由于閃存比傳統(tǒng)媒介有著更為明顯的優(yōu)勢，在過去一年里，閃存的普及率開始飆升。不過，我們總是很難判斷不同閃存產品之間的區(qū)別。在本文中，我們對四種常見閃存設計部署方法進行了分析，它們都有各自的優(yōu)點和缺點。
2013-06-18 14:15:40
2188 最新的3D垂直閃存與傳統(tǒng)的NAND存儲芯片相比，具有包括讀寫速度快1倍、使用壽命多10倍及能耗減少50%等眾多優(yōu)勢。
2013-08-29 10:46:512064 
?閃存的原理、優(yōu)勢以及在不同領域中的應用。 什么是pSLC pSLC?是一種虛擬的 SLC?技術，通過采用特殊的控制算法和管理方法，在 MLC?或 TLC?閃存芯片上模擬 SLC?存儲單元。 1、pSLC技術的可靠性介于SLC和MLC之間，其性能接近于SLC； 2、透過Flash控制器的創(chuàng)新性設
2023-08-02 15:16:593366 
閃存控制器1.閃存寫當寫閃存時不能進入供電模式1、2和3。而且寫的時候系統(tǒng)時鐘源不能改變。2.閃存頁面擦除擦除一個頁面時不能進入供電模式1、2和3，且系統(tǒng)時鐘源不能改變。當擦除時使能了看門狗，則定時
2021-07-22 09:32:33
有一顆EMMC，要用PSLC模式燒錄，請問各位大俠PSLC是什麼？
2012-04-17 11:55:58
KW38 中的“程序閃存的高級閃存安全”是什么意思？
2023-02-28 06:18:21
GaN為5G sub-6GHz大規(guī)模MIMO基站應用提供的優(yōu)勢LDMOS的優(yōu)勢是什么如何選擇正確的晶體管技術
2021-03-09 07:52:21
Python是什么？有什么優(yōu)勢？Java是什么？有什么優(yōu)勢？為什么Lisp是AI開發(fā)的頂級編程語言之一？Prolog是什么？有什么優(yōu)勢？C ++是什么？主要有哪些應用領域？
2021-07-02 06:36:55
一、什么是pSLC
pSLC（Pseudo-Single Level Cell）即偽SLC，是一種將MLC/TLC改為SLC的一種技術，現(xiàn)Nand Flash基本支持此功能，可以通過指令控制MLC
2023-08-11 10:48:34
UFS 3．0閃存與UFS 2．1閃存相比有哪些提高？
2021-07-12 08:06:22
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2020-12-26 17:28:46
什么是閃存？為何國產存儲芯片eMCP有著不可替代的優(yōu)勢?
2021-06-18 07:51:33
作者：李建勛 樊曉光 禚真福來源：什么是基于閃存平臺的存儲管理策略？在嵌入式系統(tǒng)中，由于閃存成本低、容量大、非易失、訪問速度高和機械故障少的優(yōu)勢已逐漸成為最流行的存儲大量數(shù)據(jù)的存儲器。然而，閃存常見
2019-07-31 08:17:49
V3的全閃存方案，在大于1000桌面以上就有超過30%的成本優(yōu)勢。 ２.運維效率高 典型2000個桌面部署速度相對傳統(tǒng)存儲提升2倍（20小時縮減為8小時），啟動風暴時間縮減75%（60分鐘
2018-11-29 11:41:44
什么是內存（RAM）？什么是閃存（ROM）？內存與閃存之間的區(qū)別在哪里？內存與閃存之間有什么不同？
2021-06-18 09:41:00
的成本、設計效率及重要性，基于MCU的解決方案可為設計者們提供諸多優(yōu)勢。通過選擇帶適當外圍與閃存的8 位MCU，工程師們能充分利用其優(yōu)勢來設計一種離線鋰電池充電器。帶2KB 閃存及適當外圍以提供一種廉價
2011-01-13 09:35:28
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2021-08-23 19:27:13
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2021-10-29 19:13:21
大家好，我已經閱讀了很多關于如何從PROM閃存和SPI閃存配置FPGA的PDF文件，但我需要知道如何使用mcs文件配置閃存本身（我知道它可以通過IMPACT完成，我知道所有步驟，但是我需要知道這些
2019-07-10 07:36:39
大家好， 我正在使用SPC560D030作為我的產品。我想使用數(shù)據(jù)閃存存儲設備配置，即我想將數(shù)據(jù)閃存用作NVM。配置數(shù)據(jù)為120字節(jié)。我嘗試使用數(shù)據(jù)閃存作為NVM閱讀參考手冊
2018-09-25 17:15:42
）配置比特流時，這種11引腳雙QSPI配置將具有非常大的優(yōu)勢。閃存配置下一代閃存采用x1（主要用于SFDP訪問）、x4或x8 IO總線寬度運行，支持SDR或DDR格式傳輸數(shù)據(jù)，并且通過使用新的數(shù)據(jù)選
2021-05-26 07:00:00
我正在使用PSoC造飾器，想知道是否有一種方法來讀取/寫入閃存的一小部分。我想在閃存結束時保留一些類似于128字節(jié)的東西來存儲序列號和其他應用程序配置信息。這是可能的嗎？我希望固件能夠讀取/寫入閃存。車道
2019-10-28 07:33:46
我使用的是 MIMXRT1170-EVK，具有 IS25WP128-JBLE QSPI NOR 閃存。我已經設置了 hello world 代碼，以便代碼從內部 RAM 運行，釋放閃存以供使用。 我
2023-03-20 06:29:52
過程，其中包括對整個價值鏈的優(yōu)化，而這只能通過對總成本予以足夠重視來實現(xiàn)。將閃存用于智能卡IC的優(yōu)勢在面向支付、身份識別和交通應用的大用量芯片卡市場上，要應對強大的價格壓力，固定式掩模ROM（只讀存儲器
2018-12-07 10:19:51
收購鉭電容（專業(yè)優(yōu)勢高價）鉭電容回收【帝歐電子 財富熱線 ***QQ：879821252 】 收購鉭電容，收購AVX鉭電容，收購NEC鉭電容，收購KEMET(基美）鉭電容，收購VISHAY(威士
2021-01-06 17:07:48
嗨，我們想用Spartan 6汽車級FPGA（XA6SLX100-2FGG484Q-ND）設計一種新的PCB。請為設計指定SPI配置閃存，因為Xilinx（間接編程簡介 - SPI或BPI閃存）中列出的所有SPI閃存都是合法的。請建議替代SPI閃存。
2020-06-05 15:35:51
在過去幾年里，汽車應用對 NOR 閃存的需求不斷增加。NOR 閃存最初應用在信息娛樂和引擎控制等方面。然而，隨著汽車電腦化進程的步伐不斷加快，NOR 閃存在汽車領域中的應用越來越廣泛。尤其是在高級駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)、數(shù)字儀表盤和信息娛樂等系統(tǒng)對NOR 閃存的市場需求迅猛增長。
2019-08-09 06:31:34
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2021-01-04 17:10:16
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2021-09-22 19:28:08
有一顆元件是EMMC，需要用PSLC模式燒錄，請問PSCL是什麼意思？到處都找不到這個資料，請各位大俠幫忙！
2012-04-17 11:52:49
某閃存廠商指控蘋果在閃存市場上“欺行霸市”
近日，有某匿名廠商指控蘋果在NAND閃存市場上“欺行霸市”，威逼閃存廠商。該廠商指蘋果經常向韓系三星，海力士等
2009-12-03 09:24:11425 閃存卡的存取速度 存取速度是指閃存卡在被寫入數(shù)據(jù)或讀取數(shù)據(jù)時的數(shù)據(jù)傳輸速度。不同類型的閃存卡采用
2010-01-09 15:03:29973 閃存卡的電壓 不同類型的閃存卡具有不同的規(guī)
2010-01-09 15:04:411086 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 Flash閃存有哪些類型
Flash閃存是非易失性存儲器，這是相對于SDRAM等存儲器所說的。即存儲器斷電后，內部的數(shù)據(jù)仍然可以保存。Flash根據(jù)技術方式分為Nand 、Nor Flash和AG-
2010-03-25 16:26:5611607 恒憶閃存抗X射線
恒憶閃存基于浮柵技術。閃存晶體管的絕緣柵極（浮柵）捕獲（或排除）電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改（偏離原始電壓值）。在附加的編程和
2010-04-12 14:12:16641 
NAND閃存的自適應閃存映射層設計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
在嵌入式系統(tǒng)中，由于閃存成本低、容量大、非易失、訪問速度高和機械故障少的優(yōu)勢已逐漸成為最流行的存儲大量數(shù)據(jù)的存儲器。然而，閃存常見的用法是簡單的流模式，它沒有
2010-06-21 15:10:22495 
恒憶閃存基于浮柵技術。閃存晶體管的絕緣柵極(浮柵)捕獲(或排除)電子，因此，晶體管的閾值電壓被修改(偏離原始
2010-10-18 09:54:481629 本內容介紹了usb閃存盤是什么意思，包括usb閃存盤的組成及閃存盤的存儲原理。
2011-12-21 11:19:1012120 LPC1138閃存(Flash)，有需要的下來看看。
2016-01-13 16:45:57
20 VMAX 全閃存
2016-12-25 00:20:540 NetApp_閃存解決方案為數(shù)據(jù)庫工作負載帶來的優(yōu)勢
2016-12-29 12:01:010 3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者，但三星目前已經是NAND芯片行業(yè)的領跑者，并且其優(yōu)勢在不斷擴大。
2017-03-07 15:53:451320 近日閃存門可謂是愈演愈烈，而現(xiàn)在有網友發(fā)現(xiàn)三星在海外比如說美國地區(qū)悄悄地撤銷了手機閃存描述，也就是刪去了UFS 2.1閃存的描述。當然之前三星之前就在閃存描述下面指出，“部分國家規(guī)格可能有差別”。而經過網友的驗證，部分美版的Galaxy S8/S8+手機使用的是東芝生產的UFS 2.0閃存。
2017-05-08 10:21:54551 
三星作為手機行業(yè)的上游霸主，有著強大的科技創(chuàng)新實力以及完整的產業(yè)鏈優(yōu)勢，再加上其身為國際大品牌的影響力促使其對名譽有著更加負責任的擔當精神，這也使得三星手機對自身要求更加苛刻，對于三星在閃存上的優(yōu)勢，源于其強大的市場基礎。
2017-05-11 10:03:0911107 相信很多人對不久前發(fā)生的華為閃存門事件都記憶猶新，此次事件帶火了一款軟件，也帶火了一個名詞“閃存”。這款軟件叫“Androbench”，購買華為P10的用戶分分下載Androbench測試閃存速度，導致華為商城無法下載該軟件。而這個名次“閃存”，相信很多人都會比較疑惑，閃存是運存嗎？
2017-05-12 11:19:122623 華為榮耀9這幾天才上市，胡歌是這款手機的代言人，讓人好不喜歡，可是華為p10就爆出閃存門事件，那么華為榮耀9存在閃存門嗎？閃存門怎么測試？一起來看看。
2017-06-13 16:55:165848 目前，東芝和西數(shù)先后宣布成功開發(fā)基于四比特單元3D NAND閃存芯片，即QLC閃存，這也意味著QLC SSD將要來臨。那么，它與TLC閃存又有什么區(qū)別，能否取代TLC成為SSD主流閃存之選？
2017-08-01 10:21:1393396 
UFS 2.0閃存的亮點正是讀取速快，相對主流動的eMMC 5.0閃存讀取速更快，據(jù)悉UFS 2.0閃存一秒即可寫入20首以上的歌曲，它能行更快的完成讀取操控，從而更早的回到待機狀態(tài)。
2018-02-20 10:13:002688 現(xiàn)代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術已經有顯著進步，能夠克服快閃存儲器儲存介質固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進行應用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021255 代快閃存儲器控制器中的磨損平衡技術已經有顯著進步，能夠克服快閃存儲器儲存介質固有的弱點，并幫助發(fā)揮出快閃存儲器的優(yōu)勢。對于現(xiàn)代快閃存儲器儲存器系統(tǒng)而言，控制器的選擇比快閃存儲器儲存器本身更加重要，借由選擇合適的快閃存儲器控制器進行應用，可以提升系統(tǒng)的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:001396 隨著成本降低和技術進步，閃存越來越多的被企業(yè)級數(shù)據(jù)中心作為存儲介質使用。相比傳統(tǒng)的磁盤介質，閃存的優(yōu)勢顯而易見：速度快，耗電低，省空間。特別在速度方面，閃存具有壓倒性的優(yōu)勢。
2018-05-09 13:46:001928 
的堆棧厚度為2.5μm，層厚度大約70nm，48層的閃存堆棧厚度為3.5μm，層厚度減少到62nm，現(xiàn)在的64/72層閃存堆棧厚度大約4.5μm，每層厚度減少到60nm，而到了140+層，堆疊厚度將增至
2018-05-28 16:25:4847895 RobertFrance先生介紹Spansion公司推出業(yè)界最快串行閃存產品——65nm Spansion? FL-S NOR閃存系列。
2018-06-25 17:00:003627 Vantara、Kaminario七家廠商所把持。除Pure Storage和Kaminario以外，其他五大廠商均長期占據(jù)傳統(tǒng)存儲市場的第一陣營，而今天它們將傳統(tǒng)存儲的優(yōu)勢延續(xù)到了新興的全閃存市場。
2018-07-26 17:02:014615 到2016年3月份為止，全球四大NAND豪門都推出了3D NAND閃存及TLC閃存，SSD硬盤的好處就不用多說了，現(xiàn)在不僅容量在提升，價格也不斷走低，這導致了性價比更有優(yōu)勢的TLC閃存需求高漲
2018-09-19 16:45:001570 傳統(tǒng)上，磁盤存儲相較于閃存的關鍵優(yōu)勢在于容量價格。對于容量為幾GB的小型USB閃存盤，閃存的價格能夠讓人接受。但是當涉及到企業(yè)計算環(huán)境時，將整個組織的數(shù)據(jù)存儲在閃存中，高昂的價格讓人望而生畏。
2019-03-15 14:22:292491 華為存儲從2002年開始投入，已經走過17個年頭。到今天，全球已經超過1萬客戶選擇了華為存儲，在金融、運營商、能源、大企業(yè)各行各業(yè)的核心系統(tǒng)上都有OceanStor Dorado的身影。在整個存儲以及全閃存的市場上，華為在國內保持了市場份額的第一名，同時在全球保持了增長率的第一。
2019-07-27 11:01:501261 PRO Endurance 128G作為三星存儲在閃存卡領域的旗艦產品，在外觀方面與自家其它閃存卡系列保持了較高的統(tǒng)一度，家族化的設計讓人很好辨認，為了與EVO Plus系列進行區(qū)分，此款PRO Endurance 128G在配色方面采用了黑色相間的撞色搭配，這也仿佛在訴說這它那低調持久的性能表現(xiàn)。
2019-09-29 10:16:452199 在手機選擇上，或許很多人只看重處理器和運行內存，這是沒錯的，強悍硬件是手機擁有好體驗的基礎。不過，對于當下5G手機而言，不僅要看處理器，產品配備UFS閃存的規(guī)格也是非常關鍵的，其直接影響到手機是否擁有流暢體驗。
2019-11-04 11:19:572063 同樣值得注意的是閃存有幾種不同的類型。最常見的兩種是NOR閃存和NAND閃存。
2019-12-05 11:54:343576 如同HDD硬盤中的SMR技術一樣，QLC閃存現(xiàn)在也有人人喊打的趨勢，究其原因就在于QLC閃存性能、可靠性比TLC閃存更差，但是現(xiàn)在的價格還沒有達到預期。
2019-12-10 10:56:012332 NAND Flash是目前閃存中最主要的產品，具備非易失，高密度，低成本的優(yōu)勢，其陣列內部包含由晶體管構成的行列單元。
2020-02-24 17:57:302242 
對3D閃存來說，堆棧層數(shù)越多，容量就越大，存儲密度就越高，這是3D閃存的核心競爭力，2020年全球將大規(guī)模量產100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:073456 NAND閃存結構NAND Flash的內部組織是由塊和頁構成。每個塊包含多個頁
2020-07-22 11:56:265264 
無論消費者還是企業(yè)機構，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講，NAND閃存可以說已經成為固態(tài)硬盤的代名詞?；趬K尋址結構和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
我們都知道，構成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 閃存是最常用器件之一，在諸如SSD等存儲設備中均存在閃存。但是，大家對閃存真的足夠了解嗎?為增進大家對閃存的了解和認識，本文將對QLC閃存以及TLC閃存相關內容予以介紹。如果你對閃存具有興趣，不妨
2020-11-06 17:38:5882922 
兩大存儲芯片中，內存未來的價格走勢風云變幻，而閃存的價格就好多了——盡管幾大閃存原廠也在削減產能，但是閃存明年Q1季度價格還會繼續(xù)跌，跌幅在10-15%不等，SSD硬盤不怕漲價了。
2020-12-14 15:26:391452 100+層。 這么多年了，大家都知道了SLC、MLC、TLC及QLC閃存類型的區(qū)別，QLC閃存量產上市才2年左右，但是發(fā)展很快，因為它的容量、成本優(yōu)勢最大，消費者不爽的主要是性能差，尤其是緩存外性能不如HDD硬盤，還有就是可靠性差，擔心會掛。 前不久Intel發(fā)布了144層堆棧
2020-12-25 10:50:251920 由于成本上的優(yōu)勢，目前市場上的NAND閃存主流已經變成了TLC、QLC，MLC都很罕見了，SLC閃存更是鳳毛麟角，消費級市場上幾乎消失了。
2021-01-08 09:19:002400 由于成本上的優(yōu)勢，目前市場上的NAND閃存主流已經變成了TLC、QLC，MLC都很罕見了，SLC閃存更是鳳毛麟角，消費級市場上幾乎消失了。
2021-01-08 10:05:081872 NOR閃存由于其可靠的數(shù)據(jù)存儲而已在嵌入式設備中廣泛使用了很長時間。對于某些低功耗應用，串行SPI NOR閃存變得比并行NOR閃存設備更受歡迎。與串行SPI NOR閃存相比，并行NOR閃存具有并行性
2021-03-03 16:36:441619 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。
2021-03-03 17:42:495260 
根據(jù)Gartner的數(shù)據(jù)顯示，Dell EMC正在建立比NetApp更大的全閃存陣列（AFA）收入領先優(yōu)勢。NetApp在這個市場上仍然排名第二，但是華為和Pure Storage正在快速追趕
2021-04-01 15:43:242563 
STM32閃存編程手冊(嵌入式開發(fā)和編程)-STM32閃存編程手冊?STM32開發(fā)必備技術文檔之一
2021-08-04 12:44:2345 三級單元（TLC）、多級單元（MLC）、單層單元（SLC）、偽單層單元（pSLC）——有許多閃存技術。開發(fā)人員需要了解存儲的基本機制和存儲級別的效果，以了解哪些閃存產品最適合特定應用。只有這樣，他們才知道該問供應商什么問題。
2022-10-24 11:43:25414 圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經變得混亂。通常，當人們討論存儲時，他們只談論NAND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
中，SLC顆粒性能最好、可擦寫次數(shù)最高，但其容量成本比往往令人望而卻步。 企業(yè)該如何以更經濟的成本獲得媲美SLC顆粒長壽命、高效能的存儲方案呢？ 為解決這一痛點，佰維自研的 pSLC（Pseudo SLC） 固件技術應運而生，搭配先進 LDPC糾錯 技術，打造佰維超強耐久SSD。
2023-03-20 09:57:12825 
NAND閃存上的位密度隨著時間的推移而變化。早期的NAND設備是單層單元（SLC）閃存。這表明每個閃存單元存儲一個位。使用多層單元（MLC），閃存可以為每個單元存儲兩個或更多位，因此位密度會增加
2023-05-25 15:36:031197 
近日，MK米客方德推出工業(yè)級pSLCeMMC，創(chuàng)新的pSLC應用，使得產品的擦寫壽命大幅提升，能夠滿足工業(yè)客戶對可靠性的嚴苛要求。圖一：4GBeMMC產品pSLC是一種介于SLC和MLC之間的技術
2022-05-13 15:46:201131 
在當今科技時代，數(shù)據(jù)存儲需求急劇增長，NAND閃存技術作為一種關鍵的非易失性存儲解決方案持續(xù)發(fā)展。近年來，虛擬SLC（pSLC）閃存技術的引入，為數(shù)據(jù)存儲領域帶來了新的創(chuàng)新。本文將探討pSLC閃存
2023-08-02 08:15:35793 電子發(fā)燒友網站提供《光纖通道與iSCSI相比在支持企業(yè)工作負載的全閃存存儲陣列方面性能優(yōu)勢.pdf》資料免費下載
2023-08-28 16:44:060 電子發(fā)燒友網站提供《實現(xiàn)閃存存儲優(yōu)勢的網絡設計注意事項.pdf》資料免費下載
2023-08-28 11:02:270
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