計算機的dram和sram有何區(qū)別

　　隨機存取存儲器（random access memory，RAM）又稱作“隨機存儲器”，是與CPU直接交換數(shù)據(jù)的內(nèi)部存儲器，也叫主存（內(nèi)存）。它可以隨時讀寫，而且速度很快，通常作為操作系統(tǒng)或其他正在運行中的程序的臨時數(shù)據(jù)存儲媒介。

　　存儲單元的內(nèi)容可按需隨意取出或存入，且存取的速度與存儲單元的位置無關(guān)的存儲器。這種存儲器在斷電時將丟失其存儲內(nèi)容，故主要用于存儲短時間使用的程序。 按照存儲單元的工作原理，隨機存儲器又分為靜態(tài)隨機存儲器（英文：Static RAM，SRAM）和動態(tài)隨機存儲器（英文Dynamic RAM，DRAM）。

　　這篇文章主要就是來說計算機的dram和sram有何區(qū)別，小編把dram和sram這兩個的相關(guān)信息做了個對比匯總一起來了解一下。

　　DRAM介紹

　　利用MOS管的柵電容上的電荷來存儲信息，一旦掉電信息會全部的丟失，由于柵極會漏電，所以每隔一定的時間就需要一個刷新機構(gòu)給這些柵電容補充電荷，并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補充電荷，這個就叫動態(tài)刷新，所以稱其為動態(tài)隨機存儲器。

　　由于它只使用一個MOS管來存信息，所以集成度可以很高，容量能夠做的很大。SDRAM比它多了一個與CPU時鐘同步。

　　SRAM介紹

　　利用寄存器來存儲信息，所以一旦掉電，資料就會全部丟失，只要供電，它的資料就會一直存在，不需要動態(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機存儲器。

　　以上主要用于系統(tǒng)內(nèi)存儲器，容量大，不需要斷電后仍保存數(shù)據(jù)的。

　　計算機的dram和sram有何區(qū)別

　　靜態(tài)存儲單元（SRAM）

　　●存儲原理：由觸發(fā)器存儲數(shù)據(jù)

　　●單元結(jié)構(gòu)：六管NMOS或OS構(gòu)成

　　●優(yōu)點：速度快、使用簡單、不需刷新、靜態(tài)功耗極低；常用作Cache

　　●缺點：元件數(shù)多、集成度低、運行功耗大

　　●常用的SRAM集成芯片：6116（2K×8位），6264（8K×8位），62256（32K×8位），2114（1K×4位）

　　動態(tài)存儲單元（DRAM）

　　●存貯原理：利用MOS管柵極電容可以存儲電荷的原理，需刷新（早期：三管基本單元；現(xiàn)在：單管基本單元）

　　●刷新（再生）：為及時補充漏掉的電荷以避免存儲的信息丟失，必須定時給柵極電容補充電荷的操作

　　●刷新時間：定期進行刷新操作的時間。該時間必須小于柵極電容自然保持信息的時間（小于2ms）。

　　●優(yōu)點： 集成度遠高于SRAM、功耗低，價格也低

　　●缺點：因需刷新而使外圍電路復(fù)雜；刷新也使存取速度較DRAM慢，所以在計算機中，SRAM常用于作主存儲器。盡管如此，由于DRAM［1］存儲單元的結(jié)構(gòu)簡單，所用元件少，集成度高，功耗低，所以目前已成為大容量RAM的主流產(chǎn)品。