兆易創(chuàng)新：存儲板塊第四季度價格觸底

近日，兆易創(chuàng)新發(fā)布2023年三季報。根據(jù)財(cái)報顯示，本報告期中兆易創(chuàng)新凈利潤減79.27%，三費(fèi)占比上升明顯。截至本報告期末，公司營業(yè)總收入43.94億元，同比下降35.08%，歸母凈利潤4.34億元，同比下降79.27%。按單季度數(shù)據(jù)看，第三季度營業(yè)總收入14.29億元，同比下降28.14%，第三季度歸母凈利潤9769.39萬元，同比下降82.71%。

從公司近一年的財(cái)務(wù)報表來看，在盈利能力方面，主營業(yè)務(wù)在產(chǎn)業(yè)鏈地位較高，有溢價權(quán)，營銷是有不小投入，行業(yè)有一定競爭壓力。

兆易創(chuàng)新表示，第二季度毛利率為近幾年的階段性低點(diǎn)，原因在于市場需求弱，供 給處于相對過剩的狀態(tài)，同時市場競爭激烈，公司各產(chǎn)品的平均售價呈現(xiàn)下降 趨勢。公司毛利率近幾個季度呈現(xiàn)持續(xù)下降趨勢，目前判斷第二季度毛利率為 公司毛利率的階段性底部，再下降的空間不大，隨著行業(yè)趨勢的暖以及供需 的平衡，公司毛利率有望到相對正常的水平。

對于公司狀況，兆易創(chuàng)新提到，目前隨著庫存的去化，公司產(chǎn)品成本結(jié)構(gòu)得到了一定程度的改善。同時上游供應(yīng)不再緊張，公司采購成本也 有一定程度的降低，有助于后續(xù)持續(xù)改善成本結(jié)構(gòu)。

大存儲包括用于手機(jī)、PC和服務(wù)器的DRAM(動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存)以及3D Nand的行情主要受到市場供需、技術(shù)進(jìn)步和消費(fèi)者需求等多種因素影響。存儲行業(yè)經(jīng)歷了長時間的下跌周期，很可能在第三季度觸底。關(guān)于存儲行情，兆易創(chuàng)新表示，存儲經(jīng)歷了約6-7個季度的下跌周期，在今年第三季度公司認(rèn)為已經(jīng)達(dá)到了價格的底部區(qū)間，隨著主要廠商的持續(xù)減產(chǎn)，達(dá)到了供需基本平衡的狀態(tài)。在今年三季度末大存儲出現(xiàn)一些價格反彈，此反彈對利基存儲有一定的帶動效應(yīng)，利基存儲價格也在筑底并有微弱反彈。

對于存儲芯片的走勢，兆易創(chuàng)新認(rèn)為，明年公司認(rèn)為大體上隨著減產(chǎn)效應(yīng)的體現(xiàn)，供需會達(dá)到平衡的狀態(tài)，大存儲的價格有望延續(xù)反彈的走勢，但也不太會出現(xiàn)暴漲暴跌的情況；利基型DRAM也會隨著大存儲反彈的走勢，延續(xù)微弱反彈的趨勢。具體供需關(guān)系還要看明年需求的恢復(fù)情況以及主流廠商減產(chǎn)的持續(xù)時間。

近日，兆易創(chuàng)新接受了很多機(jī)構(gòu)調(diào)研，以下是半導(dǎo)體芯情整理的重要問題，供大家參考學(xué)習(xí)：

問題 1、存儲板塊第四季度及明年景氣度的展望？

回答：存儲分為大存儲和利基存儲兩大塊。大存儲包括用于手機(jī)、PC和服務(wù)器的DRAM以及3D Nand，主要供應(yīng)商為以三星為代表的國際頭部廠商。大存儲經(jīng)歷了約6-7個季度的下跌周期，在今年第三季度我們認(rèn)為已經(jīng)達(dá)到了價格的底部區(qū)間，隨著主要廠商的持續(xù)減產(chǎn)，達(dá)到了供需基本平衡的狀態(tài)。在今年三季度末大存儲出現(xiàn)一些價格反彈，此反彈對利基存儲有一定的帶動效應(yīng)，利基存儲價格也在筑底并有微弱反彈。明年我們認(rèn)為大體上隨著減產(chǎn)效應(yīng)的體現(xiàn)，供需會達(dá)到平衡的狀態(tài)，大存儲的價格有望延續(xù)反彈的走勢，但也不太會出現(xiàn)暴漲暴跌的情況；利基型DRAM也會隨著大存儲反彈的走勢，延續(xù)微弱反彈的趨勢。具體供需關(guān)系還要看明年需求的恢復(fù)情況以及主流廠商減產(chǎn)的持續(xù)時間。在NOR Flash和SLC Nand Flash,其應(yīng)用場景非常廣泛，隨著客戶以及渠道庫存的去化，以及消費(fèi)類的恢復(fù)，產(chǎn)品需求量和消費(fèi)量有所反彈。從公司的經(jīng)營情況看，NOR Flash出貨總?cè)萘砍尸F(xiàn)逐季增長的趨勢；從行業(yè)和行業(yè)友商的情況來看，明年的需求會保持一個比較正常的狀態(tài)，各家的庫存情況應(yīng)該會得到有效的去化，我們預(yù)計(jì)會逐漸恢復(fù)到供需平衡的狀態(tài)；從價格來看，NOR Flash和SLC Nand Flash過去幾個季度還是延續(xù)下跌的趨勢，近期看基本上跌幅在不斷縮小，已經(jīng)趨于平穩(wěn)，我們也會密切關(guān)注市場走勢和價格變動情況。

問題 2、公司毛利率后續(xù)是否會持續(xù)改善？

回答：三季度毛利率提升主要有兩個原因：一是隨著公司經(jīng)營策略的演進(jìn)，經(jīng)銷DRAM業(yè)務(wù)大幅縮減。經(jīng)銷DRAM業(yè)務(wù)毛利率非常低，此業(yè)務(wù)的大幅縮減對公司整體毛利率提升有幫助；二是三季度有一部分之前計(jì)提存貨減值的產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)銷售，利潤沖回。從主要產(chǎn)品看，NOR Flash和MCU在三季度并沒有明顯的毛利率提升，產(chǎn)品平均價格還處于底部的區(qū)間。DRAM價格有微弱反彈，NOR Flash和MCU價格目前還在筑底過程中，我們認(rèn)為需求和價格基本已到底部，但價格真正有效的反彈還要再持續(xù)觀察。第四季度是傳統(tǒng)的淡季，供需和價格會趨于平穩(wěn)，明年毛利率的情況主要還是要看明年需求回暖的情況。

問題 3、公司 DRAM 業(yè)務(wù)的整體規(guī)劃？

回答：公司DRAM業(yè)務(wù)基于和核心供應(yīng)商的戰(zhàn)略合作關(guān)系，在供應(yīng)鏈上有保障。公司DRAM主要為利基型產(chǎn)品，即非應(yīng)用于手機(jī)、PC、服務(wù)器的DRAM產(chǎn)品，包括小容量DDR4及LPDDR4、DDR3等產(chǎn)品。過去幾年公司DRAM業(yè)務(wù)處于從無到有開展技術(shù)研發(fā)的過程，經(jīng)過努力DDR4實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，DDR3在2023年基本完成功能驗(yàn)證和客戶導(dǎo)入的工作，目前處于良率提升和起量爬坡階段，有望在2024年為公司貢獻(xiàn)更多營收。公司也在積極開展8Gb DDR4等其他利基型DRAM產(chǎn)品研發(fā)，希望補(bǔ)齊整個標(biāo)準(zhǔn)接口利基型DRAM產(chǎn)品線，有效支撐公司DRAM業(yè)務(wù)發(fā)展，滿足客戶需求。

問題 4、MCU 產(chǎn)品價格趨勢？

回答：MCU 產(chǎn)品價格已經(jīng)經(jīng)歷了大約 4 個季度的下降，到今年第三季度價格基本趨于平穩(wěn)，第四季度價格仍會是趨于平穩(wěn)并筑底的階段。

問題 5、M7 內(nèi)核新產(chǎn)品目前的進(jìn)展情況？

回答：M7 內(nèi)核 MCU 產(chǎn)品有多個系列，很多客戶在做導(dǎo)入，10 月份開始陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)，已經(jīng)有部分型號產(chǎn)品量產(chǎn)交付，其他型號產(chǎn)品也會陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)階段，整體看還是比較順利。

問題 6、目前 MCU 行業(yè)競爭激烈，公司對行業(yè)競爭格局的展望？

回答：前兩年 MCU 缺貨，很多廠商進(jìn)入 MCU 領(lǐng)域，市場競爭非常激烈。從公司多年 MCU 業(yè)務(wù)發(fā)展來看，MCU 產(chǎn)品比較有門檻，主要表現(xiàn)是 MCU 客戶群體非常分散，公司 MCU 客戶有 2 萬多家，由非常多的客戶才取得目前的規(guī)模，因此 MCU 產(chǎn)品形成較好體量難度比較大。今年行業(yè)整體下行的情況下，更加速了行業(yè)的洗牌，現(xiàn)在是一個非常艱難的內(nèi)卷時期，但是隨著行業(yè)的洗牌，未來會越來越好。

問題 7、公司目前存貨情況？

回答：近幾個季度以來公司存貨呈逐步下降的趨勢，公司也在加大去庫存的力度。在產(chǎn)成品和半成品上，每個 BU 的情況不一樣，生產(chǎn)周期也不一樣，有的BU 產(chǎn)成品多一些，有的 BU 原材料庫存多一些。公司存貨的整體周轉(zhuǎn)情況與銷售狀況基本匹配，目前存貨周轉(zhuǎn)率大約是 5-6 個月。在存貨賬上，現(xiàn)在是一年以內(nèi)的存貨居多，一年以上的存貨是少數(shù)。對于長賬齡存貨，包括即使是在一年以內(nèi)的存貨，我們也會考慮未來的銷售情況計(jì)提相應(yīng)減值，目前存貨減值計(jì)提充分。

問題 8、晶圓和封測端成本的下降預(yù)計(jì)在什么時候會對公司毛利率提升有大幅明顯的體現(xiàn)？預(yù)計(jì)四季度毛利率通過成本優(yōu)化帶來的提升空間如何？

回答：公司存貨流轉(zhuǎn)狀況是按先進(jìn)先出的原則，即先前高價庫存先出、后續(xù)低價庫存后出。在會計(jì)核算上則是按照加權(quán)平均計(jì)算，所以成本變化的幅度不一定和代工采購成本的變化完全相符，在成本端的體現(xiàn)會是一個平滑的過程。成本端變化帶來的毛利率變化，在不同 BU 也會有區(qū)別，因?yàn)椴煌?BU 的產(chǎn)品在其生產(chǎn)的晶圓廠代工價格有區(qū)別。

問題 9、存儲周期上行的情況下，明年存儲產(chǎn)品價格上漲的彈性如何？

回答：利基 DRAM 價格受主流 DRAM 價格的牽引，主流 DRAM 價格如果出現(xiàn)大幅反彈，會帶動利基 DRAM 的價格反彈。展望明年，主要還是看行業(yè)頭部供應(yīng)商的產(chǎn)能策略和價格策略。NOR Flash 產(chǎn)品上，我們判斷現(xiàn)在供應(yīng)較充足，主要供應(yīng)商的產(chǎn)能都在正常狀態(tài)，整體產(chǎn)能在過去兩年的基礎(chǔ)上還有增長，如果市場需求在延續(xù)現(xiàn)有態(tài)勢上微弱反彈，目前產(chǎn)能還是可以滿足需求。在此情況下，我們判斷 NOR Flash 價格在下一輪供需平衡達(dá)成以前，不會出現(xiàn)明顯的上漲。需要在下一輪供需平衡達(dá)成并維持一段時間以后，觀察是否有新的需求牽引，帶動價格上漲。同時如果有部分供應(yīng)商退出，也會減少整體的供應(yīng)量，也可能推動價格上漲。公司仍延續(xù)既有戰(zhàn)略，以產(chǎn)品研發(fā)和市占率為主。

問題 10、公司 DRAM 產(chǎn)品代工廠商產(chǎn)能情況？

回答：公司為 Fabless 模式，所有的晶圓生產(chǎn)都由供應(yīng)商伙伴來完成，包括利基 DRAM。目前公司利基 DRAM 產(chǎn)能正常。

問題 11、公司 RISC-V 架構(gòu)產(chǎn)品情況？

回答：2019 年公司即推出了 RISC-V 架構(gòu)的 MCU 產(chǎn)品，今年 10 月公司新發(fā)布 RISC-V 架構(gòu)雙模無線 MCU 產(chǎn)品，未來還會有更多的產(chǎn)品發(fā)布。ARM 內(nèi)核產(chǎn)品最大優(yōu)勢在于生態(tài)非常完備，RISC-V 架構(gòu)優(yōu)勢在于成本更好，需要 RISC-V 架構(gòu)產(chǎn)品的客戶通常對成本比較敏感，同時自身研發(fā)實(shí)力較強(qiáng)。公司會跟隨市場需求做技術(shù)準(zhǔn)備并開發(fā)產(chǎn)品線。

問題 12、公司車規(guī) MCU 是否會有更多新產(chǎn)品發(fā)布？

回答：會有新產(chǎn)品發(fā)布。公司車規(guī) MCU 從車身域做起，逐漸會做到更高需求、更高功能安全等級的領(lǐng)域，包括底盤、動力域等。

問題 13、公司半年報中庫存是原材料增加比較多，產(chǎn)成品下降比較多，三季度是否相同？原材料增加比較多的原因？

回答：三季度的趨勢和二季度基本一致。從整體銷售額看，F(xiàn)lash 產(chǎn)品占比較大，存貨占比亦相應(yīng)較高，存貨中大部分在原材料階段測試階段，并在生產(chǎn)周期允許的范圍內(nèi)去生產(chǎn)。相比前端生產(chǎn)周期，封裝周期較短，一旦有市場需求，即可快速完成封裝形成產(chǎn)成品滿足客戶需求，因此公司存貨中原材料會多一些。

問題 14、后續(xù)晶圓價格下降，在售價維持穩(wěn)定、成本下降的情況下，四季度毛利率是否是上升的趨勢？

回答：在成本端不會很快有大幅度的下降，因?yàn)楫a(chǎn)品生產(chǎn)周期較長，通常晶圓生產(chǎn)階段約 3-4 個月，封測階段約 1-2 個月，目前的產(chǎn)品會是至少在半年之前的訂單生產(chǎn)的產(chǎn)品。在此情況下，成本下降會是一個較慢一些的過程，帶來的毛利率提升也不會是一個快速的提升。同時四季度毛利率還需要觀察供需和產(chǎn)品售價的變化情況。

問題 15、利基 DRAM 價格受主流 DRAM 價格的牽引，主流 DRAM 漲價會帶動利基 DRAM 漲價，從過往周期來看，這個過程需要多長時間？

回答：利基 DRAM 價格和主流 DRAM 價格有趨同性，因?yàn)樾袠I(yè)頭部的供應(yīng)商既是主流 DRAM 的供應(yīng)商，也是利基 DRAM 的主要供應(yīng)商，但此價格的聯(lián)動性也并無一定之規(guī)。具體到每一款產(chǎn)品，還是根據(jù)供求關(guān)系來決定，前年也出現(xiàn)過 DDR3 某些款的產(chǎn)品，其價格漲幅比標(biāo)準(zhǔn)型 DRAM 漲幅更大的情況。

編輯：黃飛

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