DRAM和NAND預(yù)計(jì)將占汽車內(nèi)存收入的近90%

據(jù)yole的最新報(bào)告，2021 年，獨(dú)立內(nèi)存市場規(guī)模高達(dá)1670億美元。占整個(gè)半導(dǎo)體市場的 28%。相比之下，汽車存儲(chǔ)器市場（2021 年為 43億美元）占全球存儲(chǔ)器市場收入的 2.6%，占汽車半導(dǎo)體的 10%——表明非存儲(chǔ)器電子元件在當(dāng)前車輛中的普及。

我們預(yù)測到 2027 年存儲(chǔ)器的收入將增加兩倍，占汽車半導(dǎo)體市場的 17%，2021到2027年的復(fù)合年均增長率為 20%，超過全球存儲(chǔ)器市場同期的8% CAGR和汽車半導(dǎo)體市場 同期的10% CAGR .

目前，整個(gè)汽車內(nèi)存市場目前由美光主導(dǎo)，估計(jì)市場份額為 45%（按收入計(jì)），其次是三星，市場份額為 13%。英飛凌、鎧俠、SK海力士和ISSI均排在三星之后，市場份額≤7%。

駕駛艙和 ADAS 以及自動(dòng)駕駛 (AD) 占汽車內(nèi)存收入的 90% 以上。

在全球內(nèi)存市場中，NAND 和 DRAM 合計(jì)占 2021 年收入的 96%，而 NOR 閃存僅占略高于 2%（約 35 億美元）。NAND 和 DRAM 也主導(dǎo)了汽車內(nèi)存市場，合計(jì)份額為 80%（DRAM 為 41%，NAND 為 39%）。NOR 閃存在汽車領(lǐng)域的占有率要高得多，市場份額為 15% (約6.6億美元)。

具有主要信息娛樂單元、儀表盤和連接性的駕駛艙目前是主要的內(nèi)存用戶。為了重現(xiàn)“智能手機(jī)般”的用戶體驗(yàn)，駕駛艙內(nèi)存內(nèi)容遵循相同的內(nèi)存內(nèi)容趨勢。NOR 閃存仍在使用，但托管 NAND 和 DRAM 占據(jù)了大部分收入。

ADAS & AD 成為第二個(gè)車載內(nèi)存用戶，2021 年占收入的 24%。內(nèi)存消耗主要是 DRAM 和高密度 NOR 閃存，可能還有用于智能傳感器的 SLC NAND。它是內(nèi)存增長最快的應(yīng)用領(lǐng)域。

“其他”領(lǐng)域（動(dòng)力總成、底盤和安全以及車身和舒適性）估計(jì)約占需求的 5%。這些領(lǐng)域所需的限制最多，主要使用穩(wěn)健的存儲(chǔ)器技術(shù)，例如 EEPROM 和 NOR 閃存。

到 2027 年，座艙預(yù)計(jì)仍將是主要應(yīng)用領(lǐng)域內(nèi)存消費(fèi)者，但 ADAS & AD 的收入份額將增至 36%。在技術(shù)方面，DRAM 和 NAND 預(yù)計(jì)將占汽車內(nèi)存收入的近 90%。

技術(shù)趨勢：智能功能需要更快的接口和更大的密度。

汽車市場在質(zhì)量、資格、可靠性、功能安全和供應(yīng)壽命方面有特定要求，需要解決這個(gè)市場的參與者付出額外的努力和奉獻(xiàn)精神。

長期以來，所使用的存儲(chǔ)器技術(shù)僅限于穩(wěn)健的解決方案，例如 EEPROM 和 NOR 閃存。隨著數(shù)字駕駛艙和 ADAS 智能傳感器以及自動(dòng)駕駛功能的普及，這種情況已經(jīng)發(fā)生了變化。

從帶有主要信息娛樂單元的模擬儀表板，車輛現(xiàn)在正在采用完全集中的數(shù)字駕駛艙電子設(shè)備。例如，DRAM 已經(jīng)從 DDR2 和 DDR3L 發(fā)展到 LPDDR4(x)，在某些情況下甚至是 GDDRx。相關(guān)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)需求的增加導(dǎo)致采用更大、更快管理的 NAND 解決方案。從 eMMC 開始，越來越多的設(shè)計(jì)在最豪華的車輛中采用 UFS 和潛在的 PCIe 固態(tài)硬盤 (SSD)。

ADAS 功能正在推動(dòng)智能傳感器的普及，例如前置攝像頭、成像雷達(dá)，甚至激光雷達(dá)。這將需要高密度 NOR 閃存（(Q)SPI 到 xSPI）和 DRAM（DDR3L 或 LPDDR4），具體取決于所使用的應(yīng)用程序處理單元。

自動(dòng)駕駛需要采用中央處理和人工智能功能。后者需要高帶寬 DRAM。雖然大部分設(shè)計(jì)使用的是LPDDR4(x)或DDR4，但也有一部分使用的是GDDRx，未來我們可能還會(huì)想到HBM。自動(dòng)駕駛需要存儲(chǔ)大量代碼和數(shù)據(jù)，因此需要采用 eMMC 或 UFS 設(shè)備。預(yù)計(jì)未來用于自動(dòng)駕駛汽車的事件數(shù)據(jù)記錄器（黑匣子）需要非常大的密度和速度，這可能會(huì)導(dǎo)致采用 PCIe SSD。

在Yole看來，汽車存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)迎來前所未有的挑戰(zhàn)和機(jī)遇。

汽車半導(dǎo)體，正在被顛覆

據(jù)Yole報(bào)道，汽車半導(dǎo)體市場呈現(xiàn)持續(xù)增長。

隨著基于半導(dǎo)體的應(yīng)用（例如更高水平的高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS) 和電氣化）的滲透率增加，這是不可避免的。盡管輕型汽車市場相對平穩(wěn)，但半導(dǎo)體芯片市場預(yù)計(jì)將從 2021 年的 440億美元增長到 2027 年的807億美元，復(fù)合年增長率 (CAGR) 為 11.1%。這代表每輛車的半導(dǎo)體芯片價(jià)值約 550 美元，到 2027 年將增長到約 912 美元。這也是汽車中實(shí)施的芯片數(shù)量的增加，從今天的約 820 個(gè)芯片到 2027 年每輛車約 1100 個(gè)芯片。

汽車電氣化的快速發(fā)展需要新型襯底，例如用于電力電子的 SiC。預(yù)計(jì)到 2027 年將達(dá)到 1,130 k片襯底。雖然與 2027 年預(yù)計(jì)的約 30,500 k硅襯底相比仍然較低，但 SiC 的增長速度將超過 Si 和 GaAs/Sapphire。

ADAS也是一個(gè)重要的驅(qū)動(dòng)力，低至16納米/10納米的尖端技術(shù)的MCU將進(jìn)入ADAS，包括雷達(dá)和其他傳感器控制。L4和 L5自動(dòng)駕駛將推動(dòng)對更多內(nèi)存 (DRAM) 和計(jì)算能力的需求不斷增長。

對于電氣化，垂直整合在 OEM 中越來越受歡迎，并且可以通過多種方式進(jìn)行：完全集成到組件級(jí)別、系統(tǒng)集成和分包按需打印零件、與關(guān)鍵組件供應(yīng)商的戰(zhàn)略合作/直接投資等。傳統(tǒng)汽車供應(yīng)鏈需要徹底審視自身定位，并通過合資、并購以及新的投資和撤資進(jìn)行轉(zhuǎn)型，以保持其競爭優(yōu)勢。

盡管半導(dǎo)體在正在進(jìn)行的顛覆性轉(zhuǎn)型中對汽車行業(yè)至關(guān)重要，但大多數(shù)參與者，包括 OEM 和 T1 供應(yīng)商，還沒有明確的半導(dǎo)體戰(zhàn)略。為未來做好準(zhǔn)備，迫切需要內(nèi)部和外部半導(dǎo)體技術(shù)及其供應(yīng)鏈方面的具體專業(yè)知識(shí)。

供應(yīng)鏈管理將發(fā)生變化，因?yàn)?OEM 需要直接與芯片制造商談判，向消費(fèi)行業(yè)學(xué)習(xí)，并保留“緩沖庫存”。他們必須在產(chǎn)量預(yù)測和長期訂單方面與芯片制造商更緊密地合作。豐田在 1960 年代率先推出的準(zhǔn)時(shí)制制造，在當(dāng)前的地緣政治氣候下不再與芯片制造商合作。

電池電動(dòng)汽車的成本結(jié)構(gòu)有所不同，與快速發(fā)展的技術(shù)產(chǎn)生共鳴。汽車電氣化所需的主要器件是 Si IGBT 和 SiC MOSFET 模塊，用于電機(jī)牽引的主逆變器。由于 SiC 具有更高的效率和與 800V 技術(shù)的集成，預(yù)計(jì)將迅速采用 SiC。

雷達(dá)和攝像頭是 OEM 使用的主要傳感器，因?yàn)樗鼈冃阅芰己们蚁鄬Ρ阋?。在過去幾年中，LiDAR 傳感器已慢慢進(jìn)入汽車行業(yè)，以提供更多的自動(dòng)駕駛功能。這項(xiàng)技術(shù)還很年輕，有很多不同的可能性，但整合將會(huì)到來，從而使價(jià)格大幅下降并得到更廣泛的采用。

三十年前，原始設(shè)備制造商對計(jì)算能力的需求微乎其微，但現(xiàn)在計(jì)算變得越來越重要。原始設(shè)備制造商正在大力投資，就像大眾集團(tuán)在 2020 年創(chuàng)建 CARIAD 部門所做的那樣。此外，一些原始設(shè)備制造商正在開發(fā)自己的計(jì)算芯片。特斯拉的 FSD 芯片已經(jīng)是這種情況。最近，Nio 開始開發(fā)自己的自動(dòng)駕駛應(yīng)用芯片。

編輯：黃飛