據(jù)臺(tái)灣經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)最新消息，聯(lián)電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM）領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，合作技術(shù)開發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品；聯(lián)電即日起透過授權(quán)，提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發(fā)性MRAM技術(shù)。
2018-08-09 10:38:12
3129 磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (MRAM) 是一種非易失性存儲(chǔ)器技術(shù)，它依靠?jī)蓚€(gè)鐵磁層的（相對(duì)）磁化狀態(tài)來(lái)存儲(chǔ)二進(jìn)制信息。多年來(lái)，出現(xiàn)了不同風(fēng)格的 MRAM 存儲(chǔ)器，這使得 MRAM 對(duì)緩存應(yīng)用程序和內(nèi)存計(jì)算越來(lái)越感興趣。
2022-07-26 11:08:341864 
本文旨在討論各種MRAM的技術(shù)路徑，其中包括磁場(chǎng)驅(qū)動(dòng)型、自旋轉(zhuǎn)移扭矩（spin-transfer torque：STT）、自旋軌道扭矩（spin-orbit torque：SOT）、電壓控制
2022-09-29 15:30:253452 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）已經(jīng)有了多年的發(fā)展歷史，最早可以追溯到1984年，Arthur Pohm和 Jim Daughton兩人在霍尼韋爾打造出了首個(gè)磁阻存儲(chǔ)器設(shè)備
2022-11-29 09:25:322408 MRAM技術(shù)MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）架構(gòu)，其中鐵磁材料的磁性“狀態(tài)”作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。由于MRAM使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲(chǔ)（而不是隨時(shí)間推移而“泄漏
2022-11-17 15:05:44
MRAM與FRAM技術(shù)比較
2021-01-25 07:33:07
我們可以預(yù)見到未來(lái)有望出現(xiàn)新型的、功能大大提升的單芯片系統(tǒng)這一美好前景。MRAM技術(shù)目前還存在一些困難，至少還沒有一種實(shí)用化的、可靠的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)大容量的MRAM。困難之一是對(duì)自由層進(jìn)行寫入（使磁矩平行或
2020-11-26 16:23:24
非易失性MRAM芯片組件通常在半導(dǎo)體晶圓廠的后端工藝生產(chǎn)，下面英尚微電子介紹關(guān)于MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個(gè)方面.
2021-01-01 07:13:12
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會(huì)丟失，而且它和DRAM一樣可隨機(jī)存取。表1存儲(chǔ)器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時(shí)間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
Everspin串口串行mram演示軟件分析
2021-01-29 06:49:31
在所有常年興起的記憶中，MRAM似乎最有可能瀕臨大規(guī)模，廣泛采用。這是否會(huì)很快發(fā)生取決于制造的進(jìn)步和支持分立和嵌入式MRAM器件技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)。MRAM以及PCRAM和ReRAM已經(jīng)達(dá)到了一個(gè)臨界點(diǎn)
2020-08-12 17:42:01
MRAM的存儲(chǔ)原理
2020-12-31 07:41:19
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM)是一種新型存儲(chǔ)器,其優(yōu)點(diǎn)有讀取速度快和集成度高及非揮發(fā)性等。目前許多研究主要是致力于將MRAM存儲(chǔ)器運(yùn)用于計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)系統(tǒng)中。MRAM因具有許多優(yōu)點(diǎn),有取代SRAM
2020-11-06 14:17:54
MRAM技術(shù)進(jìn)入汽車應(yīng)用
2021-01-11 07:26:02
Eversipn STT-MRAM的MJT細(xì)胞
2021-02-24 07:28:54
的先進(jìn)技術(shù)，在節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。其產(chǎn)品包裝和測(cè)試業(yè)務(wù)遍及中國(guó)，***和其他亞洲國(guó)家。 那Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作
2020-08-31 13:59:46
HDMI技術(shù)深入淺出
2012-08-19 10:52:57
LabVIEW 深入探索
2015-07-01 10:54:43
LabVIEW_深入探索
2012-08-31 13:53:31
`LabVIEW_深入探索`
2012-08-19 13:38:42
Labview 深入探索
2013-04-11 18:09:31
Labview深入探索的很好資料哦
2012-04-27 21:29:59
STT-MRAM技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)
2020-12-16 06:17:44
求大神詳細(xì)介紹一下STT-MRAM的存儲(chǔ)技術(shù)
2021-04-20 06:49:29
MRAM，即磁阻式隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器的簡(jiǎn)稱，兼?zhèn)銼RAM的高速讀寫性能與閃存存儲(chǔ)器的非易失性。STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型MARM，屬于MRAM的二代產(chǎn)品，解決了MRAM寫入信息
2021-12-10 07:06:51
everspin最新1Gb容量擴(kuò)大MRAM吸引力
2021-01-01 06:29:30
everspin自旋轉(zhuǎn)矩MRAM技術(shù)
2020-12-25 07:53:15
Everspin的8Mb MRAM MR3A16ACMA35可以在較慢的富士通8Mb FRAM MB85R8M2T上運(yùn)行，但還允許系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員利用MRAM的四倍隨機(jī)存取周期時(shí)間。Everspin
2023-04-07 16:26:28
航空航天專用Everspin非易失性MRAM存儲(chǔ)器
2020-12-31 07:15:20
TAS-MRAM概念從磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器到磁性邏輯單元
2021-03-03 06:10:33
關(guān)于MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個(gè)方面？
2021-06-08 07:11:38
我想將 iMX RT1024 連接到 MR5A16A MRAM MR5A16A MRAM 數(shù)據(jù)表聲明它與 SRAM 接口兼容但是，通過比較 MR5A16A 數(shù)據(jù)表和 iMX RT1024 參考手冊(cè)
2023-04-17 07:52:33
在2019全球閃存峰會(huì)上，Everspin作為全球MRAM存儲(chǔ)芯片龍頭分享如何用MRAM這類非易失性存儲(chǔ)和NVMe SSD構(gòu)建未來(lái)的云存儲(chǔ)的解決方案。
2021-01-11 06:44:23
嵌入式MRAM關(guān)鍵應(yīng)用與制造商
2021-01-08 06:36:18
作者 MahendraPakala半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在迎來(lái)下一代存儲(chǔ)器技術(shù)的新紀(jì)元，幾大主要變化趨勢(shì)正在成形。這其中包括磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器(MRAM) 的出現(xiàn)。我將在幾篇相關(guān)文章中介紹推動(dòng)MRAM 得以采用的背景，重點(diǎn)說明初始階段面臨的一些挑戰(zhàn)，并探討實(shí)現(xiàn) STT MRAM 商業(yè)可行性的進(jìn)展。
2019-07-16 08:46:10
我現(xiàn)在打算用賽靈思的7K325T在BPI加載模式下用everspin的MRAM——MR4A08B代替FLASH,問一下有大神這么做過么，有沒有可行性？
2015-09-22 10:12:36
磁阻式隨機(jī)存儲(chǔ)器MRAM的基本原理是什么？
2021-06-08 06:33:01
MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠(yuǎn)未
2020-04-15 14:26:57
基于magnum II測(cè)試系統(tǒng)的測(cè)試技術(shù)研究，提出了采用magnum II測(cè)試系統(tǒng)的APG及其他模塊實(shí)現(xiàn)對(duì)MRAM VDMR8M32進(jìn)行電性測(cè)試及功能測(cè)試。其中功能測(cè)試包括全空間讀寫數(shù)據(jù)0測(cè)試，全空間讀寫
2019-07-23 07:25:23
MRAM的優(yōu)異性能使它能較快取代目前廣泛采用的DRAM內(nèi)存及EEPROM閃存，作為新一代計(jì)算機(jī)的內(nèi)存。MRAM目前是新一代計(jì)算機(jī)內(nèi)存的最佳候選者，但不是唯一的，與它同期并存的還有FRAM(鐵電
2020-10-20 14:34:03
高密度MRAM具有非常低的功率，高的讀取速度，非常高的數(shù)據(jù)保留能力和耐久性，適用于廣泛的應(yīng)用。單元面積僅為0.0456平方微米，讀取速度為10ns，讀取功率為0.8mA/MHz/b，在低功耗待機(jī)模式
2020-07-02 16:33:58
來(lái)源：全球SSD 上周，在第64屆國(guó)際電子器件會(huì)議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體巨頭展示了嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。 首先，我們來(lái)了解一下 MRAM (Magnetic
2018-12-17 16:09:01147 隨著制造成本下降以及其他存儲(chǔ)器技術(shù)面臨可擴(kuò)展性挑戰(zhàn)，嵌入式MRAM正在獲得更多考慮。
2019-09-16 16:25:42846 臺(tái)工業(yè)技術(shù)研究院10日于美國(guó)舉辦的國(guó)際電子元件會(huì)議（IEDM）中發(fā)表鐵電存儲(chǔ)器（FRAM）、磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（MRAM）等6篇技術(shù)論文。其中，從研究成果顯示，工研院相較臺(tái)積電、三星的MRAM技術(shù)更具穩(wěn)定、快速存取優(yōu)勢(shì)。
2019-12-10 14:15:492685 產(chǎn)品，鎖定包括航天、汽車、儲(chǔ)存、工廠自動(dòng)化、IoT、智慧能源、醫(yī)療和工業(yè)機(jī)器控制/運(yùn)算等應(yīng)用。 半導(dǎo)體工藝控制和支持技術(shù)供貨商KLA對(duì)MRAM作為一種新興的NVM技術(shù)的前景感到振奮，為IC制造商提供了一系列解決方案的組合，可幫助加速MRAM產(chǎn)品開發(fā)，確保成功實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)并在生產(chǎn)中取得最佳良率
2020-03-25 15:27:15449 Everspin是專業(yè)研發(fā)生產(chǎn)MRAM、STT-MRAM等半導(dǎo)體領(lǐng)先供應(yīng)商，在包括40nm，28nm及更高的技術(shù)節(jié)點(diǎn)在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ
2020-04-07 17:16:07579 MRAM技術(shù)是以可沉積在標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程上的磁性隧道結(jié) (MTJ)儲(chǔ)存單元為基礎(chǔ)，MTJ中包含了一個(gè)維持單一極性方向的固定層，和一個(gè)通過隧道結(jié)與其隔離的自由層。當(dāng)自由層被施予和固定層相同方向的極化
2020-04-07 17:06:30459 MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持
2020-04-09 09:13:145683 在新型 RAM 技術(shù)中，MRAM對(duì)物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計(jì)算設(shè)備具有特別有吸引力。因?yàn)樗軐?shí)現(xiàn)比目前這類硬件上的首選存儲(chǔ)類內(nèi)存 -NAND閃存-低得多的功耗，同時(shí)實(shí)現(xiàn)非易失性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。非易失性MRAM 本身
2020-04-07 14:08:17720 MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運(yùn)行，并且可以防篡改。MRAM技術(shù)仍遠(yuǎn)未
2020-04-08 15:01:55861 MRAM內(nèi)存的Everspin開始向STT-MRAM發(fā)運(yùn)最高1Gb的芯片容量，這種內(nèi)存密度使這些設(shè)備在許多應(yīng)用中更受關(guān)注。Everspin代理商英尚微電子提供產(chǎn)品技術(shù)支持及解決方案。 主要的嵌入式半導(dǎo)體制造商為工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用中使用的嵌入式產(chǎn)品提供MRAM非易失性存儲(chǔ)器選項(xiàng)。這些鑄造廠包括全球
2020-06-23 15:31:031004 存儲(chǔ)器芯片。Everspin總代理宇芯電子可提供技術(shù)支持和產(chǎn)品解決方案。 MRAM可能是當(dāng)今最有前途的下一代非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。Toggle MRAM和STT-MRAM已經(jīng)進(jìn)入市場(chǎng)，在許多應(yīng)用中獲得了
2020-07-13 11:25:581037 MRAM正在開發(fā)支持人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和先進(jìn)網(wǎng)絡(luò)技術(shù)的下一代嵌入式設(shè)備；在數(shù)據(jù)中心、邊緣和端點(diǎn)。此外獨(dú)立MRAM已經(jīng)成為許多應(yīng)用的重要非易失性緩存和緩沖區(qū)。為所有這些應(yīng)用提供MRAM需要在生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)
2020-07-17 13:56:10453 
MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。Everspin MRAM可以抵抗
2020-07-17 15:36:19681 
隨著有希望的非易失性存儲(chǔ)器架構(gòu)的可用性不斷增加，以增加并潛在地替代傳統(tǒng)的易失性存儲(chǔ)器，新的SoC級(jí)存儲(chǔ)器測(cè)試和修復(fù)挑戰(zhàn)正在出現(xiàn)。通過將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術(shù)
2020-08-04 17:24:263389 MRAM（磁性RAM）是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備是Spintronics設(shè)備）。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力，能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)
2020-08-07 17:06:122003 。Everspin代理宇芯電子為用戶提供專業(yè)的產(chǎn)品技術(shù)支持及服務(wù)。 這種設(shè)計(jì)具有系統(tǒng)靈活性并防止了總線爭(zhēng)用。單獨(dú)的字節(jié)使能引腳還提供了靈活的數(shù)據(jù)總線控制，其中數(shù)據(jù)可以以8位或16位的形式寫入和讀取。 它使用0.18微米工藝技術(shù)以及專有的MRAM工藝技術(shù)制造而成，以創(chuàng)建位單元。兩種技術(shù)形成了五
2020-09-21 14:09:49392 
MRAM是一種非易失性存儲(chǔ)技術(shù)，可以在不需要電源的情況下將其內(nèi)容保留至少10年。它適用于在系統(tǒng)崩潰期間需要保存數(shù)據(jù)的商業(yè)應(yīng)用?；?b class="flag-6" style="color: red">MRAM的設(shè)備可以為黑匣子應(yīng)用提供解決方案，因?yàn)樗許RAM的速度
2020-09-18 14:25:181049 
中部署了超過1.2億個(gè)MRAM和STT-MRAM產(chǎn)品。Everspin一級(jí)代理英尚微電子提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。 MRAM涉及汽車應(yīng)用。對(duì)于碰撞記錄器，MRAM可以在事故發(fā)生時(shí)收集和存儲(chǔ)更多數(shù)據(jù)，并幫助確定車輛事故或故障的原因。 使用傳感器的汽車應(yīng)用可以受益于MRAM。由于傳感器連續(xù)地寫入數(shù)據(jù)
2020-09-18 14:13:16698 Everspin MRAM內(nèi)存技術(shù)是如何工作的？ Everspin MRAM與標(biāo)準(zhǔn)CMOS處理集成 Everspin MRAM基于與CMOS處理集成的磁存儲(chǔ)元件。每個(gè)存儲(chǔ)元件都將一個(gè)磁性隧道
2020-09-19 09:52:051749 MRAM己經(jīng)成為存儲(chǔ)芯片行業(yè)的一個(gè)技術(shù)熱點(diǎn).Everspin公司成為第一家提供商用產(chǎn)品的公司。Everspin MR2A16A是全球第一款商用MRAM產(chǎn)品。 該芯片基于Toggle寫入模式，并與采用
2020-10-26 14:40:191670 一段不短的時(shí)間進(jìn)行啟動(dòng)才能正式使用，而無(wú)法像其他家電一樣即開即用。然而MRAM卻是一種全新的技術(shù)，甚至有望令PC的應(yīng)用方式徹底改變。 一、斷電也能保存MRAM技術(shù)精髓 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器，所謂非易失性是指關(guān)掉電源后，
2020-10-27 13:59:12563 MRAM是一種非易失性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）的高速讀取寫入能力;以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復(fù)寫入。 MRAM的存儲(chǔ)原理 MRAM
2020-12-09 15:54:192403 
在ISSCC 2020上臺(tái)積電呈現(xiàn)了其基于ULL 22nm CMOS工藝的32Mb嵌入式STT－MRAM。該MRAM具有10ns的讀取速度，1M個(gè)循環(huán)的寫入耐久性，在150度下10年以上的數(shù)據(jù)保持能力和高抗磁場(chǎng)干擾能力。
2020-12-24 15:51:14614 廣泛應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心、云存儲(chǔ)、能源，工業(yè)，汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)中，為全球MRAM用戶奠定了最強(qiáng)大，增長(zhǎng)最快的基礎(chǔ)。 什么是MRAM？ MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)（MRAM設(shè)備
2021-01-16 11:28:23531 對(duì)于長(zhǎng)期處于困境的MRAM行業(yè)來(lái)說，自旋注人方式可以說是一項(xiàng)能夠扭轉(zhuǎn)危機(jī)的革新技術(shù)。 MRAM轟轟烈烈地問世。但此后，MRAM在工藝發(fā)展和大容量方面并沒有取得預(yù)期的進(jìn)展。在目前大批量生產(chǎn)的產(chǎn)品
2021-03-03 16:33:25577 MRAM是一種使用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力-能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與SRAM的速度結(jié)合在一起，同時(shí)始終保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端
2021-03-03 16:40:05955 Everspin半導(dǎo)體為環(huán)境苛刻的應(yīng)用，如軍事、航空航天、工業(yè)和汽車系統(tǒng)等提供非易失性存儲(chǔ)技術(shù)。Angstrom Aerospace在其磁力計(jì)子系統(tǒng)中使用Everspin的溫度范圍更大的4Mbit
2021-04-30 17:17:53325 Everspin公司生產(chǎn)的MRAM用于數(shù)據(jù)持久性和應(yīng)用的市場(chǎng)和應(yīng)用。Everspin MRAM應(yīng)用在數(shù)據(jù)中心和云存儲(chǔ)、汽車和運(yùn)輸市場(chǎng)。MRAM是一種利用電子自旋來(lái)存儲(chǔ)信息的存儲(chǔ)技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲(chǔ)器的潛力——能夠?qū)⒋鎯?chǔ)存儲(chǔ)器的密度與 SRAM 的速度相結(jié)合，同時(shí)具有非易失性和節(jié)能性。
2021-08-17 16:26:191926 血液透析是為人工腎、洗腎，是血液凈化技術(shù)的一種。其利用半透膜原理，通過擴(kuò)散、對(duì)人體內(nèi)各種有害以及多余的代謝廢物和過多的電解質(zhì)移出體外，達(dá)到凈化血液的目的，并吸達(dá)到糾正水電解質(zhì)及酸堿平衡的目的。本篇
2021-11-11 16:26:49390 Everspin Technologies，Inc是設(shè)計(jì)制造MRAM和STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者其市場(chǎng)和應(yīng)用領(lǐng)域涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。E...
2022-01-25 19:29:14
3 Everspin是設(shè)計(jì)制造MRAM、STT-MRAM的翹楚，其市場(chǎng)和應(yīng)用涉及數(shù)據(jù)持久性和完整性，低延遲和安全性至關(guān)重要。在磁存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)，制造和交付...
2022-01-26 18:14:019 高密度MRAM作為新興內(nèi)存的潛力取代DRAM和閃存等現(xiàn)有設(shè)備,通常使它已經(jīng)成功取代Toggle MRAM形式的成熟技術(shù)的陰影。
2022-01-26 18:46:465 在新型 RAM 技術(shù)中，MRAM 對(duì)物聯(lián)網(wǎng)和邊緣計(jì)算設(shè)備具有特別有吸引力。因?yàn)樗軐?shí)現(xiàn)比目前這類硬件上的首選存儲(chǔ)類內(nèi)存 -NAND閃存-低得多的...
2022-02-07 11:58:101 STT-MRAM是通過自旋電流實(shí)現(xiàn)信息寫入的一種新型非易失性磁隨機(jī)存儲(chǔ)器，是磁性存儲(chǔ)器MRAM的二代產(chǎn)品。STT-MRAM存儲(chǔ)的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，它省略了...
2022-02-07 12:36:256 航天級(jí)IC助推詹姆斯·韋伯太空望遠(yuǎn)鏡深入探索宇宙奧秘
2022-10-28 11:59:400 在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位。包括40nm，28nm及更高工藝在內(nèi)的先進(jìn)技術(shù)節(jié)點(diǎn)上進(jìn)行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。
2022-11-17 14:32:39444 
MRAM是電池儲(chǔ)備電源SRAM(BBSRAM)理想的替代產(chǎn)品。Everspin MRAM高速非易失性存儲(chǔ)器，使用壽命幾乎無(wú)限。所具有的綜合性能是任何其他半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件都不能全部擁有的。
2022-11-21 17:08:44389 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/周凱揚(yáng)）磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器（MRAM）已經(jīng)有了多年的發(fā)展歷史，最早可以追溯到1984年，Arthur Pohm和 Jim Daughton兩人在霍尼韋爾打造出了首個(gè)磁阻存儲(chǔ)器設(shè)備
2022-11-29 07:15:10824 STT-MRAM非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器是一款像SRAM一樣 高速、高耐久性、單字節(jié)訪問的工作，也可以像ROM/Flash一樣非揮發(fā)性，保留時(shí)間長(zhǎng)的存儲(chǔ)。MRAM供應(yīng)商英尚微支持提供相關(guān)技術(shù)支持。
2022-11-29 15:57:581325 MRAM是一種基于隧穿磁阻效應(yīng)的技術(shù)，MRAM的產(chǎn)品主要適用于容量要求低的特殊應(yīng)用領(lǐng)域以及新興的IoT嵌入式存儲(chǔ)領(lǐng)域，該技術(shù)擁有讀寫次數(shù)無(wú)限、寫入速度快（寫入時(shí)間可低至2.3n）、功耗低、和邏輯芯片整合度高的特點(diǎn)。
2023-01-07 11:10:123518 本章將深入探索 Linux 中的 C 語(yǔ)言。在本章中，我們將學(xué)到更多關(guān)于編譯器、從源碼到二進(jìn)制程序的 4 個(gè)步驟、如何使用 Make 工具以及系統(tǒng)調(diào)用和 C 標(biāo)準(zhǔn)庫(kù)函數(shù)的差別的知識(shí)。我們也將學(xué)習(xí)一些
2023-03-14 16:48:58820 MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462548 本文將深入探索感應(yīng)馬達(dá)的生產(chǎn)過程。盡管各廠商的馬達(dá)細(xì)節(jié)設(shè)計(jì)有所異同，我們還是將以最基礎(chǔ)的生產(chǎn)模式為主要脈絡(luò)來(lái)進(jìn)行闡述。
2023-08-16 16:23:30791 
目前三星仍然是全球?qū)＠谝唬?002年三星宣布研發(fā)MRAM，2005年三星率先研究STT-MRAM，但是此后的十年間，三星對(duì)MRAM的研發(fā)一直不溫不火，成本和工藝的限制，讓三星的MRAM研發(fā)逐漸走向低調(diào)。
2023-11-22 14:43:53213 
臺(tái)積電在MRAM技術(shù)方面已經(jīng)取得了顯著進(jìn)展，成功研發(fā)了22納米、16/12納米工藝的MRAM產(chǎn)品線，并積累了大量?jī)?nèi)存和車用市場(chǎng)訂單。
2024-01-18 16:44:044839
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