昨日（6月3日），華虹半導(dǎo)體有限公司宣布，其90納米BCD工藝在華虹無錫12英寸生產(chǎn)線實現(xiàn)量產(chǎn)。90納米BCD工藝具備高性能指標(biāo)及較小的芯片面積等優(yōu)質(zhì)特色。 據(jù)了解，華虹半導(dǎo)體的90納米BCD工藝
2021-06-04 09:36:17
5405 應(yīng)用范圍，讓用戶可以借助這一工具檢查不想要的襯底耦合效應(yīng)。作為全球首家為BCD-on-SOI工藝提供此類分析功能的代工廠，X-FAB將這一最初面向XH018和XP018 180nm?Bulk CMOS工藝
2022-04-21 17:37:245687 
比NAND閃存更快千倍 40納米ReRAM在中芯國際投產(chǎn)引起業(yè)界關(guān)注！曾經(jīng)一度大舉退出內(nèi)存生產(chǎn)的中芯國際，為何鎖定瞄準(zhǔn)ReRAM？主要原因在于ReRAM應(yīng)用在物聯(lián)網(wǎng)（IoT）裝置擁有愈長的電池續(xù)航力，一來可節(jié)省維護成本、二來有助提高物聯(lián)網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施可持續(xù)性。
2017-03-01 09:54:151191 隨著對人工智能 (AI) 和內(nèi)存計算的興趣顯著增加，電阻式隨機存取存儲器 (ReRAM) 可能成為解鎖其模仿人腦能力的關(guān)鍵——但挑戰(zhàn)依然存在。
2022-07-14 16:08:521330 
ReRAM 技術(shù)通過能夠滿足不斷增長的數(shù)據(jù)需求的更快、更密集和超低延遲的解決方案實現(xiàn)下一代企業(yè)存儲。隨著能源使用和壽命成為云和數(shù)據(jù)中心環(huán)境中的關(guān)鍵總擁有成本 （TCO） 指標(biāo)，ReRAM 的進步和容量的增加將繼續(xù)推動 ReRAM 的價值主張。
2022-08-17 10:27:571406 
“與MRAM相比，ReRAM有兩個主要優(yōu)勢——工藝簡單和更寬的讀取窗口，”的內(nèi)存技術(shù)專家Jongsin Yun說西門子EDA。“MRAM需要10層以上的堆疊，所有這些都需要非常精確地控制，才能形成匹配的晶體蛋白。
2023-11-22 17:16:15297 
全球領(lǐng)先的特色工藝純晶圓代工企業(yè)——華虹半導(dǎo)體有限公司(“華虹半導(dǎo)體”或“公司”，股份代號：1347.HK)宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功量產(chǎn)，該平臺具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢，對于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。
2018-10-10 15:33:175856 據(jù)TheElec報道，韓國芯片代工商DB HiTek已決定將代工價格提高20%。知情人士透露，由于全球?qū)Υし?wù)的需求，該公司決定提高價格。DB HiTek也因為這一趨勢而獲得了多個新客戶，工廠目前滿負(fù)荷運轉(zhuǎn)。
2020-12-24 09:35:091997 茂睿芯市場經(jīng)理周銀為我們揭曉了茂睿芯的高壓BCD工藝、高速驅(qū)動工藝平臺，以及基于這兩個平臺推出的ACDC、高壓DCDC、同步整流、工業(yè)驅(qū)動器和負(fù)載保護開關(guān)產(chǎn)品。
2021-10-21 23:10:336980 上僅增加三層光罩，使得模擬芯片與控制芯片得以合二為一。 BCD+eFlash 工藝平臺需求日益強烈 嵌入式存儲IP被廣泛應(yīng)用于需要存儲代碼程序、關(guān)鍵數(shù)據(jù)或其他重要信息的芯片，如智能卡，SIM卡，MCU，電源/電池管理芯片和顯示驅(qū)動器芯片等。近年來，隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)、汽車電子等應(yīng)用領(lǐng)域的蓬
2023-03-02 18:16:07719 
分享網(wǎng)盤下載地址：http://pan.baidu.com/s/1ntsRHzjThe BCD Generator is an Excel based tool which allows you
2014-10-15 16:17:33
集成式RF前端模塊（FEM）有哪些優(yōu)勢你都知道嗎？
2021-06-01 06:17:27
驅(qū)動器和工業(yè)傳感器應(yīng)用中的某些隔離勢壘間也需要傳輸數(shù)據(jù)和功率。日益增加的信道數(shù)量和對信道間隔離度的更高要求，也不斷提升對小型化解決方案的需求。 集成隔離技術(shù)的關(guān)鍵屬性 隔離究竟是什么？隔離勢壘是一種
2019-03-07 06:45:12
A0508BCD1 - IDC SOCKET - DB Lectro Inc
2022-11-04 17:22:44
COMS工藝制程技術(shù)主要包括了：1.典型工藝技術(shù)：①雙極型工藝技術(shù)② PMOS工藝技術(shù)③NMOS工藝技術(shù)④ CMOS工藝技術(shù)2.特殊工藝技術(shù)。BiCOMS工藝技術(shù)，BCD工藝技術(shù)，HV-CMOSI藝
2019-03-15 18:09:22
LTCC技術(shù)是什么？LTCC工藝有哪些步驟？LTCC材料的特性有哪些？應(yīng)用LTCC的優(yōu)勢是什么？
2021-05-26 06:17:32
ME-Pro? 是業(yè)界獨創(chuàng)的用于橋接集成電路設(shè)計和工藝開發(fā)的創(chuàng)新性設(shè)計平臺，通過完整的SPICE模型分析和驗證、工藝平臺的評估和比較、以及基于工藝平臺的設(shè)計輔助等功能，可以針對特定的設(shè)計需求選擇
2020-07-01 09:34:29
非易失性MRAM芯片組件通常在半導(dǎo)體晶圓廠的后端工藝生產(chǎn)，下面英尚微電子介紹關(guān)于MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個方面.
2021-01-01 07:13:12
McWiLL系統(tǒng)概述McWiLL系統(tǒng)的關(guān)鍵技術(shù)McWiLL系統(tǒng)的優(yōu)勢McWiLL系統(tǒng)的應(yīng)用
2020-11-24 06:57:16
`請問PCB負(fù)片工藝的優(yōu)勢有哪些？`
2020-01-09 15:03:17
什么是POE供電？POE供電的技術(shù)優(yōu)勢和拓展應(yīng)用POE以太網(wǎng)供電的關(guān)鍵技術(shù)
2020-12-24 07:00:59
隨著射頻無線通信事業(yè)的發(fā)展和移動通訊技術(shù)的進步，射頻微波器件的性能與速度成為人們關(guān)注的重點，市場對其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數(shù)字集成電路設(shè)計的主要工藝選擇，對于模擬與射頻集成電路來說，有哪些選擇途徑？為什么要選擇標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管？
2019-08-01 08:18:10
的表面電場，有利于提高擊穿電壓。場極板的作用大小與場極板的長度密切相關(guān)。nLDMOS剖面圖如下：DMOS器件是功率輸出級電路的核心，它往往占據(jù)整個芯片面積的一半以上，它是整個BCD工藝集成電路的關(guān)鍵
2020-11-27 16:36:56
文章目錄什么是BCD 碼？什么是BCD 碼？在日常生產(chǎn)生活中用的最多的數(shù)字是十進制數(shù)字，而單片機系統(tǒng)的所有數(shù)據(jù)本質(zhì)上都是二進制的，所以聰明的前輩們就給我們創(chuàng)造了 BCD 碼。BCD 碼
2022-01-20 08:08:00
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導(dǎo)體開關(guān)有哪些應(yīng)用優(yōu)勢？
2021-06-26 06:14:32
關(guān)于MRAM關(guān)鍵工藝步驟包括哪幾個方面？
2021-06-08 07:11:38
單芯片集成額溫槍的技術(shù)參數(shù)是什么？單芯片集成額溫槍有哪些優(yōu)勢？
2021-06-26 06:00:48
本文給出了使用CMOS工藝設(shè)計的單片集成超高速4：1復(fù)接器。
2021-04-12 06:55:55
將SAR轉(zhuǎn)換器與微控制器集成，有什么優(yōu)勢？
2021-04-21 06:55:20
和實時系統(tǒng)的關(guān)鍵特性，并探討在選擇或開發(fā)硬件和軟件組件的基礎(chǔ)上開發(fā)高效嵌入式系統(tǒng)的解決方案，同時詳細(xì)說明嵌入式系統(tǒng)和實時系統(tǒng)開發(fā)所特有的關(guān)鍵工藝技術(shù)。
2019-07-11 07:53:14
和實時系統(tǒng)的關(guān)鍵特性，并探討在選擇或開發(fā)硬件和軟件組件的基礎(chǔ)上開發(fā)高效嵌入式系統(tǒng)的解決方案，同時詳細(xì)說明嵌入式系統(tǒng)和實時系統(tǒng)開發(fā)所特有的關(guān)鍵工藝技術(shù)。
2019-08-23 06:45:41
近年來，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)
2019-08-22 06:24:40
新興存儲器MRAM與ReRAM嵌入式市場
2020-12-17 06:13:02
額溫槍的關(guān)鍵核心是什么？單芯片集成額溫槍有哪些優(yōu)勢？
2021-06-26 06:31:05
引言： 在電機裝配線中，自動化只是提升產(chǎn)品效率的一種方式。但是實際上電機裝配品質(zhì)的提升，更多需要關(guān)注的是裝配過程中工藝的實現(xiàn)。在整個電機裝配過程中，除了電機特有的裝配工藝如充磁，動平衡，繞線等
2023-03-08 16:21:51
的完整性，更容易與CMOS工藝兼容，美國的ADI公司推出的基于BiMOS工藝和表面加工技術(shù)的集成加速度計在汽車上獲得了廣泛應(yīng)用，到2004年銷售超過了1億只。實現(xiàn)CMOS工藝與多層多晶硅工藝的兼容目前還是一個挑戰(zhàn)，合理地安排工藝步驟、選擇合適的金屬化體系來保證成品率是突破該技術(shù)的關(guān)鍵問題。
2018-11-05 15:42:42
請教各位大佬TSMC0.18um中，BCD工藝和mixsignal工藝的區(qū)別，除了mos結(jié)構(gòu)上會有hvnw和nbl隔離之外，還有其他的嗎
2021-06-25 07:08:49
哪位大俠有umc0.25um bcd工藝？
2021-06-22 06:51:23
僅增加三層光罩，使得模擬芯片與控制芯片得以合二為一。BCD+eFlash工藝平臺需求日益強烈嵌入式存儲IP被廣泛應(yīng)用于需要存儲代碼程序、關(guān)鍵數(shù)據(jù)或其他重要信息的芯片，如智能卡，SIM卡，MCU，電源
2023-03-03 16:42:42
本文主要講述多片BCD 撥碼盤在與MCS-51 單片機接口時的一種簡單而有效的隔離方法及相應(yīng)的軟件設(shè)計。關(guān)鍵詞： BCD 撥碼盤；隔離；接口Abstract: This paper mainly tells of a simple &am
2009-08-05 08:17:12
71 半球牌BCD-180D，BCD-208B型電冰箱
2008-11-16 19:37:401025 
上菱牌BCD-155W，BCD-18W型電冰箱
2008-12-06 10:23:313101 
香雪海牌BCD-162，BCD-181，BCD-194，BCD-208型
2008-12-10 19:33:35688 
華日牌BCD-170/BCD-185/BCD-205型電冰箱電路原理圖
2008-12-13 21:18:141518 
多路BCD碼并行BCD碼變換器電路圖
2009-03-25 09:01:40956 
基于0.5μm BCD工藝的欠壓鎖存電路設(shè)計
隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，對電源管理芯片的開關(guān)頻率、傳輸延遲、穩(wěn)定性、功耗等各種要求越來越高，以保證電源電壓在波動
2009-11-26 09:27:231750 
TSMC推出高整合度LED驅(qū)動集成電路工藝，降低零組件數(shù)量
TSMC推出模組化BCD(Bipolar, CMOS DMOS)工藝，將可為客戶生產(chǎn)高電壓之整合LED驅(qū)動集成電路產(chǎn)品。此一新的BCD工藝特色
2009-12-19 09:29:51678 在新型的共振隧穿二極管(RTD)器件與PHEMT器件單片集成材料結(jié)構(gòu)上,研究和分析了分立器件的制作工藝,給出了分立器件的制作工藝參數(shù).利用上述工藝成功制作了RTD和PHEMT器件,并在室溫下分
2011-06-24 16:29:5317 BCD是一種單片集成工藝技術(shù)。這種技術(shù)能夠在同一芯片上制作雙極管bipolar，CMOS和DMOS 器件，稱為BCD工藝。
2012-03-26 12:00:5684562 
近日，華潤上華宣布，其第三代超高壓700V BCD系列工藝開放代工平臺已開發(fā)成功。該工藝源自第二代硅基700V BCD工藝的發(fā)展，通過改進，工藝控制電路部分相比第二代縮減了15%
2013-05-16 11:00:033038 作為中國本土半導(dǎo)體制造的龍頭企業(yè)，中芯國際（SMIC）的新聞及其取得的成績一直是行業(yè)關(guān)注的焦點。2017新年伊始，其一如既往地吸引著人們的眼球。前幾天，該公司宣布正式出樣采用40nm工藝的ReRAM（非易失性阻變式存儲器）芯片，并稱更先進的28nm工藝版很快也會到來。
2017-01-17 09:40:003747 BCD碼亦稱二進碼十進數(shù)或二-十進制代碼。用4位二進制數(shù)來表示1位十進制數(shù)中的0~9這10個數(shù)碼。是一種二進制的數(shù)字編碼形式，用二進制編碼的十進制代碼。BCD碼這種編碼形式利用了四個位元來儲存一個十進制的數(shù)碼
2017-11-24 08:48:4040498 
5421BCD碼，是二—十進制代碼（BCD碼）的一種；二—十進制代碼（BCD碼）的一種；5421BCD碼各位的權(quán)依次為5421，也是有權(quán)碼。8421BCD碼計算機內(nèi)毫無例外地都使用二進制數(shù)進行運算，但通常采用8進制和十六進制的形式讀寫。
2018-03-02 13:48:4674876 
在存儲器的競爭格局中，除了FRAM，不得不提的另外兩個產(chǎn)品是ReRAM和NRAM。簡略地講，F(xiàn)RAM 用于數(shù)據(jù)記錄；ReRAM可替代大容量EEPROM；NRAM 用于數(shù)據(jù)記錄和電碼儲存，還可替代NOR Flash。
2018-04-25 16:35:427793 
LV/HV P-Well BCD技術(shù)能夠?qū)崿F(xiàn)低壓 5 V 與高壓 100～700 V（或更高）兼容的 BCD 工藝。為了便于高低壓 MOS 器件兼容集成，采用源區(qū)為硼磷雙擴散形成溝道的具有漂移區(qū)
2018-07-09 10:30:0813742 2018年10月10日，華虹半導(dǎo)體有限公司宣布，其第二代0.18微米5V/40V BCD工藝平臺已成功量產(chǎn)，該平臺具有導(dǎo)通電阻低、高壓種類全、光刻層數(shù)少等優(yōu)勢，對于工業(yè)控制應(yīng)用和DC-DC轉(zhuǎn)換器等產(chǎn)品是理想的工藝選擇。
2018-10-16 15:41:178066 2018年11月5日，華潤微電子有限公司（“華潤微電子”）旗下的華潤上華科技有限公司（以下簡稱“華潤上華”）宣布，公司已成功開發(fā)出第三代0.18微米BCD工藝平臺。新一代BCD工藝平臺在降低導(dǎo)通電
2018-11-06 16:44:336002 近日，華潤微電子有限公司（“華潤微電子”）旗下的華潤上華科技有限公司（以下簡稱“華潤上華”）宣布，公司已成功開發(fā)出第三代0.18微米BCD工藝平臺。
2018-11-10 11:27:317473 半導(dǎo)體將繼續(xù)發(fā)揮在BCD和eNVM特色工藝上的技術(shù)優(yōu)勢，提供二者的集成方案，為智能化電源產(chǎn)品，打造高端電源管理系統(tǒng)級芯片（SoC）。
2019-10-17 14:13:485425 集成電路工藝(integrated circuit technique )是把電路所需要的晶體管、二極管、電阻器和電容器等元件用一定工藝方式制作在一小塊硅片、玻璃或陶瓷襯底上，再用適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">工藝進行互連
2020-03-27 16:45:073065 年將CBRAM作為其22FDX絕緣體上硅22nm制造工藝的嵌入式NVM選項，并計劃將該方案擴展到其他制程。 Facebook首席人工智能科學(xué)家Yann LeCun表示， ReRAM技術(shù)是嵌入式人工智能的一項
2020-11-17 14:35:021791 
多倫多—有時問題可以變成它自己的解決方案。 對于CEA-Leti科學(xué)家而言，這意味著先前被視為“非理想”的電阻性RAM（ReRAM）器件的特性可能是克服開發(fā)基于ReRAM的邊緣學(xué)習(xí)系統(tǒng)的障礙的答案
2021-04-05 10:42:001904 ，從 8 英寸晶圓延伸到了 12 英寸晶圓。 而外媒最新的報道顯示，韓國芯片代工商 DB HiTek，已決定提高 2021 年的代工價格。 外媒在報道中表示，DB HiTek 已經(jīng)通知他們的客戶，他們將提高 2021 年的芯片代工價格，最低上調(diào) 10%，最高上調(diào) 20%。 從外媒的報道來看，
2020-12-22 17:39:222043 DB HiTek已經(jīng)簽署了明年的所有生產(chǎn)合同。DB HiTek目前運營兩家晶圓廠，一家位于京畿道富川市，另一家位于忠清北道的陰城郡。這些工廠一直處于滿載狀態(tài)，無法處理所有的訂單。
2020-12-30 14:44:242049 光刻是集成電路工藝中的關(guān)鍵性技術(shù)。在硅片表面涂上光刻膠薄層，經(jīng)過光照、顯影，在光刻膠上留下掩模版的圖形。
2021-04-09 14:27:1963 DB HiTek的全局快門基于110nm背照式（BSI）工藝，并采用了遮光罩（light shield）和導(dǎo)光（light guide）技術(shù)，擁有99.99%的全局快門效率（GSE）性能，并且能支持最小至2.8um的多種像素尺寸。
2021-04-25 11:48:182676 
2021年5月18日，IEEE給BCD工藝開創(chuàng)者意法半導(dǎo)體（STM）頒發(fā)IEEE里程碑獎（IEEE Milestone），旨在表彰意法半導(dǎo)體在超級集成硅柵半導(dǎo)體工藝技術(shù)方面的開創(chuàng)性研究成果
2021-05-27 09:27:212419 @C51單片機題目如下問：如何改變計數(shù)值為壓縮BCD碼，使發(fā)光二極管顯示壓縮BCD碼？(注：壓縮型BCD碼：用四位二進制數(shù)表示一位BCD碼,用一個字節(jié)表示的兩位BCD碼；例如：十進制為96
2021-11-25 17:36:0211 DB HiTek已宣布通過基于130/110納米技術(shù)的射頻絕緣體上硅(RF SOI)和射頻高電阻率襯底(RF HRS)工藝來拓展射頻前端業(yè)務(wù)。 射頻前端是無線通信的必備器件，其負(fù)責(zé)IT設(shè)備之間的發(fā)射
2022-01-13 09:35:294114 韓國唯一一家純晶圓代工廠啟方半導(dǎo)體（Key Foundry）今天宣布其0.18微米高壓BCD（雙極-CMOS-DMOS）工藝已經(jīng)開始量產(chǎn)。
2022-02-28 10:31:011877 以色列的 Weebit Nano 和法國研究機構(gòu) CEA-Leti 報告了電阻式 RAM (ReRAM) 技術(shù)的發(fā)展進展，盡管很少有人準(zhǔn)備好迎接黃金時段。 CEA-Leti 的進步涉及其所謂的“新奇
2022-07-15 18:26:47597 
在使用RTC外設(shè)時，我們常常會接觸 BCD碼的概念，同時魚鷹在介紹 USB 協(xié)議版本時也說了 BCD 碼，那么什么是 BCD 碼？ BCD 碼分為多種，今天魚鷹介紹最常用的 8421 BCD碼。
2022-09-07 09:10:385098 接觸孔工藝是集成電路制造中的關(guān)鍵工藝，也是技術(shù)難度最高的工藝之一。接觸孔的尺寸是集成電路工藝中最小的尺寸之一，是決定芯片面積的關(guān)鍵尺寸。
2022-11-22 14:37:243865 DB3871_STM32產(chǎn)品的集成開發(fā)環(huán)境
2022-11-23 20:29:490 ReRAM 代工工藝由臺積電、華邦和 Globalfoundries 提供支持，ReRAM 由瑞薩（通過收購 Adesto）、富士通、Microchip 和索尼作為獨立產(chǎn)品生產(chǎn)，而新唐則在微控制器中生產(chǎn)。
2023-02-23 12:26:59991 成都銳成芯微科技股份有限公司（簡稱：“銳成芯微”“Actt”）宣布，公司推出基于BCD工藝平臺的LogicFlash Pro eFlash IP產(chǎn)品，其特點是在BCD工藝節(jié)點上僅增加三層光罩，使得模擬芯片與控制芯片得以合二為一。
2023-03-06 12:01:31851 ReRAM代表電阻式隨機存取存儲器，是一種非易失性存儲器，具有如低功耗和快速寫入的特長。該存儲器在所有存儲器產(chǎn)品中的讀取電流都最小，特別適合于助聽器等可穿戴設(shè)備。
2023-03-25 15:49:351055 GAA，一般指全環(huán)繞柵極晶體管(Gate-All-Around FET)。GAA被廣泛認(rèn)為是鰭式結(jié)構(gòu)(FinFET)的下一代接任者。下面簡單介紹一下GAA器件集成工藝與關(guān)鍵挑戰(zhàn)。
2023-08-22 10:16:433648 
BCD工藝是1986年由ST首次推出的一種單晶片集成工藝技術(shù)，這種技術(shù)能夠在同一芯片上制作雙極管bipolar，CMOS和DMOS 器件，它的出現(xiàn)大大地減小了芯片的面積。
2023-10-31 16:08:22641 
通過這種技術(shù)升級，db hitek提供了在網(wǎng)格驅(qū)動器ic中同時使用級轉(zhuǎn)換器截斷和電流截斷的環(huán)境。它便于電壓轉(zhuǎn)換器芯片的設(shè)計和高電壓操作，提高了穩(wěn)定的電流隔離優(yōu)勢。預(yù)計其適用范圍也將從現(xiàn)有家電的主流擴大到汽車和太陽能領(lǐng)域。
2023-11-06 14:25:07455 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術(shù)是將雙極型晶體管、CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）和DMOS（雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管技術(shù)組合在單個芯片上的高級制造工藝。
2024-03-18 09:47:41187 
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