DDR3芯片價格短線急漲近一成？

繼標準型DRAM、儲存型快閃記憶體（NAND Flash）市況谷底反彈后，DDR3利基型記憶體在國際大廠全力沖刺高頻寬記憶體（HBM）、DDR5等高階應(yīng)用并空出DDR3市場帶動下，推升DDR3芯片價格短線急漲近一成，本季合約價可望勁揚10%至15%，明年首季持續(xù)看俏，華邦（2344）、鈺創(chuàng)、晶豪科等業(yè)者近期訂單涌進，開始加大備貨力道，喜迎漲價商機。

法人指出，標準型DRAM與NAND芯片目前都由三星、SK海力士、美光等國際大廠主導(dǎo)，臺廠在芯片制造端無法與其抗衡，僅模組廠有望以低價庫存優(yōu)勢搭上DRAM與NAND芯片市況反彈列車；DDR3制造則是臺廠的天下，隨著DDR3跟著漲價，對臺灣記憶體業(yè)者幫助大。

業(yè)界人士分析，帶動此波記憶體市況轉(zhuǎn)揚的主要動能，在于國際大廠陸續(xù)減產(chǎn)的效益發(fā)酵，近期隨著產(chǎn)能緊縮，更嚴格控制出貨，完全展現(xiàn)要支撐價格上漲的決心。

另一方面，三星、SK海力士、美光積極跨足AI應(yīng)用，將主要產(chǎn)能挪到生產(chǎn)高頻寬記憶體、DDR5等高階領(lǐng)域，也讓DDR3市場出現(xiàn)空間，近期客戶端回補庫存以及消費性電子急單報到，研調(diào)機構(gòu)集邦科技（TrendForce）指出，DDR3報價從9月起陸續(xù)走揚，DDR3 4Gb至今累計漲幅近一成，DDR3 2Gb累計漲幅則有14%。

合約價方面，集邦預(yù)期本季將勁揚10%至15%，明年首季續(xù)強，有望再漲5%至10%。

DDR3相關(guān)業(yè)者均正向看待市況發(fā)展。鈺創(chuàng)認為，隨著庫存消化告一段落，「循環(huán)谷底已過」，目前逐漸迎向復(fù)蘇的曙光．正向看待明年全球DRAM市場將迎來顯著成長。

晶豪科方面，該公司不斷推進自家產(chǎn)品的進程，無論在DRAM、Flash以及MCP產(chǎn)品，都持續(xù)開發(fā)新品，并跨足不同市場，包括加速19納米DRAM記憶體IC研發(fā)、完成28納米Nand Flash產(chǎn)品量產(chǎn)，另外也研發(fā)車規(guī)用的利基型記憶體IC產(chǎn)品。

華邦總經(jīng)理陳沛銘指出，本季營運將優(yōu)于第3季，看好明年DRAM市況。

供應(yīng)鏈透露，隨著產(chǎn)業(yè)經(jīng)過逾一年庫存去化，近期終端消費性電子急單大增，帶動DDR3芯片需求噴發(fā)，因應(yīng)客戶需求，華邦、鈺創(chuàng)向載板協(xié)力廠備貨量激增，晶豪科投片量也有上升趨勢，顯示市況回溫以及價格反轉(zhuǎn)之際，業(yè)者無不積極備貨迎接盛況。

編輯：黃飛

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