一文搞懂各種RAM、ROM存儲(chǔ)的異同點(diǎn)

何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器?

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤和光盤裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫快、存儲(chǔ)密度高、耗電量少、耐震等特點(diǎn)。

關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器(Volatile Memory)，存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器(Non-Volatile Memory)。

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類

* RAM (Random Access Memory) ：可自由對(duì)存儲(chǔ)內(nèi)容進(jìn)行讀寫。

* ROM (Read Only Memory) ：只讀存儲(chǔ)器。

各種存儲(chǔ)器的特點(diǎn)

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項(xiàng)目	RAM	ROM
易失	非易失
SRAM	DRAM	FeRAM	Mask ROM	EPROM	EEPROM	FLASH
數(shù)據(jù)保存方法	施加電壓	施加電壓+ 更新	不需要
讀取次數(shù)	∞	∞	100億～ 1兆次	∞	∞	∞	∞
可改寫次數(shù)	∞	∞	0次	100次	10萬～ 100萬次	1萬～ 10萬次
在電路板上的寫入	可以	可以	可以	×	×	可以	可以
讀取時(shí)間	◎	◎	○	○	○	○	○
寫入時(shí)間	◎	◎	○	－	△	△	△
位成本	△	○	△	◎	△	△	◎
大容量化	○	◎	△	◎	△	△	◎
存儲(chǔ)單元	存儲(chǔ)在觸發(fā)器電路	在電容器中保持電荷	使鐵電發(fā)生極化	將離子注入晶體管	在浮柵中保持電荷	在浮柵中保持電荷	在浮柵中保持電荷

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原理

存儲(chǔ)單元構(gòu)成

由1個(gè)晶體管、1個(gè)電容器構(gòu)成

數(shù)據(jù)的寫入方法

<"1" 時(shí)>

Word線電位為 high

Bit線電位為 high

Word線電位為 low

原理

存儲(chǔ)單元構(gòu)成

由6個(gè)晶體管單元構(gòu)成

由4個(gè)晶體管單元(高電阻負(fù)載型單元)構(gòu)成

數(shù)據(jù)的寫入方法

<"1" 時(shí)>

Word線電位為 high

給予Bit線的電位(D=low, D=high) → 確定觸發(fā)器的狀態(tài)

Word線電位為 low

數(shù)據(jù)的讀取方法

<"1" 時(shí)>

使Word線電位 off

對(duì)Bit線預(yù)充電(D, D與D相同的電位)

Word線電位為 high

Bit線變?yōu)?low、high的狀態(tài)

用感測(cè)放大器進(jìn)行增幅

通過觸發(fā)器電路存儲(chǔ)"1"、"0"

原理

Mask ROM存儲(chǔ)單元構(gòu)成

高度集成化的NAND構(gòu)成。(1個(gè)晶體管單元)

數(shù)據(jù)的寫入方法

在Wafer過程內(nèi)寫入信息

"1"：將離子注入晶體管

"0"：不注入離子

數(shù)據(jù)的讀取方法

使讀取單元的Word線電位為0V

使讀取單元以外的Word線電位為Vcc

→ 對(duì)Bit線施加電壓，

如果有電流流過，則判斷為"1"

原理

EEPROM存儲(chǔ)單元構(gòu)成

由2個(gè)晶體管單元構(gòu)成

數(shù)據(jù)的寫入方法

數(shù)據(jù)的刪除方法

原理

FLASH存儲(chǔ)單元構(gòu)成

數(shù)據(jù)的寫入方法

數(shù)據(jù)的刪除方法

審核編輯：湯梓紅