDR4了，DDR3在機(jī)頂盒、光貓、智能電視等領(lǐng)域依舊
2019-08-01 10:17:46
佛山回收DDR4高價(jià)回收DDR4，佛山專業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-07-15 19:36:21
佛山回收DDR4高價(jià)回收DDR4，佛山專業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-12-27 19:25:08
、DDR2與DDR3內(nèi)存的特性區(qū)別: 1、邏輯Bank數(shù)量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計(jì)，目的就是為了應(yīng)對(duì)未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始
2011-12-13 11:29:47
。本文結(jié)合筆者承擔(dān)的T比特路由器項(xiàng)目,對(duì)其中的大容量高速DDR內(nèi)存接口的設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)進(jìn)行了詳細(xì)闡述。本文第2節(jié)對(duì)與DDR內(nèi)存相關(guān)的知識(shí)做了簡(jiǎn)單的介紹，從總體上對(duì)DDR內(nèi)存有個(gè)認(rèn)識(shí)；第3節(jié)闡述了DDR內(nèi)存接口
2019-04-12 07:00:09
大家好，有誰知道如何從.mem文件初始化加密的ddr4內(nèi)存模型？在參考fromxapp1180項(xiàng)目時(shí)，發(fā)現(xiàn)使用以下命令初始化ddr3內(nèi)存： $ readmemh（ “ddr3
2020-05-11 09:17:30
將 DDR4 內(nèi)存添加到 imx8mp
2023-04-20 10:59:17
DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別文所有權(quán)歸作者Aircity所有1什么是DDRDDR是Double Data Rate的縮寫，即“雙比特翻轉(zhuǎn)”。DDR是一種技術(shù)，中國(guó)大陸工程師
2021-09-14 09:04:30
回收DDR4，收購(gòu)DDR4,24h開心財(cái)富熱線：趙生--135-3012-2202QQ-8798-21252 帝歐電子長(zhǎng)期專業(yè)高價(jià)回收flash， 回收DDR，回收手機(jī)字庫(kù)?；厥杖耭lash，回收
2021-09-08 14:59:58
閃存中BiCS技術(shù)的閃存核心面積最低，也意味著成本更低。此外，鎧俠今年推出的UFS 3.1嵌入式Flash閃存芯片，同樣是基于東芝BiCS 3D存儲(chǔ)技術(shù)打造，設(shè)計(jì)容量包括128GB、256GB
2020-03-19 14:04:57
本帖最后由 dealicdz 于 2021-3-30 15:41 編輯
蘇州專業(yè)收購(gòu)DDR4曉色又侵窗紙。窗外雞聲初起。蘇州長(zhǎng)期高價(jià)回收DDR4，專業(yè)收購(gòu)DDR4，深圳帝歐電子長(zhǎng)期現(xiàn)金高價(jià)回收
2021-03-17 17:59:10
英特爾SSD 800P，900P，905P系列的存儲(chǔ)介質(zhì)都是相變存儲(chǔ)器，我看到英特爾SSD DC P4800X系列只有128Gb 20nm Intel 3D Xpoint相變存儲(chǔ)器。所以我不知道
2018-11-19 14:18:38
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢(shì)呢？
2021-06-18 08:58:23
筆者有個(gè)筆記本使用的三星Samsung BGND3R 32GB eMMC字庫(kù)，想升級(jí)一下，請(qǐng)問可以更換那些字庫(kù)？可以更換128GB的哪些型號(hào)？N3150 Braswell平臺(tái)
2020-06-09 06:36:04
是非易失性存儲(chǔ)器，關(guān)電以后，內(nèi)容是可以存儲(chǔ)的；DDR是易失性存儲(chǔ)器，關(guān)電以后，數(shù)據(jù)內(nèi)容是丟失的。綜上，雖然兩者都是存儲(chǔ)器，但卻大相徑庭，在使用過程中發(fā)揮的功能區(qū)別也很大。容量差別大eMMC的容量一般
2019-09-24 11:22:45
DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國(guó)JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì)于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393146 美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。
2011-12-17 21:28:56757 美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭(zhēng)取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。
2011-12-18 14:37:381296 TechInsights的研究人員針對(duì)采用XPoint技術(shù)的英特爾Optane內(nèi)存之制程、單元結(jié)構(gòu)與材料持續(xù)進(jìn)行深入分析與研究。 英特爾（Intel）和美光（Micron）在2015年8月推出了3D
2017-09-18 19:39:00
4 雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們?cè)賮砜纯?b class="flag-6" style="color: red">DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2330895 據(jù)報(bào)道，三星第二代10nm級(jí)別的1y-nm 8Gb DDR4顆粒已經(jīng)正式投產(chǎn)了，8Gb DDR4顆粒采取了先進(jìn)的專用電路設(shè)計(jì)技術(shù)，比初代10nm級(jí)別（1x-nm）的高30%，并且高頻內(nèi)存要以3600MHz起步。
2017-12-21 11:42:512785 對(duì)于速度有著狂熱偏好的芝奇今天又發(fā)布了全球最快的DDR4 SO－DIMM內(nèi)存條，頻率高達(dá)3800MHz，同時(shí)容量也達(dá)到了32GB，隸屬于其Ripjaws系列。
2018-07-05 08:07:005122 SK海力士近日悄然在其產(chǎn)品目錄中增加了16Gb(2GB)容量的單Die DDR4內(nèi)存顆粒，不僅可以使用更少的芯片打造大容量內(nèi)存條，還為單條256GB內(nèi)存條鋪平了道路。
2018-03-09 16:06:003414 近日，Intel官方正式發(fā)布了傲騰DDR4內(nèi)存條，代號(hào)Apache Pass，英文全稱為Optane DC Persistent Memory（直譯：傲騰數(shù)據(jù)中心專用非易失內(nèi)存）。
2018-06-20 07:47:002851 
Crucial近日推出服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品系列新品--128GB DDR4 LRDIMM。 其為該公司至今以來所推出的產(chǎn)品中密度最高的服務(wù)器內(nèi)存模塊，新的DDR4服務(wù)器內(nèi)存具備從2666MTbit/s起跳的速度，可提升每部服務(wù)器所安裝的內(nèi)存容量，以充分運(yùn)用CPU和服務(wù)器硬件效能。
2018-06-25 10:34:002096 三星宣布推出基于10nm級(jí)（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:014789 秀的性能，顯著提高封裝密度和可靠性，同時(shí)有更低的功耗，”Macri說。 DDR4的單個(gè)內(nèi)存顆粒容量2Gb-16Gb，同時(shí)
2018-09-30 00:15:012117 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn)，并簡(jiǎn)單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對(duì)象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因?yàn)橛布O客對(duì)DDR4性能的不斷深挖，目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2823341 九代酷睿處理器的內(nèi)存控制器可以支持16GB核心容量,單條32GB的DDR4內(nèi)存。
2018-10-25 14:21:404532 近日，華碩官方宣布，通過UEFI BIOS更新，旗下Z390系列主板可支持128GB內(nèi)存。接下來，華碩將通過BIOS更新，陸續(xù)為旗下全線Z390系列主板提供最大128GB的內(nèi)存容量支持。
2019-01-11 17:05:433001 關(guān)鍵詞：DRAM , DDR4 三星電子宣布開發(fā)出業(yè)內(nèi)首款基于第三代10nm級(jí)工藝的DRAM內(nèi)存芯片，將服務(wù)于高端應(yīng)用場(chǎng)景，這距離三星量產(chǎn)1y nm 8Gb DDR4內(nèi)存芯片僅過去16個(gè)月。量產(chǎn)時(shí)間
2019-03-29 07:52:01215 5G超級(jí)SIM卡有SIM卡有完整通訊功能的同時(shí)，它也是一張超大容量的存儲(chǔ)卡。目前有32GB、64GB和128GB三個(gè)版本，未來還將推出512GB和1TB版本。
2019-08-26 16:50:123312 最近一年來，DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價(jià)，如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復(fù)三年前接近千元的售價(jià)之勇，只要200多塊就可以搞定。
2019-10-30 15:19:005766 隨著紫光、合肥長(zhǎng)鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國(guó)產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會(huì)迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國(guó)芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)峰會(huì)上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:143029 有不少網(wǎng)友發(fā)現(xiàn)，蘋果中國(guó)官網(wǎng)悄悄更新了內(nèi)存套件，其中新上架的DDR4 ECC內(nèi)存套件為：256GB （2×128GB） 和32GB （2×16GB） DDR4 ECC。
2019-12-30 09:40:122462 據(jù)網(wǎng)友分享，蘋果官網(wǎng)現(xiàn)已上架新款256GB（2x128GB）DDR4 ECC內(nèi)存套件以及32GB（2x16GB）DDR4 ECC內(nèi)存套件。
2019-12-30 15:54:045303 無論臺(tái)式機(jī)還是筆記本，單條32GB容量的內(nèi)存條越來越多，一些特殊領(lǐng)域也漸漸有了。特種存儲(chǔ)廠商SMART Modular今天就發(fā)布了一款工業(yè)級(jí)的32GB DDR4內(nèi)存條，不但容量大，而且身材迷你。
2020-02-15 14:57:542785 長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正使用其10G1工藝技術(shù)（即19nm工藝）來制造4GB和8GB的DDR4內(nèi)存芯片，目標(biāo)是在2020年第一季度上市?，F(xiàn)在，一名用戶就曝光了新款內(nèi)存的外觀和參數(shù)。
2020-02-26 15:01:137803 2 月 28 日訊，國(guó)產(chǎn)首枚 DDR4 內(nèi)存現(xiàn)已面世。在長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的官方網(wǎng)站上，目前已經(jīng)公開列出了自家的 DDR4 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存條、LPDDR4X 內(nèi)存芯片，全部產(chǎn)品都符合國(guó)際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2020-03-02 11:18:281061 江波龍電子旗下嵌入式存儲(chǔ)品牌FORESEE再添新成員，正式發(fā)布首款內(nèi)存產(chǎn)品，宣布正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域。 江波龍正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域，F(xiàn)ORESEE DDR4高端商用內(nèi)存條新品首發(fā) FORESEE DDR4
2020-04-16 12:04:224860 近日，據(jù)嘉合勁威官網(wǎng)消息，國(guó)內(nèi)首款中國(guó)芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條已在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。
2020-07-22 14:14:471683 2020年很多高端手機(jī)都使用了LPDDR5內(nèi)存了，容量也達(dá)到了8GB以上，16GB也不新鮮。但是電腦上的內(nèi)存還是DDR4，DDR5也只完成了標(biāo)準(zhǔn)，還沒量產(chǎn)呢。
2020-09-18 09:51:389435 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個(gè)原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái)，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要
2021-02-27 12:13:5418074 
最近一段時(shí)間，內(nèi)存的價(jià)格還在跌，200元內(nèi)的8GB DDR4內(nèi)存條有大把選擇，從某種程度上來說，DDR4的使命也完成了，目前全行業(yè)平均滲透率達(dá)到了90%。集邦科技旗下的半導(dǎo)體研究中心
2020-11-24 14:14:112157 最近一段時(shí)間，內(nèi)存的價(jià)格還在跌，200元內(nèi)的8GB DDR4內(nèi)存條有大把選擇，從某種程度上來說，DDR4的使命也完成了，目前全行業(yè)平均滲透率達(dá)到了90%。
2020-11-24 14:10:172162 特斯拉在中國(guó)官網(wǎng)上架128GB U盤。
2020-11-27 09:35:204103 嘉合勁威（阿斯加特/光威品牌母公司）今天宣布，旗下的“神可”（Sinker）系列DDR4內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)通過統(tǒng)信軟件的認(rèn)證。
2021-01-28 11:02:101663 DDR4意義就是把入門級(jí)內(nèi)存提升到了4GB，更大的容量...
2021-10-09 15:39:3712884 DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512822 在相同封裝尺寸下，容量是16Gb內(nèi)存模組的兩倍，功耗降低10%，且無需硅通孔(TSV)工藝即可生產(chǎn)128GB內(nèi)存模組
2023-09-01 10:14:29560 摘要：本文將對(duì)DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場(chǎng)景。通過對(duì)比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購(gòu)買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:101089 3是目前使用最為廣泛的計(jì)算機(jī)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，它已經(jīng)服務(wù)了計(jì)算機(jī)用戶多年。但是，DDR4內(nèi)存隨著技術(shù)的進(jìn)步，成為了更好的內(nèi)存選擇。本文將詳細(xì)介紹DDR4和DDR3內(nèi)存的各種區(qū)別。 1. 工作頻率 DDR3內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)工作頻率為1600MHz，而DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)則為2133MHz。這意味著DDR4內(nèi)存的傳輸速度
2023-10-30 09:22:003905 在性能方面，美光公司表示，將128gb ddr5 rdimm產(chǎn)品的單位容量提高了45%以上，能源效率提高了24%，延時(shí)率大幅減少到16%，ai訓(xùn)練效率提高到了28%。
2023-11-29 14:08:51343
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