。 IC Insights最新資料顯示，隨著Flash市場(chǎng)需求增加，各存儲(chǔ)器業(yè)者為擴(kuò)大或升級(jí)3D NAND生產(chǎn)線，紛紛增加Flash資本支出，使得2017與2018年全球該項(xiàng)支出分別年增92%與16%，達(dá)276億與319億美元，均高于各當(dāng)年半導(dǎo)體業(yè)者在DRAM與晶圓代工上的資本支出。 而隨著主要存儲(chǔ)
2019-01-23 09:24:56
1124 報(bào)導(dǎo)，存儲(chǔ)器三強(qiáng)三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時(shí)代做準(zhǔn)備。因存儲(chǔ)器削價(jià)競(jìng)爭(zhēng)結(jié)束后，三大廠認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:421340 受標(biāo)準(zhǔn)型DRAM存儲(chǔ)器供不應(yīng)求影響，4GB DDR3/DDR4原廠顆?，F(xiàn)貨價(jià)持續(xù)飆漲，本月以來(lái)平均漲幅近15%，第三季度以來(lái)累計(jì)漲幅高達(dá)45%至50%，模組價(jià)格本月漲幅也超過(guò)20%。
2016-10-22 22:04:59591 大陸DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等陣營(yíng)陸續(xù)來(lái)臺(tái)鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151561 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子，要是三星擴(kuò)產(chǎn)，好景恐怕無(wú)法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤(rùn)誘人，傳出決定擴(kuò)產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過(guò)電容來(lái)存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
單元的位置無(wú)關(guān)的存儲(chǔ)器。這種存儲(chǔ)器在斷電時(shí)將丟失其存儲(chǔ)內(nèi)容，故主要用于存儲(chǔ)短時(shí)間使用的程序。 按照存儲(chǔ)信息的不同，隨機(jī)存儲(chǔ)器又分為靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Static RAM，SRAM)和動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒(méi)有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動(dòng)態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫(xiě)，翻譯過(guò)來(lái)就是只讀存儲(chǔ)器。常見(jiàn)的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
第4章 存儲(chǔ)器教材課后思考題與習(xí)題：4.1解釋概念：主存、輔存、Cache、RAM、SRAM、DRAM、ROM、PROM、EPROM、EEPROM、CDROM、Flash Memory主存：主存儲(chǔ)器
2021-07-26 08:08:39
以下均以STM32F429IGT6為例一、存儲(chǔ)器映射存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲(chǔ)器分配地址的過(guò)程就稱為存儲(chǔ)器映射，具體見(jiàn)圖 5-5。如果給存儲(chǔ)器再分配一個(gè)地址就叫
2021-08-20 06:29:52
存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠商或用戶分配，給存儲(chǔ)器分配地址的過(guò)程稱為存儲(chǔ)器映射，如果再分配一個(gè)地址就叫重映射存儲(chǔ)器映射ARM 將這 4GB 的存儲(chǔ)器空間，平均分成了 8 塊區(qū)域
2022-01-20 08:21:34
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存?！ ?、動(dòng)態(tài)DRAM：寫(xiě)入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫(xiě)入一次，以保持原來(lái)的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場(chǎng)改寫(xiě)的非易失性存儲(chǔ)器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點(diǎn)是只要有電源加于存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)就能長(zhǎng)期保存?！ ?、動(dòng)態(tài)DRAM：寫(xiě)入的信息只能保存若干ms時(shí)間，因此，每隔一定時(shí)間必須重新寫(xiě)入一次，以保持原來(lái)的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場(chǎng)改寫(xiě)的非易失性存儲(chǔ)器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲(chǔ)器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲(chǔ)器系統(tǒng)設(shè)計(jì)【6】存儲(chǔ)器擴(kuò)展
2021-07-29 06:21:48
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲(chǔ)在Flash/ROM中，初始這些存儲(chǔ)器地址是從0開(kāi)始的，但這些存儲(chǔ)器的讀時(shí)間比SRAM/DRAM長(zhǎng)，造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高，故一般在前面一段程序將代碼搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲(chǔ)器空間，將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0，重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運(yùn)行的目的。
2018-06-10 00:47:17
。法人預(yù)估硅晶圓廠第一季獲利優(yōu)于去年第四季，第二季獲利將持續(xù)攀升。 半導(dǎo)體硅晶圓庫(kù)存在去年第四季初觸底，去年底拉貨動(dòng)能回溫，第一季雖然出現(xiàn)新冠肺炎疫情而造成硅晶圓廠部份營(yíng)運(yùn)據(jù)點(diǎn)被迫停工，但3月以來(lái)已
2020-06-30 09:56:29
1965年在總結(jié)
存儲(chǔ)器芯片的增長(zhǎng)規(guī)律時(shí)(據(jù)說(shuō)當(dāng)時(shí)在準(zhǔn)備一個(gè)講演)所使用的一份手稿。 “摩爾定律”通常是引用那些消息靈通人士的話來(lái)說(shuō)就是：“在每一平方英寸硅
晶圓上的晶體管數(shù)量每個(gè)12月番一番?！毕旅?/div>
2011-12-01 16:16:40
`美國(guó)Tekscan公司研發(fā)的I-SCAN系統(tǒng)可以解決晶圓制作過(guò)程中拋光頭與晶圓接觸表面壓力分布不均勻，導(dǎo)致高不良率出現(xiàn)的問(wèn)題。在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中只需要將目前世界上最薄的壓力傳感器（0.1mm)放置于拋光
2013-12-04 15:28:47
` 硅是由石英沙所精練出來(lái)的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造積體電路的石英半導(dǎo)體的材料，經(jīng)過(guò)照相制版，研磨，拋光，切片等程序，將多晶硅融解拉出單晶硅晶棒
2011-09-07 10:42:07
的芯片。由于單個(gè)芯片尺寸增大而造成的更多邊緣浪費(fèi)會(huì)由采用更大直徑晶圓所彌補(bǔ)。推動(dòng)半導(dǎo)體工業(yè)向更大直徑晶圓發(fā)展的動(dòng)力之一就是為了減少邊緣芯片所占的面積。（5）晶圓的晶面（Wafer Crystal
2020-02-18 13:21:38
AI 時(shí)代的計(jì)算應(yīng)用，了解它們?nèi)绾卧谖磥?lái)藍(lán)圖中推動(dòng)創(chuàng)新
2021-01-19 07:48:18
“車載抬頭顯示（HUD）未來(lái)的走向”這個(gè)話題乍一聽(tīng)來(lái)似乎會(huì)涉及很多技術(shù)詞匯，但這項(xiàng)顯示技術(shù)在未來(lái)的幾年中將有巨大的應(yīng)用潛力。據(jù)HIS Automotive預(yù)測(cè)，全球范圍內(nèi)，前裝HUD的汽車銷量將從
2022-11-14 07:18:17
各位大神好，我想用FPGA讀寫(xiě)DRAM存儲(chǔ)器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
IoT是怎樣推動(dòng)傳感器創(chuàng)新的？求解
2021-05-21 07:15:43
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲(chǔ)器只要保持通電，里面儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
的普及應(yīng)用將大致分為兩個(gè)階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲(chǔ)器，其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會(huì)取代嵌入式存儲(chǔ)器，45nm
2023-04-07 16:41:05
PCI Express是如何推動(dòng)虛擬儀器技術(shù)發(fā)展的？求解
2021-05-12 07:07:23
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
為顯示器及高性能電視機(jī)設(shè)計(jì)。STV9379F場(chǎng)偏轉(zhuǎn)推動(dòng)器可處理高達(dá)90V的回掃電壓。此外，它可以輸出大于供電電壓（②腳）兩倍的回掃電壓。根據(jù)給定的供電電壓，IV可降低功率損耗或減少回掃時(shí)間
2021-05-10 06:26:29
[強(qiáng)力推薦]Java入門速成視頻教程 太平洋電腦網(wǎng)上發(fā)布的最新Java入門速成視頻教程，整體視頻全真錄制，看完之后感覺(jué)相當(dāng)不錯(cuò)。就當(dāng)是新年
2010-02-06 14:42:57
爾必達(dá)（Elpida）陣營(yíng)的新增產(chǎn)能是否順利去化，將牽動(dòng)DRAM價(jià)格走勢(shì)，是重要的觀察指標(biāo)。他說(shuō)，爾必達(dá)陣營(yíng)制程技術(shù)推進(jìn)至63奈米，7月產(chǎn)出將大量增加，加上美光陣營(yíng)的南科、華亞科也導(dǎo)入50奈米，下半年
2010-05-10 10:51:03
】小編強(qiáng)力推薦：每日必看（第四期）https://bbs.elecfans.com/jishu_528437_1_1.html這期主要是推薦資料和經(jīng)驗(yàn)為主，希望大家多多支持，多多互動(dòng)，看到我推薦的帖子或者
2015-11-26 13:53:04
【熱】小編強(qiáng)力推薦：每日必看（第一期）https://bbs.elecfans.com/jishu_527014_1_1.html【熱】小編強(qiáng)力推薦：每日必看（第二期）https
2015-11-27 11:19:40
至晶圓，包括硅（存儲(chǔ)器，μp）、MEMS、Ⅲ-V族化合物（InP、GaAs）和SiGe器件等? 綜合屏蔽（射頻和功率）? 功能層集成（執(zhí)行器、傳感器、天線等）? 能量存儲(chǔ)器與轉(zhuǎn)換器的集成? 穿硅通孔
2011-12-02 11:55:33
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
2021年期間，中國(guó)的200mm產(chǎn)能會(huì)增加34%?！ ?015年全球200mm的產(chǎn)能按應(yīng)用分別是模擬占11%、分立器件占14%、代工占47%、邏輯+MPU占21%、存儲(chǔ)器占3%及MEMS與其他占4%。
2017-08-23 10:14:39
納米到底有多細(xì)微？什么晶圓？如何制造單晶的晶圓？
2021-06-08 07:06:42
的設(shè)計(jì)人員被要求將測(cè)試模式引入存儲(chǔ)陣列。測(cè)試的設(shè)計(jì)人員在探索如何將測(cè)試流程更加簡(jiǎn)化而有效，例如在芯片參數(shù)評(píng)估合格后使用簡(jiǎn)化的測(cè)試程序，另外也可以隔行測(cè)試晶圓上的芯片，或者同時(shí)進(jìn)行多個(gè)芯片的測(cè)試。`
2011-12-01 13:54:00
的的奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)。2006第二季全球10大DRAM廠商排名 以成長(zhǎng)性而言，由于第二季全球新增產(chǎn)能集中于***地區(qū)廠商力晶與茂德，因此與力晶合作的日本爾必達(dá)，與茂德合作的韓國(guó)海力士，上述策略性
2008-05-26 14:43:30
的專業(yè)工藝，包括：0.18um邏輯、混合信號(hào)、模擬、高電壓、嵌入式存儲(chǔ)器和其他工藝。世界先進(jìn)目前擁有兩座八吋晶圓廠，平均每月約產(chǎn)出110,000片晶圓。 Top7 Dongbu，收入4.95億美元，同比
2011-12-01 13:50:12
關(guān)注+星標(biāo)公眾號(hào)，不錯(cuò)過(guò)精彩內(nèi)容來(lái)源 |自由時(shí)報(bào)面對(duì)全球晶片荒，不只臺(tái)積電等***廠商展開(kāi)擴(kuò)產(chǎn)，英特爾、三星等國(guó)外廠商，也提高資本支出計(jì)劃擴(kuò)產(chǎn)，晶圓代工是否會(huì)從產(chǎn)能供不應(yīng)求走向產(chǎn)能過(guò)剩？這...
2021-07-20 07:47:02
，并把電容放電，藉此來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
SRAM：
SRAM利用寄存器來(lái)存儲(chǔ)信息，所以一旦掉電，資料就會(huì)全部丟失，只要供電，它的資料就會(huì)一直存在，不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。
3.產(chǎn)品應(yīng)用
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲(chǔ)器 SRAM——Static RAM(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
面對(duì)半導(dǎo)體硅晶圓市場(chǎng)供給日益吃緊，大廠都紛紛開(kāi)始大動(dòng)作出手搶貨了。前段時(shí)間存儲(chǔ)器大廠韓國(guó)三星亦到中國(guó)***地區(qū)擴(kuò)充12寸硅晶圓產(chǎn)能，都希望能包下環(huán)球硅晶圓的部分生產(chǎn)線。難道只因半導(dǎo)體硅晶圓大廠環(huán)球晶
2017-06-14 11:34:20
推動(dòng)電源管理變革的5個(gè)趨勢(shì)
2021-03-11 07:50:56
是什么推動(dòng)著高精度模擬芯片設(shè)計(jì)？如何利用專用晶圓加工工藝實(shí)現(xiàn)高性能模擬IC？
2021-04-07 06:38:35
建模分析科技進(jìn)步對(duì)推動(dòng)醫(yī)療電子化發(fā)展的影響本文對(duì)新技術(shù)推動(dòng)下的醫(yī)療電子化領(lǐng)域進(jìn)行了探討，通過(guò)建立一個(gè)‘洋蔥’模擬了該領(lǐng)域下信息流動(dòng)，信息分析和采取措施的過(guò)程。該模型以科技為核心，選取了速度、存儲(chǔ)性
2009-11-30 11:03:20
新型LCD驅(qū)動(dòng)器是如何推動(dòng)移動(dòng)電視發(fā)展的？
2021-06-08 06:31:55
?過(guò)去存儲(chǔ)器與晶圓代工業(yè)大致上可以說(shuō)是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來(lái)臨的時(shí)代，存儲(chǔ)器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲(chǔ)器市場(chǎng)，而存儲(chǔ)器技術(shù)從過(guò)去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲(chǔ)器
2018-12-24 14:28:00
標(biāo)準(zhǔn)型PC DRAM在第一季大漲36%后，第二季合約價(jià)持續(xù)漲。據(jù)業(yè)者消息表示，包括PC DRAM、手機(jī)用Mobile DRAM、服務(wù)器DRAM、消費(fèi)型電子利基型DRAM等，第二季合約價(jià)全面大漲1~2
2017-06-13 15:03:01
我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（Dynamic RAM），“動(dòng)態(tài)”二字指沒(méi)隔一段時(shí)間就會(huì)刷新充電一次，不然內(nèi)部的數(shù)據(jù)就會(huì)消失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的基本單元
2019-09-18 09:05:09
激光用于晶圓劃片的技術(shù)與工藝 激光加工為無(wú)接觸加工，激光能量通過(guò)聚焦后獲得高能量密度，直接將硅片
2010-01-13 17:01:57
，功耗和成本之間的平衡.在另一些情況下，根據(jù)基本存儲(chǔ)器的特性進(jìn)行分割成為一個(gè)合理辦法。例如，將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)一位可變性存儲(chǔ)器而不是將一位可變性內(nèi)容放進(jìn)塊可變性存儲(chǔ)器，帶寬分割在高水平上，主要有3個(gè)
2018-05-17 09:45:35
，將眾多電子電路組成各式二極管、晶體管等電子組件，做在一個(gè)微小面積上，以完成某一特定邏輯功能，達(dá)成預(yù)先設(shè)定好的電路功能要求的電路系統(tǒng)。硅是由沙子所精練出來(lái)的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999
2011-12-02 14:30:44
為什么要選擇藍(lán)牙？藍(lán)牙將致力于推動(dòng)哪些領(lǐng)域的連接？
2021-05-13 06:31:57
虛擬化是如何推動(dòng)運(yùn)營(yíng)商進(jìn)行變革的？
2021-05-11 06:29:15
方式隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）靜態(tài) RAM（SRAM）動(dòng)態(tài) RAM（DRAM）動(dòng)態(tài) RAM 和靜態(tài) RAM 的比較只讀存儲(chǔ)器（ROM）存儲(chǔ)容量的擴(kuò)展存儲(chǔ)器與 CPU 的連接提高訪存速度的措施存儲(chǔ)器概述
2021-07-26 06:22:47
（DRAM）與靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）兩大類。DRAM 以電容上存儲(chǔ)電荷數(shù)的多少來(lái)代表所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，電路結(jié)構(gòu)十分簡(jiǎn)單（采用單管單電容1T-1C的電路形式），因此集成度很高，但是因?yàn)殡娙萆系碾姾蓵?huì)泄漏，為了能
2022-11-17 16:58:07
請(qǐng)問(wèn)如何推動(dòng)物聯(lián)網(wǎng)的高能效創(chuàng)新？
2021-06-17 08:57:28
請(qǐng)問(wèn)技術(shù)創(chuàng)新是如何推動(dòng)設(shè)計(jì)工藝發(fā)展的？
2021-04-21 06:46:39
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
。RAM中的存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在掉電是會(huì)丟失，因而只能在開(kāi)機(jī)運(yùn)行時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。其中RAM又可以分為兩種，一種是Dynamic RAM(DRAM動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器),另一種是Static RAM(SRAM,靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)。ROMROM又稱只讀存儲(chǔ)器，只能從里面讀出數(shù)據(jù)而不能任意寫(xiě)入數(shù)據(jù)。ROM與RAM相比
2022-01-26 06:05:59
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲(chǔ)器控制器設(shè)計(jì)
1、引言
當(dāng)代計(jì)算機(jī)系統(tǒng)越來(lái)越受存儲(chǔ)性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長(zhǎng)，存儲(chǔ)器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
存儲(chǔ)器及代工推動(dòng)2010年投資增長(zhǎng)
按華爾街的一位分析師預(yù)計(jì)，2010年半導(dǎo)體固定資產(chǎn)投資在存儲(chǔ)器和代工的再次推動(dòng)下可達(dá)335億美元，比09年增加50%。
由于09
2010-01-09 10:45:58307 
日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開(kāi)發(fā)出全球最薄的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 美國(guó)高通公司（NASDAQ： QCOM）今日宣布，其子公司高通創(chuàng)銳訊將以高通VIVE? 802.11ac （11ac） Wi-Fi 解決方案系列大力推動(dòng)802.11ac。高通創(chuàng)銳訊已經(jīng)獲得移動(dòng)通訊
2013-06-05 16:00:09742 日前，存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì)，會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)，DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 存儲(chǔ)器大廠美光科技全球制造資深副總裁艾倫（Wayne Allan）昨（24）日指出，企業(yè)級(jí)線上交易、自駕車、云端大數(shù)據(jù)、網(wǎng)通、行動(dòng)裝置、物聯(lián)網(wǎng)等六大領(lǐng)域?qū)?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)器需求強(qiáng)勁，但供給端增幅有限，今年存儲(chǔ)器市況仍會(huì)健康穩(wěn)健，其中 DRAM價(jià)格可持穩(wěn)到年底。
2018-07-09 07:40:00560 由于各大內(nèi)存廠產(chǎn)能“剎不住車”，NAND Flash快閃存儲(chǔ)器和DRAM價(jià)格已經(jīng)持續(xù)走低，終結(jié)了持續(xù)兩年的市場(chǎng)供應(yīng)緊俏狀況。
2018-10-27 08:59:143740 IC Insights在其《2018年麥克萊恩報(bào)告》的9月更新中披露，在過(guò)去兩年中，DRAM制造商的存儲(chǔ)器晶圓廠一直滿載運(yùn)行，這導(dǎo)致DRAM價(jià)格穩(wěn)步上升，并為供應(yīng)商帶來(lái)可觀的利潤(rùn)。圖1顯示，2018
2018-11-20 10:02:381175 7月16號(hào)，中國(guó)DRAM代表廠商合肥長(zhǎng)鑫召開(kāi)存儲(chǔ)器項(xiàng)目首次投片總結(jié)大會(huì)，在會(huì)上傳出消息，合肥長(zhǎng)鑫即將進(jìn)行8GB LPDDR4的投片，成為中國(guó)第一家邁向高端存儲(chǔ)投片階段的存儲(chǔ)器廠商。中國(guó)市場(chǎng)的存儲(chǔ)器
2018-11-29 16:51:0517531 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國(guó)目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲(chǔ)器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實(shí)現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 楊道虹表示，目前及今后的一段時(shí)間內(nèi)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)核心任務(wù)是推動(dòng)產(chǎn)能爬坡提升，將盡早達(dá)成64層三維閃存產(chǎn)品月產(chǎn)能10萬(wàn)片并按期建成30萬(wàn)片/月產(chǎn)能，提升國(guó)家存儲(chǔ)器基地的規(guī)模效應(yīng)，帶動(dòng)全省集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
2020-01-15 09:31:292520 科3月?tīng)I(yíng)收創(chuàng)11年來(lái)新高，NOR Flash大廠旺宏3月?tīng)I(yíng)收年成長(zhǎng)34.9%，而華邦電的3月份營(yíng)收也同樣達(dá)到年成長(zhǎng)16.61%的水準(zhǔn)，顯示雖然在傳統(tǒng)科技業(yè)的淡季中，存儲(chǔ)器廠的訂單依舊熱絡(luò)。
2020-09-03 16:38:02531 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫(xiě)存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39547 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來(lái)保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 國(guó)產(chǎn)APM32 MCU助力推動(dòng)新型工業(yè)化發(fā)展
2023-09-28 17:38:36485 
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