三星計劃全面提高DDR5產(chǎn)量，過去一個月上漲5-10%

DDR5成寵兒？ ? ? 據(jù)多家韓媒消息，三星電子計劃從今年第四季度開始全面提高DDR5產(chǎn)量。三星主要在平澤廠生產(chǎn)DDR5等最新產(chǎn)品，公司正在考慮提高DDR5生產(chǎn)率的方法。

值得注意的是，此前三星的減產(chǎn)范圍主要集中在DDR4及部分NAND閃存產(chǎn)品。公司今年5月開始量產(chǎn)12nm級16Gb DDR5 DRAM，9月又成功開發(fā)出2倍容量的32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品。

SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級第5代（1b）DDR5，供應(yīng)給英特爾。韓國投資證券分析師預(yù)計，由于DDR5需求高漲，拉動產(chǎn)品平均銷售單價，SK海力士DRAM業(yè)務(wù)有望加快轉(zhuǎn)虧為盈，公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。

另一存儲巨頭美光之前也已透露，將加速向DDR5過渡。美光科技在9月末的財報會議上表示，正在出樣128 GB DDR5內(nèi)存模塊，采用美光32 Gb DDR5內(nèi)存芯片。公司預(yù)計其DDR5出貨量將在2024年第一季度末超過DDR4，超過行業(yè)進(jìn)展速度。

據(jù)市場研究公司Omdia預(yù)計，今年四季度DDR5銷售比例預(yù)計將超過20%（基于服務(wù)器DRAM），明年這一比例將進(jìn)一步上升至51%。由于明年發(fā)布的大多數(shù)服務(wù)器和PC平臺都支持DDR5，需求將會增加。

價格方面，9月已有業(yè)內(nèi)人士稱，DDR5內(nèi)存模組價格在過去一個月上漲5-10%之后，還將進(jìn)一步上漲，入門級產(chǎn)品價格也將上漲3-5%。另外，預(yù)計高價位DDR5產(chǎn)品將面臨供應(yīng)短缺，領(lǐng)漲DRAM市場。

TrendForce也認(rèn)為，由于買家情緒的變化，四季度DRAM價格進(jìn)一步下跌的可能性有限，且PC DRAM合約價的反彈速度將快于預(yù)期，預(yù)計四季度DDR5合約價格將較上一季度上漲3-8%。

存儲器廠南亞科總經(jīng)理李培瑛指出，近期市場需求已有所改善，預(yù)期第四季出貨量將進(jìn)一步增加，在DDR5價格率先調(diào)漲后，DDR4與DDR3價格均有機會翻揚，有利于虧損可望收斂。

A股公司中，瀾起科技已推進(jìn)DDR5第二子代RCD芯片量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，并開展DDR5第三子代RCD芯片量產(chǎn)版本的研發(fā)；聚辰股份與瀾起科技合作開發(fā)配套新一代DDR5內(nèi)存條的SP產(chǎn)品，為DDR5內(nèi)存模組不可或缺的組件。

TrendForce 表示，需求方因預(yù)期價格反彈，正在增加 DDR5 產(chǎn)品的庫存，預(yù)計第四季度 DRAM 固定交易價格將保持穩(wěn)定，但 DDR5 可能會小幅上漲，漲幅最高可達(dá) 5%。

另外，野村最新報告指出，隨著第二季度出貨量增長，第三季度主流存儲芯片的價格有望趨于穩(wěn)定，或?qū)⒂袡C會上升。在價格較高的 DDR5、HBM 與 LPDDR5X 出貨比重升高帶動下，預(yù)計第三季度 DRAM 產(chǎn)品平均售價有望提升 5%-10%。

與此同時，TrendForce 預(yù)計，DRAM 原廠庫存價值降低的損失有望獲得改善，Q3 營業(yè)利潤率有望可以由負(fù)轉(zhuǎn)正。外資機構(gòu)也預(yù)期，在產(chǎn)品價格回升的驅(qū)動下，整體半導(dǎo)體 10 月營收與去年同期相比，有望轉(zhuǎn)為正增長。

值得注意的是，英特爾新一代消費型筆電平臺 Meteor Lake 預(yù)計第四季度問世，搭載的 DRAM 便是由 DDR4 升級為 DDR5。

業(yè)界指出，英特爾的新平臺也宣告著 DDR5 時代終于來臨，有望帶來新一波 DRAM 采購潮。在未來 AI 計算數(shù)據(jù)量大增的情況下，更高傳輸速度、更高容量搭載量的 DDR5 DRAM 將有望全面成為 PC、筆電及服務(wù)器的新主流。

如今，全球 DRAM 三巨頭美光、三星、SK 海力士均展開籌備，計劃在第四季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能。

其中三星規(guī)劃量產(chǎn) 12 納米制程的 32Gb DDR5，在相同的封裝尺寸上，容量可望翻倍，代表未來同一條 DRAM 模組上，可搭載的容量有望大幅增長；美光預(yù)計在明年上半年沖刺 1 β 制程的 32Gb 單片 DRAM 芯片，使未來 128Gb 規(guī)格的 DRAM 模組有望順利問世；SK 海力士則將以 1 β 制程的 DDR5 沖刺市場，公司此前預(yù)計，2024 年 HBM 和 DDR5 的銷售額有望翻番。

在行業(yè)加速發(fā)展的背景下，中國半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)也在快速發(fā)展。然而在DDR5 這條賽道，中國還需要面臨諸多阻礙。

目前中國眾多的內(nèi)存廠商，大都是從三星、SK海力士和美光這三家廠商中采購DDR5芯片顆粒，再找模組廠商購買內(nèi)存模組等，然后在工廠組裝成DDR5內(nèi)存條。這是因為我們自身還沒有DDR5顆粒的制造能力。

中國缺席DDR5顆粒的原因主要有兩方面：一方面是中國大陸半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)起步較晚，另一方面美國商務(wù)部的新一輪技術(shù)制裁，也精準(zhǔn)的打擊了中國正在迅速發(fā)展的存儲產(chǎn)業(yè)。

2022年，美國發(fā)布公告稱禁止16/14 nm邏輯制程、18 nm以下DRAM制程、128層以上3D NAND制程的機臺設(shè)備出口到中國。

近日，北京君正在接受機構(gòu)調(diào)研時表示：目前我們的DDR4、LPDDR4最新工藝是25納米，目前正在研發(fā)21nm的產(chǎn)品。我們目前還沒有進(jìn)行DDR5的研發(fā)，這需要有非常先進(jìn)的制程，是美光這類IDM大廠做的，我們和美光的主要產(chǎn)品是差異化競爭的，短時間內(nèi)還是做DDR4、LPDDR4及以下的產(chǎn)品，但是我們會往更高容量去做。

這也意味著，18 nm以下DRAM制程設(shè)備的限制直接制約了國產(chǎn)DRAM公司的DDR5研發(fā)進(jìn)程。不過在DDR5的內(nèi)存接口方面，瀾起科技、聚辰股份等公司已經(jīng)取得一些成就。如今瀾起科技已推進(jìn)DDR5第二子代RCD芯片量產(chǎn)準(zhǔn)備工作，并開展DDR5第三子代RCD芯片量產(chǎn)版本的研發(fā)；聚辰股份與瀾起科技合作開發(fā)配套新一代DDR5內(nèi)存條的SP產(chǎn)品，為DDR5內(nèi)存模組不可或缺的組件。

編輯：黃飛

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