嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存廠商力旺電子日前宣布，正式推出全新反熔絲架構(gòu)之嵌入式非揮發(fā)性內(nèi)存技術(shù)NeoFuse，此技術(shù)瞄準(zhǔn)先進(jìn)工藝平臺，具備硅智財(cái)組件尺寸小與保存能力佳等特點(diǎn)，可滿足客戶產(chǎn)品在先進(jìn)工藝產(chǎn)品之進(jìn)階需求。
2013-05-20 10:03:10
1109 在今年即將于美國加州舉行的國際電子組件會議（IEDM）上，來自三星（Samsung）、東芝（Toshiba）、海力士（SK Hynix）等公司的研究團(tuán)隊(duì)預(yù)計(jì)將發(fā)表多項(xiàng)有關(guān)磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（MRAM）的最新發(fā)展。
2016-11-29 10:32:211308 晶圓代工大廠臺積電和三星的競爭，現(xiàn)由邏輯芯片擴(kuò)及內(nèi)存市場。 臺積電這次重返內(nèi)存市場，瞄準(zhǔn)是訴求更高速及低耗電的MRAM和RRAM等次世代內(nèi)存，因傳輸速度比一般閃存快上萬倍，是否引爆內(nèi)存產(chǎn)業(yè)的新潮流，值得密切關(guān)注。
2017-06-07 10:54:181577 
據(jù)臺灣經(jīng)濟(jì)日報(bào)最新消息，聯(lián)電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM）領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，合作技術(shù)開發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品；聯(lián)電即日起透過授權(quán)，提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發(fā)性MRAM技術(shù)。
2018-08-09 10:38:123129 磁阻隨機(jī)存取存儲器 (MRAM) 是一種非易失性存儲器技術(shù)，它依靠兩個(gè)鐵磁層的（相對）磁化狀態(tài)來存儲二進(jìn)制信息。多年來，出現(xiàn)了不同風(fēng)格的 MRAM 存儲器，這使得 MRAM 對緩存應(yīng)用程序和內(nèi)存計(jì)算越來越感興趣。
2022-07-26 11:08:341864 
本文旨在討論各種MRAM的技術(shù)路徑，其中包括磁場驅(qū)動型、自旋轉(zhuǎn)移扭矩（spin-transfer torque：STT）、自旋軌道扭矩（spin-orbit torque：SOT）、電壓控制
2022-09-29 15:30:253452 3月25日，科技之巔·麻省理工科技評論全球十大突破性技術(shù)峰會在北京召開，該峰會是全球最為著名的技術(shù)榜單之一，峰會圍繞十大突破性技術(shù)在中國落地性最強(qiáng)，并對目前最受關(guān)注的領(lǐng)域進(jìn)行深入解讀。2018年
2018-03-27 16:07:53
2020年全球十大突破技術(shù)，2018-12-28 08:11:39盤點(diǎn)這一年的核心技術(shù)：22納米光刻機(jī)、450公斤人造藍(lán)寶石、0.12毫米玻璃、大型航天器回收、盾構(gòu)機(jī)“棄殼返回”、遠(yuǎn)距離虹膜識別
2021-07-28 09:17:55
MRAM技術(shù)MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲器使用1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）架構(gòu)，其中鐵磁材料的磁性“狀態(tài)”作為數(shù)據(jù)存儲元素。由于MRAM使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲（而不是隨時(shí)間推移而“泄漏
2022-11-17 15:05:44
問題是很難避免的。于是在實(shí)踐中交叉點(diǎn)陣列間的尺寸長度不能超過一定的限度，這樣單位面積上的單元數(shù)(密度)受到限制。雖然當(dāng)前的半導(dǎo)體集成電路早已突破了這一尺寸極限值，但MRAM技術(shù)中如何突破有待時(shí)日。
2020-11-26 16:23:24
非易失性MRAM芯片組件通常在半導(dǎo)體晶圓廠的后端工藝生產(chǎn)，下面英尚微電子介紹關(guān)于MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個(gè)方面.
2021-01-01 07:13:12
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
產(chǎn)品會取代獨(dú)立存儲器目前各廠商已經(jīng)基本掌握了用于實(shí)現(xiàn)第一階段應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。在車載MCU中,通常是將設(shè)備工作時(shí)使用的sram存儲器和用于存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。如果能夠?qū)⒆孕⑷?b class="flag-6" style="color: red">MRAM集成到
2023-04-07 16:41:05
在所有常年興起的記憶中，MRAM似乎最有可能瀕臨大規(guī)模，廣泛采用。這是否會很快發(fā)生取決于制造的進(jìn)步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)。MRAM以及PCRAM和ReRAM已經(jīng)達(dá)到了一個(gè)臨界點(diǎn)
2020-08-12 17:42:01
磁阻式隨機(jī)存儲器(MRAM)是一種新型存儲器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲器運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲系統(tǒng)中。MRAM因具有許多優(yōu)點(diǎn),有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
印刷電路板設(shè)計(jì)解決方案供貨商明導(dǎo)國際(Mentor Graphics)，宣布推出一種突破性布線技術(shù)，這種業(yè)界首創(chuàng)的拓樸布線(topology router)技術(shù)，能把工程師知識、電路板設(shè)計(jì)人
2018-08-31 11:53:50
核心板用的贏鵬飛Com335x_II的128MRAM，nand flash版，底板自己設(shè)計(jì)的，之前操作移植沒有問題，今天在測試io輸出以后，重啟系統(tǒng)發(fā)現(xiàn)無法正確從nand flash引導(dǎo)了，通過SD
2020-05-06 03:37:43
的先進(jìn)技術(shù)，在節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。其產(chǎn)品包裝和測試業(yè)務(wù)遍及中國，***和其他亞洲國家。 那Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作
2020-08-31 13:59:46
為什么GaN可以在市場中取得主導(dǎo)地位?簡單來說，相比LDMOS硅
技術(shù)而言，GaN這一材料
技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅
技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料
技術(shù)上的
突破?！ ?/div>
2019-06-26 06:14:34
STT-MRAM技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)
2020-12-16 06:17:44
求大神詳細(xì)介紹一下STT-MRAM的存儲技術(shù)
2021-04-20 06:49:29
MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問存儲器的簡稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
everspin自旋轉(zhuǎn)矩MRAM技術(shù)
2020-12-25 07:53:15
flyingstart 即 捕捉再啟動功能，電機(jī)在未完全停止的情況下，變頻器仍可直接啟動。使能flyingstart功能，變頻器找到當(dāng)前電機(jī)的轉(zhuǎn)速，在頻率范圍內(nèi)和電機(jī)耦合，即可控制電機(jī)達(dá)到指定頻率
2021-09-03 07:50:32
windows內(nèi)存管理技術(shù)是怎么回事
2012-06-09 18:04:30
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
航空航天專用Everspin非易失性MRAM存儲器
2020-12-31 07:15:20
TAS-MRAM概念從磁性隨機(jī)存取存儲器到磁性邏輯單元
2021-03-03 06:10:33
（這是 一種直流鏈路已經(jīng)完全崩潰的長時(shí)間電源中斷）。設(shè)置參數(shù)參數(shù)功能設(shè)置P1210自動再啟動此參數(shù)可對自動再啟動功能進(jìn)行配置。= 0: 禁止= 1: 上電后跳閘復(fù)位，P1211 禁止= 2: 電源掉電后再
2020-12-22 15:41:10
在2019全球閃存峰會上，Everspin作為全球MRAM存儲芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲和NVMe SSD構(gòu)建未來的云存儲的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
作者 MahendraPakala半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來下一代存儲器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2019-07-16 08:46:10
有何布局？設(shè)計(jì)人員又將迎來哪些全新機(jī)遇與重重挑戰(zhàn)？作為中國電子產(chǎn)業(yè)的一份子，你缺的是一個(gè)提供最新市場探析，展現(xiàn)技術(shù)全貌的平臺。鑒此，電子發(fā)燒友團(tuán)隊(duì)傾情打造的《可穿戴技術(shù)特刊》將是你的最佳選擇，在這里你
2014-03-06 08:56:06
、燃料電池、太陽能、鋰離子電池、新材料應(yīng)用、能源提取。站在媒體角度來看，2017年的上半年可以稱之為技術(shù)的升級之年。無論是出行能耗的應(yīng)用，還是能源制取，還是能源利用率上，新技術(shù)的聚焦點(diǎn)都在如何更快捷、低成本的提高新能源利用率上。這釋放了一個(gè)非常明顯的市場信號--能源市場的轉(zhuǎn)型。中順動力電池
2017-08-17 15:13:01
市場，受到了用記的一致好評，創(chuàng)造了良好的社會效益和經(jīng)濟(jì)效益。可以說，每一款產(chǎn)品都有特色，“河南全新”每一種電機(jī)軟啟動柜產(chǎn)品都是電機(jī)節(jié)電產(chǎn)品中的明星。河南全新軟啟動柜、軟啟動控制柜、軟啟動綜合柜，技術(shù)上采用了液態(tài)
2011-08-04 14:14:05
在半導(dǎo)體技術(shù)中，與數(shù)字技術(shù)隨著摩爾定律延續(xù)神奇般快速更新迭代不同，模擬技術(shù)的進(jìn)步顯得緩慢，其中電源半導(dǎo)體技術(shù)尤其波瀾不驚，在十年前開關(guān)電源就已經(jīng)達(dá)到90+%的效率下，似乎關(guān)鍵指標(biāo)難以有大的突破，永遠(yuǎn)離不開的性能“老三篇”——效率、尺寸、EMI/噪聲，少有見到一些突破性的新技術(shù)面市。
2019-07-16 06:06:05
視頻監(jiān)控技術(shù)在火災(zāi)報(bào)警領(lǐng)域有哪些新突破？
2021-06-01 06:47:05
MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠(yuǎn)未
2020-04-15 14:26:57
基于magnum II測試系統(tǒng)的測試技術(shù)研究，提出了采用magnum II測試系統(tǒng)的APG及其他模塊實(shí)現(xiàn)對MRAM VDMR8M32進(jìn)行電性測試及功能測試。其中功能測試包括全空間讀寫數(shù)據(jù)0測試，全空間讀寫
2019-07-23 07:25:23
MRAM的優(yōu)異性能使它能較快取代目前廣泛采用的DRAM內(nèi)存及EEPROM閃存，作為新一代計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。MRAM目前是新一代計(jì)算機(jī)內(nèi)存的最佳候選者，但不是唯一的，與它同期并存的還有FRAM(鐵電
2020-10-20 14:34:03
MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力;以及動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)的高集成度，而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。
2020-12-10 07:20:20
高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性，適用于廣泛的應(yīng)用。單元面積僅為0.0456平方微米，讀取速度為10ns，讀取功率為0.8mA/MHz/b，在低功耗待機(jī)模式
2020-07-02 16:33:58
工研院與佳世達(dá)宣布簽約，將共同開發(fā)下一代便攜式超聲波系統(tǒng)與芯片，期望能突破歐美日壟斷的高階醫(yī)材技術(shù)，發(fā)展自主核心技術(shù)及專利，以帶動ICT產(chǎn)業(yè)與高階醫(yī)療器材整合。
2012-12-06 08:43:501289 MRAM是一種磁性多層膜的堆棧結(jié)構(gòu)，在這當(dāng)中最為關(guān)鍵的三層，上下兩層為磁性層（一為參考層，一為自由層），中間則為絕緣層。早前的MRAM的磁性層的磁化方向是水平排列，并可由電流來控制旋轉(zhuǎn)方向。方向相同
2013-07-09 09:33:461004 去年有報(bào)道稱，蘋果將在iPhone8上配備三星的存儲芯片。今年四月，Patently Apple又報(bào)道稱三星將為2018年的設(shè)備發(fā)布全新MRAM存儲芯片，標(biāo)志著一項(xiàng)技術(shù)性突破。
2017-07-01 10:46:22540 ， 臺灣公平會重罰高通，高通當(dāng)天就火速向臺灣研發(fā)團(tuán)隊(duì)告知暫停一切合作進(jìn)行事項(xiàng)。 工研院坦言，5Ｇ是重要的技術(shù)發(fā)展，高通突喊暫停，工研院研發(fā)腳步絕不可能停；
2017-11-27 06:20:41277 隨著越來越多具成本效益的應(yīng)用選擇磁阻隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)，不僅為其帶來了成長動能，業(yè)界生態(tài)系統(tǒng)也開始支持這一新興內(nèi)存選擇。
2018-05-15 09:24:494004 臺工業(yè)技術(shù)研究院10日于美國舉辦的國際電子元件會議（IEDM）中發(fā)表鐵電存儲器（FRAM）、磁阻隨機(jī)存取存儲器（MRAM）等6篇技術(shù)論文。其中，從研究成果顯示，工研院相較臺積電、三星的MRAM技術(shù)更具穩(wěn)定、快速存取優(yōu)勢。
2019-12-10 14:15:492685 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532162 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨(dú)立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-16 08:42:26497 ST-MRAM有潛力成為領(lǐng)先的存儲技術(shù)，因?yàn)樗且环N高性能存儲器（可以挑戰(zhàn)DRAM和SRAM），可擴(kuò)展至10nm以下，并挑戰(zhàn)了閃存的低成本。STT代表旋轉(zhuǎn)傳遞扭矩。在ST-MRAM器件中，電子的自旋
2020-04-03 16:35:181119 MRAM技術(shù)是以可沉積在標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲存單元為基礎(chǔ)，MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化
2020-04-07 17:06:30459 MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持
2020-04-09 09:13:145683 在新型 RAM 技術(shù)中，MRAM對物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計(jì)算設(shè)備具有特別有吸引力。因?yàn)樗軐?shí)現(xiàn)比目前這類硬件上的首選存儲類內(nèi)存 -NAND閃存-低得多的功耗，同時(shí)實(shí)現(xiàn)非易失性數(shù)據(jù)存儲。非易失性MRAM 本身
2020-04-07 14:08:17720 MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠(yuǎn)未
2020-04-08 15:01:55861 MRAM內(nèi)存的Everspin開始向STT-MRAM發(fā)運(yùn)最高1Gb的芯片容量，這種內(nèi)存密度使這些設(shè)備在許多應(yīng)用中更受關(guān)注。Everspin代理商英尚微電子提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。 主要的嵌入式半導(dǎo)體制造商為工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用中使用的嵌入式產(chǎn)品提供MRAM非易失性存儲器選項(xiàng)。這些鑄造廠包括全球
2020-06-23 15:31:031004 市場份額。下一代MRAM技術(shù)（例如SOT-MRAM）甚至可以以更高的密度替換最快的SRAM應(yīng)用。 圖1 內(nèi)存制造過程
2020-07-13 11:25:581037 MRAM是一種使用電子自旋來存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力-能夠?qū)⒋鎯Υ鎯ζ鞯拿芏扰cSRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗
2020-07-17 15:36:19681 
并行MRAM是大多數(shù)手機(jī)、移動設(shè)備、膝上機(jī)、PC等數(shù)字產(chǎn)品的存儲器的潛在替代產(chǎn)品。從MRAM芯片技術(shù)的特性上來看，可以預(yù)計(jì)它將能解決包括計(jì)算機(jī)或手機(jī)啟動慢、數(shù)據(jù)丟失、數(shù)據(jù)裝載緩慢、電池壽命短
2020-07-20 15:33:52616 第一代MRAM是toggle MRAM，采取磁場寫入數(shù)據(jù)的方式，其特點(diǎn)是容易設(shè)計(jì)制造，缺點(diǎn)在于尺寸大，難以微縮。
2020-07-23 11:32:573606 的領(lǐng)先趨勢來增強(qiáng)動力。 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存儲器IP選項(xiàng)包括STT-MRAM，相變存儲器（PCM），電阻RAM（ReRAM）和鐵電RAM（FRAM）。每種新興的內(nèi)存技術(shù)都不同，適合特定的應(yīng)用，但STT-MRAM似乎已成為主流。 STT-MRAM是一種電阻存儲技術(shù)，其中材料中電子的磁性自旋變
2020-08-04 17:24:263389 了基礎(chǔ)。 1995年IBM、摩托羅拉及好萊塢等三家大企業(yè)提供基金進(jìn)行高密、高速低耗MRAM芯片的開發(fā),其技術(shù)指標(biāo)及產(chǎn)品目標(biāo)要求如下: 技術(shù)指標(biāo): 具有sram芯片的隨機(jī)存取速率; 具有DRAM芯片的大容量存儲密度; 具有EEPROM芯片存入數(shù)據(jù)的非易失性。 產(chǎn)品目標(biāo): 取代計(jì)算機(jī)的DRAM內(nèi)存，
2020-09-07 18:19:335079 
寫入數(shù)據(jù)，同時(shí)在發(fā)生總功耗之前保留數(shù)據(jù)。Everspin一級代理英尚微電子本文介紹MRAM與其他內(nèi)存技術(shù)的相比較。 MRAM與內(nèi)存 內(nèi)存選項(xiàng)的比較與其他內(nèi)存技術(shù)選項(xiàng)相比，MRAM具有明顯的優(yōu)勢（下表1）。 表格1 MRAM與其他內(nèi)存技術(shù)相比具有相對優(yōu)勢 Flash 這項(xiàng)技術(shù)
2020-09-18 14:25:181049 
Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的？ Everspin MRAM與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲元件。每個(gè)存儲元件都將一個(gè)磁性隧道
2020-09-19 09:52:051749 在所有常年興起的記憶中，MRAM似乎最有可能瀕臨大規(guī)模，廣泛采用。這是否會很快發(fā)生取決于制造的進(jìn)步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)。 MRAM以及PCRAM和ReRAM已經(jīng)達(dá)到
2020-09-19 10:49:551437 經(jīng)常有人將MRAM稱作是非易失性存儲器（NVRAM）未來的關(guān)鍵性技術(shù)。作為一項(xiàng)非易失性存儲器技術(shù)，MRAM存儲芯片是可以在掉電時(shí)保留數(shù)據(jù)并且不需要定期刷新。MRAM存儲芯片利用磁性材料和傳統(tǒng)的硅電路
2020-09-24 16:19:431266 的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復(fù)挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)。通過將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術(shù)的領(lǐng)先趨勢來增強(qiáng)動力，同時(shí)考慮了汽車應(yīng)用的需求。要為嵌入式MRAM選擇合適的內(nèi)存測試和修復(fù)解決方案，設(shè)計(jì)人員需
2020-10-14 15:52:19536 
一段不短的時(shí)間進(jìn)行啟動才能正式使用，而無法像其他家電一樣即開即用。然而MRAM卻是一種全新的技術(shù)，甚至有望令PC的應(yīng)用方式徹底改變。 一、斷電也能保存MRAM技術(shù)精髓 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲器，所謂非易失性是指關(guān)掉電源后，
2020-10-27 13:59:12563 的非易失性，這的確是很誘人的，畢竟它讓使用MRAM內(nèi)存的電腦可以像電視或者收音機(jī)那樣能夠馬上啟動。除了MRAM，目前也有不少非易失性存儲器，其中包括大家最為熟悉的磁盤〔硬盤、軟盤）、Flash Memory（閃存）和EPROM。 作為內(nèi)存儲器，
2020-10-30 14:27:281188 安卓卡頓不卡頓，內(nèi)存是關(guān)鍵，頻繁清理后臺的話又會導(dǎo)致常駐APP減少，所以在Mate40系列手機(jī)上，華為推出了全新的內(nèi)存擴(kuò)展技術(shù)，可以讓內(nèi)存的等效容量變大四分之一，8GB等效10GB，12GB等效14GB。
2020-10-30 15:55:587185 是以磁性隧道結(jié)（MTJ）儲存單元為基礎(chǔ)。MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化時(shí)，MTJ的隧道結(jié)便會顯現(xiàn)出低電阻特性;反之MTJ便會有高電阻。此磁阻效應(yīng)可使MRAM不需改變內(nèi)存狀態(tài)，便
2020-12-09 15:54:192403 
MRAM是一種以電阻為存儲方式結(jié)合非易失性及隨機(jī)訪問兩種特性，可以兼做內(nèi)存和硬盤的新型存儲介質(zhì)。寫入速度可達(dá)NAND閃存的數(shù)千倍，此外...
2020-12-10 20:55:10274 在 MRAM 這類內(nèi)存寫入時(shí)，組件的穿隧氧化層會承受的龐大電壓，使得數(shù)據(jù)的保存、寫入耐久性，以及寫入速度三者往往不可兼得，必須有所權(quán)衡。這意味著即使STT?MRAM技術(shù)已經(jīng)接近成熟，其受到的限制
2021-12-11 14:47:44519 MRAM是一種非易失性存儲技術(shù)，可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用。基于MRA...
2022-01-26 17:59:13
1 高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備,通常使它已經(jīng)成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。
2022-01-26 18:46:465 在新型 RAM 技術(shù)中，MRAM 對物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計(jì)算設(shè)備具有特別有吸引力。因?yàn)樗軐?shí)現(xiàn)比目前這類硬件上的首選存儲類內(nèi)存 -NAND閃存-低得多的...
2022-02-07 11:58:101 STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲器，是磁性存儲器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲的結(jié)構(gòu)簡單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 加速科技在廈門地區(qū)上演“帽子戲法”，與廈門工研院達(dá)成正式合作。
2021-05-12 09:51:17654 
作為一種磁性技術(shù)，MRAM本質(zhì)上是抗輻射的。這使得獨(dú)立版本在航空航天應(yīng)用中很受歡迎，而且這些應(yīng)用對價(jià)格的敏感度也較低。它相對較大，在內(nèi)存領(lǐng)域，尺寸意味著成本。
2023-08-30 15:28:50407 鑒于AI、5G新時(shí)代的到來以及自動駕駛、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識等應(yīng)用對更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫，如磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（MRAM）這樣的新一代內(nèi)存技術(shù)已成為眾多廠商爭相研發(fā)的重點(diǎn)。
2024-01-18 14:44:00838 臺積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線，并積累了大量內(nèi)存和車用市場訂單。
2024-01-18 16:44:044839 臺積電近日宣布，與工研院合作開發(fā)出自旋軌道轉(zhuǎn)矩磁性存儲器（SOT-MRAM）陣列芯片，該芯片具有極低的功耗，僅為其他類似技術(shù)的1%。這一創(chuàng)新技術(shù)為次世代存儲器領(lǐng)域帶來了新的突破。
2024-01-22 15:44:472346 
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