DDR4內(nèi)存已經(jīng)問世有很長一段時(shí)間了，Intel在IDF上表示，明年這一產(chǎn)品將迎來爆發(fā)期。
2015-08-24 08:23:55
1279 相對于DDR3, DDR4首先在外表上就有一些變化，比如DDR4將內(nèi)存下部設(shè)計(jì)為中間稍微突出，邊緣變矮的形狀，在中央的高點(diǎn)和兩端的低點(diǎn)以平滑曲線過渡，這樣的設(shè)計(jì)可以保證金手指和內(nèi)存插槽有足夠的接觸面
2023-09-19 14:49:444060 
日本著名存儲設(shè)備制造商Century Micro近日宣布即將推出新的DDR4內(nèi)存模塊，具有3，200 MHz的原生速率。
2019-07-07 10:37:453534 據(jù)報(bào)道，長鑫存儲官方網(wǎng)站已經(jīng)公開列出了自家的DDR4內(nèi)存芯片、DDR4內(nèi)存條、LPDDR4X內(nèi)存芯片，都符合國際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，目前已經(jīng)處于售前咨詢階段（Contact Sales）。 長鑫特別強(qiáng)調(diào)
2020-02-27 09:01:119028 這幾年，國產(chǎn)軟硬件都在突飛猛進(jìn)，硬件方面處理器、內(nèi)存、閃存存儲紛紛取得新突破，但由于產(chǎn)能、應(yīng)用領(lǐng)域等各種原因，普通消費(fèi)市場上是不太容易看到的。 不久前，長鑫存儲開始在官方網(wǎng)站上銷售DDR4臺式機(jī)
2020-04-24 09:58:246151 DDR內(nèi)存格式發(fā)展歷程（DDR~DDR4） 一、DDR DDR=Double Data Rate雙倍速內(nèi)存。嚴(yán)格的說DDR應(yīng)該叫DDR SDRAM，人們習(xí)慣稱為DDR，部分初學(xué)者也常看到DDR
2011-02-27 16:47:17
嗨，我正在嘗試在Kintex UltraScale（KCU105）中實(shí)現(xiàn)DDR4內(nèi)存，但是（DDR4 SDRAM（MIG））中的特定部分不可用。部分是：MT401G16HBA-083E：我應(yīng)該為實(shí)現(xiàn)這個(gè)內(nèi)存做什么。？注意：我正在使用VIVADO 2016.1謝謝Luis。
2020-04-26 13:58:08
%）顯示，三星及海力士市場份額達(dá)67%，短期內(nèi)，兩大內(nèi)存廠商退出市場將在供給端造成顯著空缺。DDR4早在遙遠(yuǎn)的2007年，有關(guān)DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的一些信息就被公開。在美國舊金山2008年8月舉行的英特爾
2022-10-26 16:37:40
使用DDR4的內(nèi)存條，DDR3也有屬于自己的應(yīng)用市場。宏旺半導(dǎo)體ICMAX DDR因性能優(yōu)越性價(jià)比高，擁有極高競爭力，與眾多知名廠商合作。1， 規(guī)格不同DDR3內(nèi)存的起始頻率僅有800MHz，最高
2019-07-25 14:08:13
佛山回收DDR4高價(jià)回收DDR4，佛山專業(yè)收購DDR4，深圳帝歐電子長期現(xiàn)金高價(jià)回收DDR4。帝歐電子趙生 ***，QQ：764029970//1816233102，mail
2021-07-15 19:36:21
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2021-12-27 19:25:08
大家好，有誰知道如何從.mem文件初始化加密的ddr4內(nèi)存模型？在參考fromxapp1180項(xiàng)目時(shí)，發(fā)現(xiàn)使用以下命令初始化ddr3內(nèi)存： $ readmemh（ “ddr
2020-05-11 09:17:30
將 DDR4 內(nèi)存添加到 imx8mp
2023-04-20 10:59:17
回收DDR4，收購DDR4,24h開心財(cái)富熱線：趙生--135-3012-2202QQ-8798-21252 帝歐電子長期專業(yè)高價(jià)回收flash， 回收DDR，回收手機(jī)字庫?；厥杖耭lash，回收
2021-09-08 14:59:58
DDR4。帝歐趙生***QQ1816233102/764029970郵箱dealic@163.com?；厥?b class="flag-6" style="color: red">三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR
2021-03-17 17:59:10
DDR4和DDR3的區(qū)別在哪里？DDR4內(nèi)存與DDR3內(nèi)存相比，有哪些優(yōu)勢呢？
2021-06-18 08:58:23
DDR4,什么是DDR4
DDR 又稱雙倍速率SDRAM Dual Date Rate SDRSM DDR SDRAM 是一種高速CMOS動(dòng)態(tài)隨即訪問的內(nèi)存美國JEDEC 的固態(tài)技術(shù)協(xié)會于2000 年6 月公
2010-03-24 16:08:393432 三星電子今天宣布，已經(jīng)完成了歷史上第一款DDR4 DRAM規(guī)格內(nèi)存條的開發(fā)，并采用30nm級工藝制造了首批樣品。
2011-01-05 09:23:451469 JEDEC 固態(tài)技術(shù)協(xié)會，全球微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)導(dǎo)制定機(jī)構(gòu)日前公布了廣為業(yè)界期待的DDR4(雙倍數(shù)據(jù)速率4)內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的關(guān)鍵屬性。 預(yù)計(jì)將于2012年中期發(fā)布的JEDEC DDR4內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)與之前幾代的技術(shù)
2011-08-24 08:57:461906 美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。
2011-12-17 21:28:56955 美光科技今天表示，正在與標(biāo)準(zhǔn)化組織JEDEC合作，爭取制定3D內(nèi)存堆疊封裝技術(shù)的標(biāo)準(zhǔn)化，并且有可能成為下一代DDR4內(nèi)存的基本制造技術(shù)。
2011-12-18 14:37:381426 微電子產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會終于發(fā)布了下一代同步DDR內(nèi)存的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)：DDR4，它的數(shù)據(jù)傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低。JEDEC的DDR4技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的公布是數(shù)年來世界各地的內(nèi)存
2012-09-30 20:30:561784 受惠物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車和無人機(jī)等大舉爆發(fā)，加上智能手機(jī)內(nèi)存越來越大，對內(nèi)存需求在增加，而且裝機(jī)旺季讓內(nèi)存成為搶手品，尤其是趕在Intel和AMD新一代處理器集中上市，DDR4內(nèi)存的市場需求一路飆高，直接帶動(dòng)價(jià)格上漲。
2017-04-06 14:43:011216 目前PC行業(yè)并不景氣，于是各家廠商就推出各式新奇百怪的內(nèi)存來吸引消費(fèi)者口袋之中的錢。近日海盜船就推出了全新的“DOMINATOR PLATINUM Special Edition Torque DDR4”內(nèi)存，其主要就是增加了金屬條，更加酷炫。
2017-05-12 14:59:261270 vs STLL 驅(qū)動(dòng)DRAM工業(yè)發(fā)展的一個(gè)主要市場需求是對內(nèi)存器件的低功耗要求。介于這個(gè)原因，DDR4引入了一個(gè)新
2017-10-13 20:13:18
10 DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200MT/s。DDR4 新增了4 個(gè)Bank Group 數(shù)據(jù)組的設(shè)計(jì)，各個(gè)Bank
2017-11-07 10:48:5154362 
雖然新一代電腦/智能手機(jī)用上了DDR4內(nèi)存，但以往的產(chǎn)品大多還是用的DDR3內(nèi)存，因此DDR3依舊是主流，DDR4今后將逐漸取代DDR3，成為新的主流，下面我們再來看看DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別。相比上一代DDR3，新一代DDR4內(nèi)存主要有以下幾項(xiàng)核心改變：
2017-11-08 15:42:2331811 DDR3 SDRAM（Double Data Rate Three SDRAM）：為雙信道三次同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。
DDR4 SDRAM（Double Data Rate Fourth
2017-11-17 13:15:4927006 DRAM內(nèi)存制造技術(shù)一直都是國家最為關(guān)注的重要戰(zhàn)略之一。在內(nèi)存市場中國沒有足夠的話語權(quán)，都被三星、SK海力士、美光幾家企業(yè)幾乎壟斷。據(jù)報(bào)道，紫光打造的中國第一款自主的PC DDR4內(nèi)存條終于問世，讓我們看到了國產(chǎn)內(nèi)存崛起的希望。
2017-12-22 16:00:261537 回首過去一年的存儲芯片市場，漲價(jià)永遠(yuǎn)都是關(guān)鍵詞，一連7個(gè)季度的漲價(jià)，這是由于閃存、內(nèi)存漲價(jià)有市場供需失衡的原因，中國在這個(gè)領(lǐng)域毫無發(fā)言權(quán)。紫光生產(chǎn)的DDR4內(nèi)存讓我們看到了國產(chǎn)DDR4量產(chǎn)的希望。韓企壟斷的局面將被打破。
2017-12-28 16:48:211464 據(jù)報(bào)道，近日芝奇推出Trident Z RGB DDR4-4700套裝被稱之為是目前頻率最高的DDR4內(nèi)存套裝，采用三星B-die顆粒，開啟XMP功能就可以達(dá)到4700MHz的工作頻率。
2018-02-06 11:47:381772 －2400、DDR4－2666MHz而已，再往上的頻率都要靠超頻了。不過在高頻DDR4市場上，芝奇、海盜船等廠商的競爭可沒落下，芝奇繼搶先推出DDR4－4266、DDR4－4600內(nèi)存之后，現(xiàn)在又一次創(chuàng)造了內(nèi)存極限頻率
2018-06-29 11:28:002003 目前中國正在大力發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，但是在內(nèi)存市場卻有一些缺憾，全球內(nèi)存市場幾乎被美國、韓國壟斷，去年的內(nèi)存價(jià)格居高不下?，F(xiàn)在目前國內(nèi)正在發(fā)展存儲芯片，國產(chǎn)DDR4內(nèi)存邁出第一步。
2018-03-01 10:12:0525386 目前在售的紫光DDR4內(nèi)存并沒有使用國產(chǎn)顆粒，而是SK Hynix顆粒，是韓國公司的顆粒，也就是說現(xiàn)在的國內(nèi)DDR4內(nèi)存依然是掛羊頭賣狗肉，跟市場上其他內(nèi)存條沒有什么區(qū)別，國產(chǎn)的只是PCB之類的。不過店家也很坦誠，說紫光顆粒的DDR4內(nèi)存下半年問世。
2018-03-05 09:36:013237 Crucial近日推出服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品系列新品--128GB DDR4 LRDIMM。 其為該公司至今以來所推出的產(chǎn)品中密度最高的服務(wù)器內(nèi)存模塊，新的DDR4服務(wù)器內(nèi)存具備從2666MTbit/s起跳的速度，可提升每部服務(wù)器所安裝的內(nèi)存容量，以充分運(yùn)用CPU和服務(wù)器硬件效能。
2018-06-25 10:34:002304 國產(chǎn)內(nèi)存制造商紫光國微在深交所互動(dòng)平臺上表示，目前國產(chǎn)DDR4內(nèi)存芯片正在順利研發(fā)中，紫光國微預(yù)計(jì)今年底就可以將DDR4內(nèi)存顆粒推向市場。
2018-07-30 15:55:471456 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個(gè)16Gb DDR4
2018-08-06 16:38:015202 近日不少有關(guān)國產(chǎn)自主DDR4內(nèi)存的報(bào)道，目前已有合肥長鑫、長江存儲、福建晉華三家公司宣布2019年完成LPDDR4芯片?，F(xiàn)在最新消息，紫光宣布國產(chǎn)DDR4內(nèi)存2018年年底提前推向市場。
2018-08-07 16:42:502673 近期，臺電將會發(fā)布一款名為極光A30的DDR4入門內(nèi)存。今天就讓大家來先睹為快吧。
2018-08-28 10:47:008702 :02 上傳
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DDR4預(yù)計(jì)要到2015年才會普及
盡管三星等廠商之前已經(jīng)造出了不同規(guī)格的DDR4內(nèi)存樣品，但這次最終標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布將催使他們擴(kuò)大生產(chǎn)。據(jù)
2018-09-30 00:15:012605 2018年內(nèi)存的價(jià)格終于不再大漲了，上半年來8GB DDR4內(nèi)存的價(jià)格穩(wěn)定在600元左右，這對玩家及內(nèi)存條廠商來說都是件好事，不再為價(jià)格揪心，廠商也可以推出更有品質(zhì)的內(nèi)存。銘瑄去年推出了復(fù)仇者系列
2018-10-23 10:45:204617 本文介紹了DDR4技術(shù)的特點(diǎn)，并簡單介紹了ANSYS工具用來仿真DDR4的過程。文章中主要介紹的對象為DDR4 3200MHz內(nèi)存，因?yàn)橛布O客對DDR4性能的不斷深挖，目前已經(jīng)有接近5000MHz的量產(chǎn)內(nèi)存。
2018-10-14 10:37:2825734 2018年11 月 15日 – 宜鼎今日發(fā)布全新強(qiáng)固型DDR4 2666寬溫系列內(nèi)存產(chǎn)品，特別專注于各種工業(yè)嚴(yán)苛條件中的邊緣應(yīng)用。宜鼎國際DRAM全球事業(yè)處副總張偉民表示，DDR4 2666將于
2018-11-16 08:40:111354 Xilinx推出業(yè)界首款面向All Programmable UltraScale?器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案，每秒數(shù)據(jù)速率高達(dá)2400 Mb.UltraScale器件采用ASIC級架構(gòu)，可
2018-11-30 05:33:004030 從SDR到DDR4，連接器如何趕上內(nèi)存進(jìn)化的步伐？
2019-07-02 15:30:133133 2014年，推出了第四代DDR內(nèi)存（DDR4），降低了功耗，提高了數(shù)據(jù)傳輸速度和更高的芯片密度。 DDR4內(nèi)存還具有改進(jìn)的數(shù)據(jù)完整性，增加了對寫入數(shù)據(jù)的循環(huán)冗余檢查和片上奇偶校驗(yàn)檢測。
2019-07-26 14:34:0149302 日前美光公司宣布量產(chǎn)了1Znm工藝的16Gb DDR4內(nèi)存，這是第三代10nm級內(nèi)存工藝，這次量產(chǎn)也讓美光成為業(yè)界第一個(gè)量產(chǎn)1Znm工藝的公司，這一次進(jìn)度比以往的標(biāo)桿三星公司還要快。
2019-08-26 12:43:003707 隨著紫光、合肥長鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 09:37:093871 最近一年來，DDR4內(nèi)存芯片持續(xù)降價(jià)，如今8GB DDR4單條內(nèi)存也不復(fù)三年前接近千元的售價(jià)之勇，只要200多塊就可以搞定。
2019-10-30 15:19:006062 9 月份合肥長鑫宣布量產(chǎn) 8Gb 顆粒的國產(chǎn) DDR4 內(nèi)存。對于國產(chǎn)內(nèi)存，市場預(yù)期不會對三星、SK 海力士及美光三大內(nèi)存巨頭帶來太大影響，但是會擠壓第四大內(nèi)存廠商南亞科的空間。對此南亞科予以否認(rèn)，表示短時(shí)間內(nèi)沒什么大影響。
2019-11-19 10:44:313437 隨著紫光、合肥長鑫正式進(jìn)軍DRAM內(nèi)存行業(yè)，國產(chǎn)自主的DRAM芯片未來也會迎來一波爆發(fā)。除此之外，紫光旗下的西安國芯本身也有DDR內(nèi)存芯片研發(fā)，他們將在集邦科技的2020存儲產(chǎn)業(yè)趨勢峰會上公開展示自研的內(nèi)存，包括最新的16GB DDR4內(nèi)存等。
2019-11-19 14:54:143284 據(jù)網(wǎng)友分享，蘋果官網(wǎng)現(xiàn)已上架新款256GB（2x128GB）DDR4 ECC內(nèi)存套件以及32GB（2x16GB）DDR4 ECC內(nèi)存套件。
2019-12-30 15:54:045727 千呼萬喚始出來，前兩天國內(nèi)DRAM內(nèi)存終于迎來了歷史性一刻——合肥長鑫的DDR4內(nèi)存終于開始對外供貨了。
2020-02-29 11:16:035770 2 月 28 日訊，國產(chǎn)首枚 DDR4 內(nèi)存現(xiàn)已面世。在長鑫存儲的官方網(wǎng)站上，目前已經(jīng)公開列出了自家的 DDR4 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存條、LPDDR4X 內(nèi)存芯片，全部產(chǎn)品都符合國際通行標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
2020-03-02 11:18:281312 江波龍電子旗下嵌入式存儲品牌FORESEE再添新成員，正式發(fā)布首款內(nèi)存產(chǎn)品，宣布正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域。 江波龍正式進(jìn)入內(nèi)存領(lǐng)域，F(xiàn)ORESEE DDR4高端商用內(nèi)存條新品首發(fā) FORESEE DDR4
2020-04-16 12:04:225329 Xilinx 提供了UltraScaleFPGA器件的高性能DDR4內(nèi)存解決方案，每秒數(shù)據(jù)速率高達(dá)2400 Mb。UltraScale器件采用ASIC級架構(gòu)，可支持大量I/O和超大存儲帶寬，并能夠
2020-05-28 15:00:574521 近日，據(jù)嘉合勁威官網(wǎng)消息，國內(nèi)首款中國芯的DDR4內(nèi)存條——光威弈PRO DDR4內(nèi)存條已在深圳坪山大規(guī)模量產(chǎn)。
2020-07-22 14:14:472000 2020年很多高端手機(jī)都使用了LPDDR5內(nèi)存了，容量也達(dá)到了8GB以上，16GB也不新鮮。但是電腦上的內(nèi)存還是DDR4，DDR5也只完成了標(biāo)準(zhǔn)，還沒量產(chǎn)呢。
2020-09-18 09:51:3810313 第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息，所以正式產(chǎn)品還沒上市就讓人沒了新鮮感，也許正是這個(gè)原因，很多小伙伴的好奇的目光開始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺，特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同，我們要不要等等呢
2021-02-27 12:13:5419051 
銳龍5000系列正式登場的同時(shí)，芝奇就發(fā)布了多款專為其進(jìn)行定制優(yōu)化的高速DDR4內(nèi)存套裝，隸屬于知名的Trident Z Neo焰光戟系列。
2020-11-06 09:33:051683 今日，七彩虹宣布 iGame 內(nèi)存全面升級，正式發(fā)布了 iGame VULCAN DDR4 內(nèi)存。 iGame VULCAN DDR4 延續(xù)了 VULCAN 顯卡紋理設(shè)計(jì)。值得一提的是，經(jīng)過網(wǎng)友命名
2020-12-25 10:31:312797 2020年內(nèi)存價(jià)格總體還是在下跌，DDR4內(nèi)存也到了尾聲階段，明年服務(wù)器市場就會率先引入DDR5內(nèi)存，新時(shí)代要開始了。然而明年的價(jià)格走勢不一樣了，內(nèi)存廠商現(xiàn)在篤定明年價(jià)格反彈，甚至大漲30%。 對于
2020-12-31 16:27:013095 2020年內(nèi)存價(jià)格總體還是在下跌，DDR4內(nèi)存也到了尾聲階段，2021年服務(wù)器市場就會率先引入DDR5內(nèi)存，新時(shí)代要開始了。然而2021年的價(jià)格走勢不一樣了，內(nèi)存廠商現(xiàn)在篤定2021年價(jià)格反彈，甚至
2021-01-08 10:18:303969 嘉合勁威（阿斯加特/光威品牌母公司）今天宣布，旗下的“神可”（Sinker）系列DDR4內(nèi)存產(chǎn)品已經(jīng)通過統(tǒng)信軟件的認(rèn)證。
2021-01-28 11:02:101935 了，未來幾年被取代是水到渠成的，不過DDR3內(nèi)存反而可能熱了。 目前DDR3內(nèi)存主要用于一些低端、嵌入式領(lǐng)域，比如Wi-Fi路由等，它們不需要多高端、多大容量的內(nèi)存，相比DDR4便宜不少，可以降低成本。 目前三星、美光、SK海力士等公司已經(jīng)停產(chǎn)或者減少DDR3內(nèi)存產(chǎn)能，現(xiàn)在主要廠商是臺灣的
2021-02-02 11:27:393636 供應(yīng)鏈的消息，1月份服務(wù)器DRAM價(jià)格止跌上漲，32GB DDR4 RDIMM合約價(jià)月增4.6％達(dá)115美元，64GB DDR4 LRDIMM合約價(jià)月增4.9％達(dá)235美元。 1月份PC標(biāo)準(zhǔn)型DRAM價(jià)格
2021-02-03 16:59:201914 DDR4意義就是把入門級內(nèi)存提升到了4GB，更大的容量...
2021-10-09 15:39:3714482 DDR4的工作原理以及尋址方式DDR4是什么？DDR4全稱，DDR4-DRAM，與其他DDRDRAM一樣，是當(dāng)前電子系統(tǒng)架構(gòu)中使用最為廣泛的的RAM存儲器。這句話可以分解出3個(gè)關(guān)鍵字：存儲器
2021-11-06 13:51:01154 日前，世界著名硬件網(wǎng)站TomsHardware上有消息表示，多家大廠都在考慮停止DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)。DDR3內(nèi)存早在2007年就被引入，至今已長達(dá)15年，因?yàn)槠洳辉俜河糜谥髁髌脚_，即便退出市場也不會
2022-04-06 12:22:565460 迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測試板專門為內(nèi)存顆粒測試設(shè)計(jì)，阻抗一致性優(yōu)異，極低延遲，最高速率支持6.4Gbps，可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測試。
2022-10-10 09:33:486141 本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范，包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號分配。本標(biāo)準(zhǔn)旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1726 DDR4內(nèi)存模塊支持單個(gè)64位通道(如果考慮ECC，則為72位通道)。相比之下，DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個(gè)獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:442688 ARES RGB DDR4?臺式電腦內(nèi)存 ? ? ?
2022-04-25 10:32:00574 
DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5（第五代雙倍數(shù)據(jù)率）和DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率）是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù)，它們在電氣特性和引腳布局上存在明顯差異。因此，DDR5內(nèi)存模塊無法插入DDR4主板插槽中，也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2525830 DDR4 3200和DDR4 3600是兩種常見的內(nèi)存頻率規(guī)格，它們在性能上會有一定的差別，但差別大小取決于具體的應(yīng)用場景和系統(tǒng)配置。
2023-08-22 14:45:0554402 三星公司計(jì)劃在下半年再次削減DRAM制程的產(chǎn)能，而今年以來這一減產(chǎn)主要針對DDR4。業(yè)界普遍預(yù)期，三星的目標(biāo)是在今年年底之前將庫存水平降至合理水平。這一減產(chǎn)舉措可能會導(dǎo)致DDR4市場價(jià)格上漲，而目前
2023-09-15 17:42:081363 DDR4 3200和3600是內(nèi)存模塊的頻率標(biāo)準(zhǔn)，表示其頻率值，具有以下差異
2023-09-26 15:24:1828184 摘要：本文將對DDR3和DDR4兩種內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行詳細(xì)的比較，分析它們的技術(shù)特性、性能差異以及適用場景。通過對比這兩種內(nèi)存技術(shù)，為讀者在購買和使用內(nèi)存產(chǎn)品時(shí)提供參考依據(jù)。
2023-09-27 17:42:103978 DDR4和DDR3內(nèi)存都有哪些區(qū)別？ 隨著計(jì)算機(jī)的日益發(fā)展，內(nèi)存也越來越重要。DDR3和DDR4是兩種用于計(jì)算機(jī)內(nèi)存的標(biāo)準(zhǔn)。隨著DDR4內(nèi)存的逐漸普及，更多的人開始對兩者有了更多的關(guān)注。 DDR
2023-10-30 09:22:0011385 01活動(dòng)主題DDR4/DDR5內(nèi)存技術(shù)高速信號專題設(shè)計(jì)技術(shù)交流活動(dòng)時(shí)間：2024年7月6日（本周六）10：00地點(diǎn)：深圳市南山區(qū)科技南十二路曙光大廈1002（深圳地鐵1號線，高新園地鐵站D出口200
2024-07-06 08:12:51424 
DDR4，即第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory），是計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)的一個(gè)重要
2024-09-04 11:43:343299 DDR4（第四代雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器）的時(shí)鐘頻率和速率之間存在著緊密的關(guān)系，這種關(guān)系對于理解DDR4內(nèi)存的性能特性至關(guān)重要。以下將詳細(xì)探討DDR4時(shí)鐘頻率和速率之間的關(guān)系，包括它們?nèi)绾蜗嗷ビ绊憽⑷绾魏饬恳约霸趯?shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)。
2024-09-04 11:44:273851 DDR4內(nèi)存作為當(dāng)前廣泛應(yīng)用的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，盡管其性能穩(wěn)定且技術(shù)成熟，但在實(shí)際使用過程中仍可能遇到一些常見問題。
2024-09-04 12:35:041707 DDR4內(nèi)存模塊是計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)的一項(xiàng)重要進(jìn)步，它是Double Data Rate（雙倍數(shù)據(jù)速率）第四代內(nèi)存技術(shù)的具體實(shí)現(xiàn)形式。
2024-09-04 12:35:501067 DDR4內(nèi)存頻率的最高值是一個(gè)隨著技術(shù)進(jìn)步而不斷演變的指標(biāo)。目前，DDR4內(nèi)存的頻率已經(jīng)取得了顯著的提升，但具體到最高頻率，則需要結(jié)合多個(gè)方面來討論。
2024-09-04 12:37:153621 ）的尋址原理是計(jì)算機(jī)內(nèi)存系統(tǒng)中至關(guān)重要的一個(gè)環(huán)節(jié)，它決定了數(shù)據(jù)如何在內(nèi)存中被有效地存儲和訪問。DDR4的尋址原理復(fù)雜而高效，以下將詳細(xì)闡述其關(guān)鍵要素和工作流程。
2024-09-04 12:38:571119 DDR4（Double Data Rate 4）作為當(dāng)前主流的計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)，相較于其前身DDR3，在性能、功耗、容量等多個(gè)方面都有了顯著提升。
2024-09-04 12:43:104985 DDR4內(nèi)存的傳輸速率是衡量其性能的重要指標(biāo)之一，它直接決定了內(nèi)存模塊在單位時(shí)間內(nèi)能夠傳輸?shù)臄?shù)據(jù)量。
2024-09-04 12:44:252310 DDR4內(nèi)存的工作頻率是指DDR4內(nèi)存條在運(yùn)行時(shí)所能達(dá)到的速度，它是衡量DDR4內(nèi)存性能的一個(gè)重要指標(biāo)。DDR4內(nèi)存作為目前廣泛使用的內(nèi)存類型之一，其工作頻率經(jīng)歷了從最初的低頻率到當(dāng)前的高頻率的不斷發(fā)展。
2024-09-04 12:45:391967 DDR4（Double Data Rate 4）時(shí)序參數(shù)是描述DDR4內(nèi)存模塊在執(zhí)行讀寫操作時(shí)所需時(shí)間的一組關(guān)鍵參數(shù)，它們直接影響到內(nèi)存的性能和穩(wěn)定性。以下是對DDR4時(shí)序參數(shù)的詳細(xì)解釋，涵蓋了主要的時(shí)序參數(shù)及其功能。
2024-09-04 14:18:073954 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步，計(jì)算機(jī)內(nèi)存技術(shù)也在不斷發(fā)展。DDR（Double Data Rate）內(nèi)存條作為計(jì)算機(jī)的重要組成部分，其性能直接影響到電腦的運(yùn)行速度和穩(wěn)定性。DDR3和DDR4是目前市場上最常
2024-11-20 14:24:223117 DDR5內(nèi)存的工作原理詳解 1. DDR5內(nèi)存簡介 DDR5（Double Data Rate 5）是第五代雙倍數(shù)據(jù)速率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲器（SDRAM）。它是DDR4的后續(xù)產(chǎn)品，提供更高
2024-11-22 15:38:032669 DDR5內(nèi)存與DDR4內(nèi)存性能差異 隨著技術(shù)的發(fā)展，內(nèi)存技術(shù)也在不斷進(jìn)步。DDR5內(nèi)存作為新一代的內(nèi)存技術(shù)，相較于DDR4內(nèi)存，在性能上有著顯著的提升。 1. 數(shù)據(jù)傳輸速率 DDR5內(nèi)存的最大數(shù)
2024-11-29 14:58:40925 ，這些主板通常支持較新的Intel處理器，并具備較高的性能和擴(kuò)展性。它們通常配備4個(gè)或更多的DDR4內(nèi)存插槽，支持較高的內(nèi)存頻率和容量。 B系列主板 ： 如B360、B365、B450、B460
2024-11-29 15:03:473465 據(jù)報(bào)道，業(yè)內(nèi)人士透露，全球三大DRAM內(nèi)存制造商——三星電子、SK海力士和美光，有望在2025年內(nèi)正式停產(chǎn)已有多年歷史的DDR3和DDR4兩代內(nèi)存。 隨著技術(shù)的不斷進(jìn)步和消費(fèi)級平臺的更新?lián)Q代
2025-02-19 11:11:51255
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