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電子發(fā)燒友網(wǎng)>存儲(chǔ)技術(shù)>NAND Flash整體盤勢(shì)緩慢滑落,DDR5顆粒需求出現(xiàn)

NAND Flash整體盤勢(shì)緩慢滑落,DDR5顆粒需求出現(xiàn)

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SPI NAND FLASH 的簡(jiǎn)介和優(yōu)點(diǎn)

了很多年,近些年隨著產(chǎn)品小型化的需求越來(lái)越強(qiáng)烈,并且對(duì)于方案成本的要求越來(lái)越高,SPI NAND flash逐漸進(jìn)入了很多工程師的眼中。如果采用SPI NAND flash的方案,主控(MCU)內(nèi)可以
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我們知道,S5pv210的啟動(dòng)代碼是從Nand flash中開(kāi)始執(zhí)行的,將Nand flash中的代碼拷貝到DDR中,再開(kāi)始執(zhí)行C語(yǔ)言。Nand flash的重要性可想而知。Nand-flash內(nèi)存
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什么是DDRDDR內(nèi)存的演進(jìn)之路

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全新高速/低功耗的DDR5數(shù)據(jù)緩沖器

高速、低功耗數(shù)據(jù)緩沖器為DDR5 DRAM及存儲(chǔ)類內(nèi)存模塊提升速度與帶寬
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全網(wǎng)首發(fā)!第一手DDR5仿真資料(上)

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內(nèi)存顆粒/flash芯片測(cè)試夾具

我公司是國(guó)內(nèi)最大的內(nèi)存顆粒/FLASH芯片測(cè)試夾具生產(chǎn)廠家,專業(yè)生產(chǎn)各類內(nèi)存條顆粒,UFLASH芯片,LGA 測(cè)試座,TF卡等測(cè)試夾具,測(cè)試性能穩(wěn)定,效率高!是內(nèi)存條,TF卡,閃存,U商家其廠家最佳合作伙伴!可以訂制各種芯片的測(cè)試夾具!歡迎來(lái)廠參觀指導(dǎo)工作!
2011-03-18 13:45:58

帶均衡的data信號(hào)!第一手DDR5仿真資料(下)

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NAND Flash供應(yīng)商排名:三星Q3季穩(wěn)居龍頭

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2012-11-05 09:30:312154

NAND Flash應(yīng)用分布概況

NAND Flash需求主要集中在智慧型手機(jī)、云端儲(chǔ)存大型資料庫(kù)用的固態(tài)硬碟(SSD)上。2013年智慧型手機(jī)、平板電腦對(duì)于NAND Flash晶片用量倍數(shù)增加,加上云端運(yùn)算商機(jī),市場(chǎng)對(duì)第3季NAND Flash市場(chǎng)看法偏向吃緊,晶片價(jià)格維持高檔。
2013-07-05 10:13:443031

智能手機(jī)需求強(qiáng)勁 第三季NAND Flash供應(yīng)商營(yíng)收增長(zhǎng)兩成

TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示,受惠于智能型手機(jī)需求強(qiáng)勁,及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少,2016年第三季NAND Flash開(kāi)始漲價(jià),使得NAND Flash原廠營(yíng)收季成長(zhǎng)19.6%,營(yíng)業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。
2016-12-08 11:31:15599

新技術(shù)內(nèi)存接口DDR5有望2019年量產(chǎn)

下一代服務(wù)器DIMM緩沖器芯片瞄準(zhǔn)DDR5內(nèi)存應(yīng)用。 替代型內(nèi)存崛起。 DDR5接口芯片的內(nèi)存帶寬與密度都比DDR4更高2倍。
2017-09-26 15:09:203096

三種主流內(nèi)存技術(shù)(DDR、GDDR、LPDDR)的速度對(duì)比與應(yīng)用和DDR5芯片的設(shè)計(jì)

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2017-11-15 16:36:0340425

NAND Flash供過(guò)于求價(jià)格走跌,這種情形或持續(xù)到2018年上半年

年第四季下跌逾15%,而服務(wù)器需求相對(duì)持平,整體位元需求量較2017年第四季呈現(xiàn)0-5%下跌。另一方面,NAND Flash供貨商仍持續(xù)提升3D-NAND Flash的產(chǎn)能及良率,位元產(chǎn)出成長(zhǎng)亦較第四季
2018-07-10 14:40:00794

2018年NAND Flash市場(chǎng)供過(guò)于求 NAND Flash顆粒/Wafer合約價(jià)跌幅顯著

等影響,對(duì)于需求動(dòng)能可以說(shuō)是雪上加霜。因此,10月份除了SSD、eMMC/UFS價(jià)格持續(xù)下跌外,各類NAND Flash顆粒及Wafer產(chǎn)品的合約價(jià)跌幅更為顯著。
2018-11-06 16:36:512216

三星、美光3D-NAND Flash產(chǎn)出比重已逾50%

產(chǎn)出比重將正式超越50%,成為 NAND Flash市場(chǎng)的主流制程,此外,由于新一代iPhone的備貨需求將至,以及SSD應(yīng)用需求穩(wěn)健成長(zhǎng),預(yù)估下半年整體NAND Flash市場(chǎng)仍維持供需較為吃緊的態(tài)勢(shì)。
2018-11-16 08:45:591150

SK海力士發(fā)布標(biāo)準(zhǔn)DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒 并擁有最多32個(gè)Bank

SK海力士官方宣布,公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb(2GB)的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒,且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:494361

瀾起科技表示正參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定

日前瀾起科技董事長(zhǎng)楊崇和在參與活動(dòng)時(shí)表態(tài),公司正積極參與DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的制定。
2019-12-16 15:41:082998

DDR5比較DDR4有什么新特性?

DDR5相比DDR4有什么新特性?
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美光于前日宣布已經(jīng)開(kāi)始向業(yè)界中的核心客戶出樣DDR5內(nèi)存(RDIMM)了,目前他們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">DDR5內(nèi)存上面使用的是自家最新的1z nm工藝。
2020-01-12 10:09:043332

三星電子成功開(kāi)發(fā)出了DDR5芯片

隨著現(xiàn)代計(jì)算機(jī)能力的不斷發(fā)展,推動(dòng)著存儲(chǔ)器件朝著更高性能的方向發(fā)展。DDR5作為DDR4的后繼者,能支持更快的傳輸速率和更高的容量。近日,三星電子宣布成功開(kāi)發(fā)DDR5芯片,可提供更強(qiáng)大、更可靠的性能,支持現(xiàn)代服務(wù)器不斷增長(zhǎng)的需求
2020-02-22 09:40:47760

關(guān)于DDR5你知道多少 DDR5的新挑戰(zhàn)

驅(qū)動(dòng)DRAM內(nèi)存市場(chǎng)向DDR5升級(jí)的動(dòng)力應(yīng)該是來(lái)自對(duì)帶寬有強(qiáng)烈需求的專業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,比如云服務(wù)器、邊緣計(jì)算等等,由于系統(tǒng)內(nèi)存帶寬跟不上服務(wù)器CPU核心數(shù)量的增長(zhǎng),服務(wù)器因此需要更大的內(nèi)存帶寬。
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5G時(shí)代你是等DDR5上市 還是升級(jí)DDR4內(nèi)存

原以為在肺炎病毒無(wú)情來(lái)襲的2月將是平平無(wú)奇的日常,但是隨著配備LPDDR5的到來(lái),DDR5的話題再次走進(jìn)大眾的視野范圍當(dāng)中。對(duì)于目前的情況來(lái)說(shuō),我們到底應(yīng)該做一個(gè)等等黨等DDR5,還是選擇果斷剁手DDR4呢?
2020-03-30 09:25:3710006

內(nèi)存條ddr4和顯卡ddr5

今年,小米10等智能手機(jī)都開(kāi)始用上了LPDDR5內(nèi)存,此后,這樣規(guī)格的內(nèi)存應(yīng)該也會(huì)成為新一代旗艦手機(jī)的標(biāo)配。不過(guò)在PC端,DDR5內(nèi)存還是需要等待的,英特爾和AMD的下一代消費(fèi)級(jí)處理器和主板產(chǎn)品
2020-07-30 15:27:122481

DDR5內(nèi)存和DDR4內(nèi)存差異總結(jié)

DDR5的主要特性是芯片容量,不僅僅是更高的性能和更低的功耗,DDR5將具有改進(jìn)的命令總線效率,更好的刷新方案以及增加的存儲(chǔ)體組以獲得額外的性能。
2020-09-17 16:41:1716372

DDR5內(nèi)存和DDR4有啥不同

第十一代酷睿桌面版不斷泄露消息,所以正式產(chǎn)品還沒(méi)上市就讓人沒(méi)了新鮮感,也許正是這個(gè)原因,很多小伙伴的好奇的目光開(kāi)始轉(zhuǎn)向了更下一代平臺(tái),特別是DDR5內(nèi)存。它到底和DDR4有啥不同,我們要不要
2021-02-27 12:13:5418076

DDR4到DDR5花了將近10年,DDR5將有什么重大突破?

2018年10月,Cadence和鎂光公布了自己的DDR5內(nèi)存研發(fā)進(jìn)度,兩家廠商已經(jīng)開(kāi)始研發(fā)16GB DDR5產(chǎn)品,并計(jì)劃在2019年年底之前實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)目標(biāo)。
2020-11-29 10:09:075502

國(guó)內(nèi)廠商已開(kāi)始布局DDR5內(nèi)存明年量產(chǎn)

DDR4內(nèi)存占據(jù)主流地位已經(jīng)有差不多5年的時(shí)間了,算算迭代的速度,DDR5也該來(lái)了,而國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)品牌的龍頭之一,嘉合勁威最近也是宣布,正在積極引入DDR5內(nèi)存技術(shù),將在2021年于深圳坪山率先實(shí)現(xiàn)
2020-12-08 17:14:252447

DDR5最大優(yōu)勢(shì)是容量而非速度

DDR4內(nèi)存條的價(jià)格已經(jīng)很便宜了,2021年就會(huì)有DDR5內(nèi)存上市了,雖然初期主要面向數(shù)據(jù)中心市場(chǎng),但是新一代平臺(tái)值得期待,DDR5內(nèi)存頻率相比現(xiàn)在可以翻倍。 今年7月份,JEDEC正式發(fā)布DDR5
2020-12-12 10:35:393946

十銓已開(kāi)啟DDR5內(nèi)存模組的開(kāi)發(fā)測(cè)試

繼早前展望了消費(fèi)級(jí) DDR5 內(nèi)存產(chǎn)品線的規(guī)劃之后,十銓(TeamGroup)現(xiàn)已開(kāi)啟 DDR5 內(nèi)存模組的工程樣品開(kāi)發(fā)工作。該公司目前正與華碩、微星、技嘉、華擎等主板制造商合作,對(duì) DDR5 工程
2020-12-16 15:40:331924

國(guó)產(chǎn)品牌阿斯加特推首款DDR5內(nèi)存

2021年將是DDR內(nèi)存技術(shù)升級(jí)換代元年,DDR5內(nèi)存下半年就會(huì)正式亮相。今天國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)品牌阿斯加特宣布了旗下首款DDR5內(nèi)存,起步頻率就達(dá)到DDR5-4800MHz。
2021-02-22 16:31:203265

DDR5內(nèi)存和數(shù)據(jù)中心正迎來(lái)發(fā)展新契機(jī)

回顧2020年,在新基建的驅(qū)動(dòng)下,數(shù)據(jù)中心正迎來(lái)發(fā)展的新契機(jī)。這一趨勢(shì)加速推動(dòng)了DDR向更快、更高效的新一代產(chǎn)品迭代,國(guó)內(nèi)各大廠商紛紛布局DDR5內(nèi)存并力推其廣泛商業(yè)化。2020年7月14
2021-05-01 09:31:002057

DDR5放量元年 上游三巨頭積極部署

近日,英特爾和微星分別官宣,Alder Lake 12代酷睿處理器和Z690主板即將發(fā)布,這兩款產(chǎn)品的發(fā)布消息一出,將DDR5內(nèi)存也帶火了起來(lái)。據(jù)媒體宣稱,英特爾的CPU與微星的主板均支持DDR5
2021-10-26 16:54:142114

美光正式推出全新Crucial英睿達(dá)DDR5內(nèi)存

美光公司近日推出了全新的 Crucial 英睿達(dá) DDR5 內(nèi)存,比之前英睿達(dá) DDR4內(nèi)存的數(shù)據(jù)傳輸速度提高了將近50%,提供更快的速率滿足多核處理器的需求。
2021-10-29 10:52:161784

常見(jiàn)flash講解——NAND、SPI、EMMC

目錄存儲(chǔ)顆粒與外部控制器常見(jiàn)的flash對(duì)比內(nèi)置還是外接Flash使用難度flash選擇總結(jié)NAND Flash被淘汰的原因EMMC的優(yōu)勢(shì)存儲(chǔ)顆粒與外部控制器flash內(nèi)部有一個(gè)存儲(chǔ)顆粒
2021-12-01 19:51:1724

SPI Nand Flash簡(jiǎn)介

1.SPI Nand Flash簡(jiǎn)介SPI Nand Flash顧名思義就是串行接口的Nand Flash,它和普通并行的Nand Flash相似,比如:SLC Nand Flash。2.SPI
2021-12-02 10:51:1733

nand_flash的初始化,如何從nand_flash中讀取數(shù)據(jù)

本文章主要講解了nand_flash初始化的方法,如何讀取nand_flash上的數(shù)據(jù)
2021-12-22 19:04:4615

DDR5內(nèi)存的價(jià)格為何那么貴

DDR5DDR4的基礎(chǔ)上做了許多改進(jìn),首先是更高的數(shù)據(jù)速率,從DDR4最高的3200MT/s,到了DDR5最高的6400MT/s;其次是提高內(nèi)存穩(wěn)定性的片上ECC糾錯(cuò)機(jī)制,以及降低功耗的1.1V電壓,而內(nèi)存模組硬件上最大的改變之一莫過(guò)于新加入的電源管理芯片(PMIC)。
2022-07-12 09:58:503918

DDR5技術(shù)滿足客戶特定應(yīng)用的需求

Rambus內(nèi)存互連芯片業(yè)務(wù)部門產(chǎn)品營(yíng)銷副總裁John Eble在接受記者采訪時(shí)表示,“目前DDR4仍然保持著強(qiáng)勁的勢(shì)頭,DDR5現(xiàn)在是處在早期的爬坡階段?!?/div>
2022-08-31 09:45:09661

三星電子DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒實(shí)現(xiàn)HKMG工藝大規(guī)模應(yīng)用

該機(jī)構(gòu)表示,目前已經(jīng)在芝奇(G.Skill)Trident Z5系列DDR5內(nèi)存中發(fā)現(xiàn)了三星HKMG DDR5內(nèi)存顆粒。該機(jī)構(gòu)還預(yù)計(jì)HKMG將成為下一代DRAM行業(yè)的新標(biāo)準(zhǔn)。
2022-09-19 15:14:481025

專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì)的DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板

迪賽康DDR4/DDR5 Interposr測(cè)試板專門為內(nèi)存顆粒測(cè)試設(shè)計(jì),阻抗一致性優(yōu)異,極低延遲,最高速率支持6.4Gbps,可以用于78pin和96pin/102pin封裝的DDR4和DDR5顆粒測(cè)試。
2022-10-10 09:33:483592

DDR5或?qū)⒃?023年成主流存儲(chǔ)技術(shù)

新一代DDR5擁有超高頻寬及低功耗優(yōu)勢(shì),不僅傳輸速率能增加50%,工作電壓亦由DDR4的1.2V下降至DDR5的1.1V,能夠提高整體系統(tǒng)能源效率。
2022-10-17 10:55:591496

DDR5滲透率快速提升 長(zhǎng)電科技有備而來(lái)

近日,長(zhǎng)電科技宣布,高性能動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)DDR5芯片成品實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定量產(chǎn),公司將依托自身的技術(shù)與服務(wù)優(yōu)勢(shì)為國(guó)內(nèi)外客戶提供高性價(jià)比和高可靠性的解決方案。 隨著5G高速網(wǎng)絡(luò)、云端服務(wù)器、智能汽車等領(lǐng)域
2022-11-22 10:51:52822

存儲(chǔ)技術(shù)的新動(dòng)向:DDR5DDR4 DIMMs比較

JEDEC將DDR5描述為一種“具備革命意義”的存儲(chǔ)器架構(gòu),認(rèn)為它的出現(xiàn)標(biāo)志整個(gè)產(chǎn)業(yè)即將向DDR5服務(wù)器雙列直插式存儲(chǔ)器模塊(DIMM)過(guò)渡。
2022-12-05 11:59:262313

淺析存儲(chǔ)顆粒和存儲(chǔ)組件的價(jià)格形成

DRAM會(huì)區(qū)分顆粒的技術(shù)層級(jí):DDR3/DDR4/DDR5; Flash會(huì)區(qū)分顆粒的類別:TLC/MLC/SLC; 也會(huì)區(qū)分顆粒的容量 8G/16G/32G/64G; 同時(shí)也區(qū)分GDDR/LPDDR不同應(yīng)用的價(jià)格。
2023-01-05 11:06:08750

ChatGPT帶旺服務(wù)器需求,Rambus發(fā)布第三代DDR5 RCD芯片,提前卡位DDR5市場(chǎng)爆發(fā)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/黃晶晶)隨著服務(wù)器CPU更多的開(kāi)始支持DDR5,服務(wù)器的內(nèi)存也正向DDR5滲透,Rumbus公司預(yù)計(jì)服務(wù)器DDR5將在2023年出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。事實(shí)上,作為唯數(shù)不多的內(nèi)存接口芯片
2023-03-02 10:27:133846

DDR5DDR4的關(guān)鍵區(qū)別在哪里?

DDR5 已占據(jù)整個(gè) DRAM 市場(chǎng)份額的 10%,2024年則將進(jìn)一步擴(kuò)大至 43%。服務(wù)器市場(chǎng)可能最先推廣DDR5,服務(wù)器市場(chǎng)對(duì)高性能有著絕對(duì)的需求。
2023-04-18 11:36:471605

淺談Rambus對(duì)DDR5市場(chǎng)趨勢(shì)的前瞻見(jiàn)解

Rambus預(yù)計(jì)服務(wù)器DDR5將在2023年出現(xiàn)強(qiáng)勁增長(zhǎng)。市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)IDC的數(shù)據(jù)顯示,DDR5的拐點(diǎn)可能會(huì)在2024年上半年出現(xiàn)。
2023-05-06 14:52:19342

DDR4和DDR5規(guī)格之間的差異

DDR4內(nèi)存模塊支持單個(gè)64位通道(如果考慮ECC,則為72位通道)。相比之下,DDR5內(nèi)存模塊配備了兩個(gè)獨(dú)立的32位通道(40位ECC)。
2023-05-08 10:27:441332

DDR5芯片銷量明年將翻倍

由于人工智能需求激增,HBM和DDR5的價(jià)格和需求不斷增長(zhǎng)。
2023-07-21 18:13:27415

ddr5的主板可以用ddr4內(nèi)存嗎 幾代CPU才能上DDR5

DDR5的主板不支持使用DDR4內(nèi)存。DDR5(第五代雙倍數(shù)據(jù)率)和DDR4(第四代雙倍數(shù)據(jù)率)是兩種不同規(guī)格的內(nèi)存技術(shù),它們?cè)陔姎馓匦院鸵_布局上存在明顯差異。因此,DDR5內(nèi)存模塊無(wú)法插入DDR4主板插槽中,也不兼容DDR4內(nèi)存控制器。
2023-08-09 15:36:2512823

2Q23 NAND Flash/DRAM市場(chǎng)營(yíng)收排名出爐

mobile收入增長(zhǎng)及DDR5、HBM等出貨擴(kuò)大的推動(dòng)下,SK海力士的NAND Flash和DRAM收入分別實(shí)現(xiàn)26.4%和48.9%的環(huán)比增長(zhǎng)
2023-09-05 16:13:32317

NAND Flash 原理深度解析(上)

Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量?jī)?nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011626

XMP DDR5 8000內(nèi)存性能測(cè)試詳解

在全默認(rèn)設(shè)置的情況下,影馳HOF OC Lab幻跡S DDR5 8000內(nèi)存的工作速率為DDR5 4800,延遲設(shè)定為40-40-40-76,因此在這個(gè)設(shè)置下它的內(nèi)存性能并不突出,與普通的DDR5 4800內(nèi)存相當(dāng)。
2023-09-15 10:40:42752

NAND Flash 原理深度解析(下)

Flash來(lái)看,NAND Flash的容量結(jié)構(gòu)為: 一個(gè)封裝好的顆粒一般有多個(gè)片選信號(hào),即NAND CE#,代表獨(dú)立的Chip Enable片選信號(hào)。 一個(gè)Target下有一個(gè)或多個(gè)Die/LUN
2023-09-22 18:10:02752

三星電子和SK海力士計(jì)劃四季度全面提高DDR5產(chǎn)量

 SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開(kāi)發(fā)出10nm級(jí)第5代(1b)DDR5,供應(yīng)給英特爾。韓國(guó)投資證券分析師預(yù)計(jì),由于DDR5需求高漲,拉動(dòng)產(chǎn)品平均銷售單價(jià),SK海力士DRAM業(yè)務(wù)有望加快轉(zhuǎn)虧為盈,公司整體業(yè)績(jī)也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16174

存儲(chǔ)器廠強(qiáng)攻DDR5產(chǎn)品 后市可期

對(duì)于ddr5市場(chǎng)的發(fā)展,威剛表示,現(xiàn)階段觀察到需求端春燕來(lái)臨,主要來(lái)自pc,隨著顧客需求的明顯好轉(zhuǎn)和pc內(nèi)存內(nèi)容的提高,明年上半年ddr5將超過(guò)ddr4,形成黃金交叉。目前在現(xiàn)貨市場(chǎng)上,ddr5的單價(jià)比ddr4高4-50%,從威強(qiáng)的情況來(lái)看,ddr5比重的上升有助于總利潤(rùn)率。
2023-11-24 10:38:38217

NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見(jiàn)的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20735

ddr5為什么能跑得那么穩(wěn)呢

隨著DDR5信號(hào)速率的增加和芯片生產(chǎn)工藝難度的加大,DRAM內(nèi)存出現(xiàn)單位錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)也隨之增加,為進(jìn)一步改善內(nèi)存信道,糾正DRAM芯片中可能出現(xiàn)的位錯(cuò)誤,DDR5引入了片上ECC技術(shù),將ECC集成到DDR5芯片內(nèi)部,提高可靠性并降低風(fēng)險(xiǎn),同時(shí)還能降低缺陷率。
2023-11-30 14:49:31106

DDR5接收機(jī)一致性表征和測(cè)試

如今,各行業(yè)正在加速向DDR5新紀(jì)元邁進(jìn),無(wú)論是PC、筆記本電腦還是人工智能,都對(duì)DDR5有強(qiáng)烈的需求。隨著內(nèi)存市場(chǎng)需求的回暖,內(nèi)存芯片供應(yīng)商們已著手在今年第 4 季度全面拉高 DDR5 產(chǎn)能,逐步取代現(xiàn)今的 DDR4。2024年,DDR5作為一款高附加值的DRAM,將繼續(xù)受到業(yè)界各大廠商的青睞。
2023-12-13 14:31:41306

DDR5 SDRAM規(guī)范

JESD79-5B DDR5 SDRAM-2022 JEDEC
2023-12-25 09:51:552

影馳HOF PRO DDR5 7000內(nèi)存詳細(xì)評(píng)測(cè)報(bào)告

在最為重要的內(nèi)存顆粒上,根據(jù)軟件檢測(cè),這款內(nèi)存采用了編號(hào)為“H5CG48AEBDX018”的SK海力士A-die顆粒,與市面上大部分DDR5 7600、DDR5 8000等高速率內(nèi)存使用的顆粒相同,這也意味著該內(nèi)存可能具備優(yōu)秀的超頻潛力。
2024-01-02 14:37:01194

瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片(DDR5 RCD04)

近日,瀾起科技宣布推出DDR5第四子代寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器芯片(DDR5 RCD04),該芯片支持高達(dá)7200 MT/s的數(shù)據(jù)速率,較DDR5第一子代RCD速率提升50%,
2024-01-04 09:26:58289

lpddr5時(shí)序比ddr5慢多少

LPDDR5和DDR5是兩種不同類型的內(nèi)存,它們?cè)跁r(shí)序和性能方面有一些差異。盡管它們都是最新一代的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn),但它們面向不同的應(yīng)用場(chǎng)景,并且在設(shè)計(jì)上有一些不同。 首先,讓我們來(lái)了解一下LPDDR5
2024-01-04 10:22:061166

DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好?

DDR6和DDR5內(nèi)存的區(qū)別有多大?怎么選擇更好? DDR6和DDR5是兩種不同的內(nèi)存技術(shù),它們各自在性能、功耗、帶寬等方面都有不同的特點(diǎn)。下面將詳細(xì)比較這兩種內(nèi)存技術(shù),以幫助你選擇更適合
2024-01-12 16:43:052881

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