報導(dǎo)，存儲器三強三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron），正加速為10納米DRAM時代做準(zhǔn)備。因存儲器削價競爭結(jié)束后，三大廠認(rèn)為以25
2014-04-04 09:08:42
1340 對中國大陸來說，今年可算是真正意義上的存儲器元年。武漢存儲器基地項目啟動，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲器的合肥市和紫光。三個地方加一個企業(yè)牽頭的“3+1”存儲器版圖已初現(xiàn)端倪。
2016-05-25 09:08:44833 廠家有可能跟中國新進(jìn)入者共同研發(fā)或技術(shù)轉(zhuǎn)移，但利潤很薄，前景堪憂。今年，武漢存儲器基地項目啟動，與聯(lián)電合作的晉華集成電路項目落戶福建泉州晉江市，還有明確要做存儲器的合肥市和紫光。
2016-05-27 09:29:131688 大陸DRAM和NAND Flash存儲器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長江存儲、合肥長鑫等陣營陸續(xù)來臺鎖定IC設(shè)計和DRAM廠強力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151561 近來，中國大陸在存儲器領(lǐng)域的發(fā)展再次火熱起來，其中最引人關(guān)注的是合肥方面的動作。據(jù)稱，合肥相關(guān)方面投資的合肥長鑫公司將投入約500億元，在合肥打造月產(chǎn)能12.5萬片的12英寸晶圓廠晶圓生產(chǎn)線。
2016-12-08 09:54:161575 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲器龍頭三星電子，要是三星擴產(chǎn)，好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤誘人，傳出決定擴產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 日前，三星210億美元砸向存儲器的數(shù)字再次刺痛了不少中國半導(dǎo)體業(yè)者的眼睛，如今國內(nèi)存儲器產(chǎn)業(yè)建設(shè)正發(fā)展得如火如荼，中國存儲器之戰(zhàn)已經(jīng)打響...
2017-11-27 14:04:1510620 
知情人士告訴半導(dǎo)體行業(yè)觀察記者，國產(chǎn)存儲三大勢力之一的合肥長鑫正式投片，產(chǎn)品規(guī)格為8Gb LPDDR4，這是國產(chǎn)DRAM產(chǎn)業(yè)的一個里程碑，加上早前宣布在3D NAND Flash取得進(jìn)展的長江存儲，國內(nèi)企業(yè)在國際主流存儲器上都取得了重大突破，為推動存儲國產(chǎn)化掀開了重要一頁。
2018-07-17 10:03:054958 DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動態(tài)隨機存取存儲器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動態(tài)隨機存取存儲器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257 
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
51單片機外擴數(shù)據(jù)存儲器最大的容量是多少？可以達(dá)到50MB嗎？用的是什么芯片？
2023-04-19 16:34:36
（Dynamic RAM，DRAM)。SRAMSRAM（Static RAM，靜態(tài)隨機存儲器），不需要刷新電路，數(shù)據(jù)不會丟失，而且，一般不是行列地址復(fù)用的。但是他集成度比較低，不適合做容量大的內(nèi)存，一般是用在處理器
2012-08-15 17:11:45
DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們在本質(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
`這幾年以來，國內(nèi)巨頭都在花大力氣研發(fā)內(nèi)存，以期打破壟斷，尤其是三星的壟斷。就移動DRAM而言，三星占了全球80%的份額，成為全球半導(dǎo)體領(lǐng)域的焦點。日前，三星一反常態(tài)，放緩了存儲器半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的擴張
2018-10-12 14:46:09
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
為我國最大的半導(dǎo)體生產(chǎn)基地，月產(chǎn)能為10萬片晶圓，而在去年七月份紫光集團還參與了長江存儲的投資，計劃投資1600億元，打造國產(chǎn)3D NAND閃存，研發(fā)DRAM。
2018-03-28 23:42:26
`合肥回收存儲器IC 合肥存儲器IC回收銘盛電子回收公司是一家位處深圳華強北的電子元器件回收終-端公司! 136-3166-5055 聯(lián)系電話v同號!銘盛電子公司回收電子元器件,通信ic收購,收購
2020-08-29 10:19:52
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲器價格近期正在不斷上揚.許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲器市場的漲價只不過是暫時的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲器價格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數(shù)據(jù)就能長期保存?！ ?、動態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場改寫的非易失性存儲器
2017-10-24 14:31:49
SRAM：其特點是只要有電源加于存儲器，數(shù)據(jù)就能長期保存。 2、動態(tài)DRAM：寫入的信息只能保存若干ms時間，因此，每隔一定時間必須重新寫入一次，以保持原來的信息不變?！ 】涩F(xiàn)場改寫的非易失性存儲器
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲器系統(tǒng)設(shè)計【6】存儲器擴展
2021-07-29 06:21:48
所謂的寄存器、內(nèi)存等用于存儲信息的復(fù)雜結(jié)構(gòu)。存儲器的分類存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器；所謂易失性存儲器是指設(shè)備掉電，存儲的信息自動清除，而非易失性存儲器具有存儲時間長的功能。易失性存儲器主要指
2021-12-10 06:54:11
的應(yīng)用就是應(yīng)用程序存儲在Flash/ROM中，初始這些存儲器地址是從0開始的，但這些存儲器的讀時間比SRAM/DRAM長，造成其內(nèi)部執(zhí)行頻率不高，故一般在前面一段程序?qū)⒋a搬移到SRAM/DRAM中去，然后重新映射存儲器空間，將相應(yīng)SRAM/DRAM映射到地址0，重新執(zhí)行程序可達(dá)到高速運行的目的。
2018-06-10 00:47:17
揭開深記憶示波器的神秘面紗
2019-09-23 07:56:35
從個人電腦的角度看嵌入式開發(fā)板——小白學(xué)ARM（五）各種存儲器——SRAM、DRAM、SDRAM、ROM、NOR、NAND？？？mini2440開發(fā)板vs個人電腦各種存儲器——SRAM、DRAM
2021-12-21 06:01:19
問題一：位圖都存儲在哪了？都在程序存儲器里嗎問題二：能不能將位圖存儲到外部內(nèi)存中？問題三：F429的程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器有多大？
2020-05-20 04:37:13
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機存儲器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
靜態(tài)隨機存取存儲器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點？動態(tài)隨機存取存儲器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點？
2021-12-24 07:04:20
揭開zzz 手機神秘面紗zzz 手機的基礎(chǔ)模型可與諾基亞的 N95 相媲美，歐美的客戶都為該手機奇妙的個性化功能興奮不已。個性化手機從外殼的顏色到硬件的配置都可由客戶自行設(shè)定，甚至?xí)?http
2009-05-31 09:25:43
存儲器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。 ?。?）只讀存儲器（ROM）特點：只讀存儲器的特點是只能讀出不能隨意寫入信息，在主板上的ROM
2020-12-25 14:50:34
停止供電的時候仍然可以保持?jǐn)?shù)據(jù)，而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù)，典型的RAM就是計算機的內(nèi)存。
1.1 存儲器ROM介紹
rom最初不能編程，出廠什么內(nèi)容就永遠(yuǎn)什么內(nèi)容，不靈活。后來出現(xiàn)了
2023-05-19 15:59:37
Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲器 SRAM——Static RAM(動態(tài)存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
2022-01-26 07:30:11
的petalinux-config命令中，僅顯示“簡單”和“手動”選項，但未顯示“ps7_ddr_0”選項。目前我在主內(nèi)存部分使用“簡單”選項創(chuàng)建了項目。題：1.外部存儲器32 MB是否必須在主存儲器中顯示“ps7_ddr_0
2020-05-05 12:22:19
1) 允許一個物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲器和數(shù)據(jù)存儲器。
1) 用于存儲 scr 程序的程序存儲器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲器。
2024-01-30 08:18:12
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
`成都存儲器IC收購 成都存儲器IC回收公司銘盛電子科技公司長期收購廠家以及個人庫存各種IC內(nèi)存芯片二三極管電子料回收。136-3166-5055銘盛電子大量高價收購個人和廠家積壓或過剩庫存的電子料
2020-11-11 15:01:32
暗暗給全球半導(dǎo)體業(yè)帶來重大的改變。不僅原本的存儲器大廠虎視眈眈，***的晶圓代工大廠不會缺席，甚至中國也想彎道超車。2018年前十大半導(dǎo)體業(yè)者營收預(yù)估至于誰會領(lǐng)先達(dá)陣？當(dāng)DRAM因為技術(shù)極限而可能
2018-12-24 14:28:00
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
內(nèi)存地址空間是否一定大于所有物理存儲器的容量？
2023-10-17 07:14:45
存儲器的一般用途是代碼儲存。系統(tǒng)需要一個相對較小進(jìn)的存儲，大約小2Gb. 這樣 .代碼可以從NOR閃存直接執(zhí)行，這種存儲器也常用于嵌入式文件系統(tǒng)的存儲器，這些類型的系統(tǒng)中 DRAM 常用便簽式存儲器。在這
2018-05-17 09:45:35
存儲器，其地址碼為26位，若使用 4MX8位的 DRAM 芯片組成該機所允許的最大主存空間，并選用內(nèi)存條結(jié)構(gòu)形式，問：(1)若每個內(nèi)存條為16MX64位，共需幾個內(nèi)存條?【答】(226X64)/(16MX64)=4.(2)每個內(nèi)存條內(nèi)共有多少 DRAM芯片?【答】(16MX64)/(4MX8)=
2021-07-29 06:08:35
隨機存儲器的特點及結(jié)構(gòu)。SRAM隨機存儲器的特點隨機存儲器最大的特點就是可以隨時對它進(jìn)行讀寫操作，但當(dāng)電源斷開時，存儲信息便會消失。隨機存儲器依照數(shù)據(jù)存儲方式的不同，主要可以分為動態(tài)隨機存儲器
2022-11-17 16:58:07
CH32V103R8T6內(nèi)存不夠是否能接外部存儲器？如何使用外部存儲器？
2022-06-08 06:53:10
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲器具有一些獨一無二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲器可以分為兩類--易失性和非易失性。易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
本篇文章介紹的是非易失性存儲器EEPROM與內(nèi)存Flash消耗能量計算。
2020-12-31 06:11:04
基于當(dāng)代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計
1、引言
當(dāng)代計算機系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:03714 
日本半導(dǎo)體巨頭爾必達(dá)及其子公司秋田爾必達(dá)22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:36993 工研院 IEK認(rèn)為，為替代進(jìn)口，中國大陸發(fā)展DRAM已勢在必行，未來若中國大陸成功搶進(jìn)DRAM領(lǐng)域，預(yù)期海力士恐將是最大潛在受害者。
2016-05-16 08:55:02807 合肥將發(fā)展存儲的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達(dá)前社長坂本幸雄，目前得到消息已淡出合肥，而后續(xù)將由中國本土 NOR Flash 廠商兆易創(chuàng)新，以及中芯前CEO王寧國所主導(dǎo)的合肥長鑫接手。
2016-11-17 10:35:491642 FLASH存儲器（也就是閃存）就 是非易失隨機訪問存儲器（NVRAM），特點是斷電后數(shù)據(jù)不消失，因此可以作為外部存儲器使用。而所謂的內(nèi)存是揮發(fā)性存儲器，分為DRAM和SRAM兩大類，其中常說的內(nèi)存
2017-10-11 14:39:468295 日前，存儲器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:26
49 大陸存儲器競賽邁向新局，甫獲得大基金入股的北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)與合肥市政府簽署合約，將砸人民幣180億元(逾新臺幣800億元)研發(fā)19納米DRAM技術(shù)，業(yè)界預(yù)期GigaDevice
2017-11-24 12:51:38431 中國存儲器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場的角度，就DRAM、NAND Flash、封測技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點思考。
2018-03-07 17:46:005860 
合肥一直在全力打造中國“IC之都”，結(jié)合合肥芯、合肥產(chǎn)、合肥用這三個環(huán)節(jié)完善產(chǎn)業(yè)鏈，全力發(fā)展存儲芯片、驅(qū)動芯片以及特色芯片，并希望到2020年規(guī)模突破500億元，制造業(yè)居全國前列，設(shè)計業(yè)居全國前五。
2018-11-21 14:51:235908 存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機內(nèi)存(如DDR)和手機內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33109972 2018年底第一個中國自主研發(fā)的DRAM芯片有望在合肥誕生；
2018-05-16 16:00:0020968 
近日于合肥舉辦的“國家集成電路重大專項走進(jìn)安徽活動”中，長鑫存儲技術(shù)有限公司董事長、睿力集成電路有限公司首席執(zhí)行官王寧國介紹了合肥長鑫存儲器項目的 5 年規(guī)劃：2018 年 1 月一廠廠房建設(shè)完成
2018-04-18 13:50:007515 
存儲器市場爆發(fā)，DRAM市場前景看好。2017年全球存儲器市場增長率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 DRAM內(nèi)存芯片還是NAND閃存芯片，中國在此領(lǐng)域基本上是100%依賴進(jìn)口，發(fā)展需求也是最迫切的，目前紫光旗下的長江存儲在武漢建設(shè)NAND閃存工廠，下半年為量產(chǎn)，而在安徽合肥、福建晉江有團隊在搞DRAM內(nèi)存，未來幾年中國公司就會進(jìn)入存儲芯片市場。
2018-05-14 11:19:001619 此外，中國市場對于全球DRAM和NAND的消化量已經(jīng)高達(dá)20%與25%，存為儲器最大需求國。盡管中國各地正積極進(jìn)行半導(dǎo)體扶植計劃，但要達(dá)到「技術(shù)自主研發(fā)」與「穩(wěn)定量產(chǎn)規(guī)?！箖?b class="flag-6" style="color: red">項目標(biāo)仍需要至少數(shù)個季度以上的時間，對解決成本壓力的燃眉之急是遠(yuǎn)水救不了近火。
2018-05-26 10:40:384720 近日消息，研究機構(gòu)指出，中國存儲器產(chǎn)業(yè)目前以投入NAND Flash市場的長江存儲、專注于行動式內(nèi)存的合肥長鑫，以及致力于利基型內(nèi)存晉華集成三大陣營為主。以目前三家廠商的進(jìn)度來看，其試產(chǎn)時間預(yù)計
2018-06-07 12:28:001666 
7月16日，合肥DRAM“506項目”進(jìn)行了控片投片總結(jié)會，并宣布正式投產(chǎn)電性片。 這是我國三大存儲器項目第一個宣布投片的項目。
2018-07-20 14:57:4522627 中國DRAM存儲器產(chǎn)業(yè)自主化更是刻不容緩的一條艱巨道路。中國目前在全球個人計算機、智能手機、服務(wù)器/數(shù)據(jù)中心以及未來新時代的AI人工智能以及物聯(lián)網(wǎng)均扮演關(guān)鍵地位，聯(lián)想品牌已是全球PC市占率最高的廠商
2018-07-23 15:12:2416455 據(jù)國際電子商情，日前，消息稱長鑫存儲DRAM項目正式首次投片，啟動試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0311871 
日前，合肥長鑫的DRAM正式投片，產(chǎn)品的規(guī)格為為8Gb LPDDR4。可以說，近期國內(nèi)三大存儲芯片工廠好消息接連不斷
2018-07-24 16:15:509100 “2017年DRAM價格漲幅將達(dá)到39%”，ICInsights在2017年第三季度做出預(yù)計。當(dāng)下，以DRAM為代表的半導(dǎo)體存儲器在全球范圍內(nèi)掀起漲價潮。
2018-07-26 17:47:13530 中國大陸存儲器業(yè)者的生產(chǎn)計劃包括福建晉華、合肥長鑫、長江存儲、紫光集團，預(yù)定投產(chǎn)時間介于2018年下半年-2019年，主要產(chǎn)品包括DRAM、利基型存儲器、NAND Flash，初期產(chǎn)能介于2-5萬片，未來最大產(chǎn)能可望上沖4-10萬片，中長期計劃更將擴大至12.5-30萬片的規(guī)模。
2018-08-29 11:40:00450 隨機存取存儲器（randomaccessmemory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。本視頻主要介紹了隨機存取存儲器的最大特點。
2018-11-24 10:59:1143325 7月16號，中國DRAM代表廠商合肥長鑫召開存儲器項目首次投片總結(jié)大會，在會上傳出消息，合肥長鑫即將進(jìn)行8GB LPDDR4的投片，成為中國第一家邁向高端存儲投片階段的存儲器廠商。中國市場的存儲器
2018-11-29 16:51:0517531 隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），當(dāng)關(guān)機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:4915156 內(nèi)存儲器包括寄存器、高速緩沖存儲器（Cache）和主存儲器。寄存器在CPU芯片的內(nèi)部，高速緩沖存儲器也制作在CPU芯片內(nèi)，而主存儲器由插在主板內(nèi)存插槽中的若干內(nèi)存條組成。內(nèi)存的質(zhì)量好壞與容量大小會影響計算機的運行速度。
2019-01-07 16:54:3232579 該項目將于合肥經(jīng)開區(qū)建設(shè)康佳存儲器事業(yè)總部和科研創(chuàng)新中心，引入國內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)計公司和集成電路產(chǎn)業(yè)鏈項目，這將加快該區(qū)集成電路及電子信息千億產(chǎn)業(yè)發(fā)展，助力合肥市打造“IC之都”。
2019-02-11 15:33:493561 單片機的分為數(shù)據(jù)存儲器和程序存儲器。單片機內(nèi)部的存儲器稱為片內(nèi)存儲器，片外擴展的存儲器成為片外存儲器。比如8031 內(nèi)部有數(shù)據(jù)存儲器而沒有程序存儲器，所以它一般要外接一塊程序存儲芯片，內(nèi)部的數(shù)據(jù)存儲器叫做9031的片內(nèi)存儲器，外部擴展的存儲芯片叫做片外存儲器。
2019-08-15 17:32:003 內(nèi)存又稱為內(nèi)存儲器，通常也泛稱為主存儲器，是計算機中的主要部件，它是相對于外存而言的。
2019-05-26 10:33:3238724 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:011653 存儲器產(chǎn)品占到了我國每年進(jìn)口半導(dǎo)體芯片中的大頭，其中DRAM內(nèi)存芯片占比最高，有20%以上。
2019-11-27 17:01:152083 在合肥長鑫1500億元投資的內(nèi)存項目之后，紫光集團也在6月底正式宣布組建DRAM內(nèi)存事業(yè)部，這是國內(nèi)在內(nèi)存行業(yè)又一次重要布局。
2019-11-28 15:37:512314 存儲器大廠美光（Micron Technology）于11日宣布，業(yè)界首款搭載LPDDR5 DRAM的通用快閃存儲器儲存（UFS）多芯片封裝（uMCP）正式送樣。新款UFS多芯片封裝（uMCP5）是基于美光在多芯片規(guī)格尺寸創(chuàng)新及領(lǐng)導(dǎo)地位所打造。
2020-03-12 11:06:323648 雖然此前在DRAM內(nèi)存芯片布局上，兆易創(chuàng)新主要是通過其與合肥市產(chǎn)業(yè)投資控股集團合作的長鑫存儲來進(jìn)行布局。但是，兆易創(chuàng)新的自研DRAM項目也早已開始。
2020-11-03 15:43:034233 DRAM是一種半導(dǎo)體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-11 15:11:293686 
在過去幾十年內(nèi)，易失性存儲器沒有特別大的變化，主要分為DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)和SRAM(靜態(tài)隨機存取存儲器)。它在任何時候都可以讀寫，RAM通常是作為操作系統(tǒng)或其他正在運行程序的臨時存儲介質(zhì)(可稱作系統(tǒng)內(nèi)存)。
2022-11-29 15:56:463115 
在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。先進(jìn)的 DRAM 存儲單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當(dāng)前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:39547 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當(dāng)斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器的存儲元是電容器和晶體管的組合。每個存儲單元由一個電容器和一個晶體管組成。電容器存儲位是用于存儲數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:03282 近兩年，國內(nèi)存儲產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，包括NANDFLASH和DRAM。去年，長江存儲、合肥長鑫相繼宣布64層3DNAND量產(chǎn)、DDR4內(nèi)存芯片量產(chǎn)，實現(xiàn)從0到1的突破。 今年，基于長江存儲64
2020-07-14 09:26:5710613
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