電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>Wintel聯(lián)盟將推動(dòng)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器革命

Wintel聯(lián)盟將推動(dòng)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器革命

收藏0

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

请按住滑块,拖动到最右边
了解新功能

查看更多

相關(guān)推薦

力旺電子推全新反熔絲架構(gòu)嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)

嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存廠商力旺電子日前宣布,正式推出全新反熔絲架構(gòu)之嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)NeoFuse,此技術(shù)瞄準(zhǔn)先進(jìn)工藝平臺(tái),具備硅智財(cái)組件尺寸小與保存能力佳等特點(diǎn),可滿足客戶產(chǎn)品在先進(jìn)工藝產(chǎn)品之進(jìn)階需求。
2013-05-20 10:03:101109

速度是NAND千倍!新型非揮發(fā)性存的儲(chǔ)器已量產(chǎn)

英特爾(Intel)與美光科技(Micron)日前發(fā)表新型非揮發(fā)性記憶體技術(shù)──3D XPoint,該種記憶體號(hào)稱是自1989年NAND快閃晶片推出以來(lái)的首個(gè)新記憶體類別,能徹底改造任何裝置、應(yīng)用、服務(wù),讓它們能快速存取大量的資料,且現(xiàn)已量產(chǎn)。
2015-07-30 11:38:161044

如何實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)下一代阻變存儲(chǔ)器真正超越

目前,閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)以高存儲(chǔ)密度、低功耗、擦寫次數(shù)快等優(yōu)勢(shì)占據(jù)了非揮發(fā)性存儲(chǔ)芯片的壟斷地位,但隨著半導(dǎo)體工藝的不斷發(fā)展,閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)遇到了技術(shù)瓶頸,而新一代存儲(chǔ)技術(shù)——阻變存儲(chǔ)器有望成為閃存芯片存儲(chǔ)技術(shù)的替代者。
2015-10-13 08:24:582981

MRAM接班主流存儲(chǔ)器指日可待

  存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)(SRAM)的快速、快閃存儲(chǔ)的高密度以及如同唯讀存儲(chǔ)(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢(shì)的非揮發(fā)性存儲(chǔ)。如今,透過(guò)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)(MRAM),可望解決開發(fā)這種“萬(wàn)能”存儲(chǔ)(可取代各種存儲(chǔ))的問(wèn)題。
2016-03-09 09:14:552118

2017年英特爾逾20%的營(yíng)收增長(zhǎng)將來(lái)自非揮發(fā)性存儲(chǔ)器

英特爾為提振長(zhǎng)遠(yuǎn)的營(yíng)收增長(zhǎng),現(xiàn)正鎖定非揮發(fā)性存儲(chǔ)器(non-volatile memory)市場(chǎng),預(yù)期2017年該公司來(lái)自于此的營(yíng)收將增長(zhǎng)逾20%。
2017-03-03 09:46:10705

存儲(chǔ)器是什么?有什么作用

1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分,存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件,有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性,可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類,易失和
2021-07-16 07:55:26

存儲(chǔ)器的相關(guān)資料推薦

存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與或門,之后在此基礎(chǔ)上,形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息,例如R-S鎖存和門控D鎖存,進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化,形成我們
2021-12-10 06:54:11

負(fù)int16變量賦值給float32變量時(shí)出現(xiàn)轉(zhuǎn)換錯(cuò)誤

嗨,伙計(jì)們,我正在使用It16變量(這實(shí)際上是從SAR ADC寄存讀取的12位數(shù)據(jù)),并將這些變量中的兩個(gè)變量分配給FLUAT32變量。我定義了數(shù)據(jù)類型和變量的初始化如下:揮發(fā)性It16
2019-08-05 08:50:58

Actel推動(dòng)Flash技術(shù)進(jìn)入汽車應(yīng)用領(lǐng)域

;nbsp;      Actel公司宣布為其成功的車用解決方案系列,增添具有擴(kuò)展車用溫度范圍的揮發(fā)性、以Flash為
2008-07-25 12:31:34

EPROM是什么?有何性能

EPROM(Electrically Erasable Programmable Read一Only Memory)即電子擦除式只讀存儲(chǔ)器,它是一種揮發(fā)性存儲(chǔ)器,與擦除式只讀存儲(chǔ)器(EPROM
2022-02-11 07:34:54

Flash存儲(chǔ)器的故障特征

Flash存儲(chǔ)器是一種基于浮柵技術(shù)的揮發(fā)性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,一般有NOR、NAND、 DINOR和AND 等幾種類型。作為一類非易失性存儲(chǔ)器 ,Flash存儲(chǔ)器具有自己獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn):不需要特殊的外部高
2020-11-16 14:33:15

MRAM高速緩存的組成

磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于MRAM存儲(chǔ)器運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。MRAM因具有許多優(yōu)點(diǎn),有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54

正在加载...