存儲半導體廠商正式入冬，三大廠商宣布量產(chǎn)DDR5產(chǎn)品

前言：

由于受通貨膨脹、疫情等宏觀問題持續(xù)存在，手機、PC等消費電子客戶不斷調(diào)整庫存，存儲芯片業(yè)務(wù)受到影響。

這些纏斗多年的老對手，此時成了同一根繩上的螞蚱，一榮俱榮，一損俱損。

存儲半導體廠商正式入冬

近期，三星電子、SK海力士、美光、西部數(shù)據(jù)等存儲大廠最新財報釋放出存儲芯片在秋冬季節(jié)的[寒意]。

由于消費電子市場持續(xù)萎靡，以存儲芯片為代表的半導體需求不斷下滑；

多家大廠在財報中發(fā)出預警并做出減產(chǎn)、縮減資本支出的應(yīng)對策略。

由于市場需求放緩，供需失衡之下，庫存持續(xù)上升，美光率先宣布下修2023財年資本支出。

美光預計2030財年資本支出為80億美元，同比下滑33%。

與此同時，美光還計劃將WFE晶圓設(shè)備資本支出同比下降約50%。

三星電子最新發(fā)布的財報顯示，第三季度，營收達76萬億韓元，同比增長2.7%；利潤達10.8萬億韓元，同比大跌31.7%。

SK海力士發(fā)布的業(yè)績報告則更為慘淡，受全球內(nèi)存芯片市場下行的影響，SK海力士第三季度營業(yè)利潤為1.6556萬億韓元，同比劇減60.3%，低于市場預期。

最近一月以來，存儲芯片價格一路向下持續(xù)低迷，導致大多數(shù)終端存儲器產(chǎn)品價格跌幅較大。

? 勒緊褲腰帶布局DDR5

作為全球存儲芯片產(chǎn)業(yè)三巨頭，三星、SK海力士、美光科技的初步業(yè)績預告，加劇了一系列圍繞存儲芯片業(yè)的盈利下調(diào)和悲觀預測。

去年，缺芯漲價廠商抬價囤貨，以期牟利。

然而，今年全球的PC，智能手機等消費類電子產(chǎn)品需求疲軟，致使下游客戶以傾售庫存為主，訂單減少使制造端存儲芯片產(chǎn)能過剩，進而連鎖價格下跌。

隨著消費者勒緊褲腰帶，PC、智能手機等消費電子陷入需求疲軟，致使這些下游客戶開始大規(guī)模清庫存和削減訂單，進而引發(fā)存儲芯片產(chǎn)能過剩、價格下跌的連鎖反應(yīng)。

目前消費電子疲軟還在繼續(xù)，據(jù)Trend Force集邦咨詢數(shù)據(jù)顯示，第四季度DRAM價格跌幅將擴大至13—18%。

從積極方面考量，價格的親民化或?qū)⒓铀貲DR5的入世，DDR5有望加速成為行業(yè)主流。

雖然已經(jīng)在加速DDR5內(nèi)存芯片產(chǎn)能爬坡，然而2022年P(guān)C需求低于預期。

服務(wù)器是DDR5內(nèi)存最先突破的領(lǐng)域之一，通常來說服務(wù)器市場的占有率都要延期一年才能普及DDR5內(nèi)存。

而PC市場更加艱難，畢竟個人消費者在需求下滑時購買會更加的慎重。

到目前為止，DDR4在約10年的時間里一直是DRAM的主力產(chǎn)品。

不過，業(yè)界預測今年將是DDR5的預熱年，而從明年開始，DDR5滲透率將大幅提升。

2021年底DDR5內(nèi)存的市場份額僅有1.1%，2022年突破10%，2023年達到28.8%，2024年也不過43.3%。

? DDR5有了更進一步的性能優(yōu)勢

①內(nèi)存頻率翻倍：在JEDEC標準下DDR5內(nèi)存的引腳帶寬(頻率)是DDR4的兩倍，內(nèi)存頻率起步就是DDR4標準極限的3200MHz，最高可以達到6400MHz。

②內(nèi)存密度的提升：DDR5單芯片達到64Gbit密度，比起DDR4單16Gbit密度高出4倍，并且支持40個單元單堆疊，有效內(nèi)存容量達到2TB。

③滿足新技術(shù)需求：DDR5內(nèi)存的推出將充分滿足未來人工智能、云計算、物聯(lián)網(wǎng)等新技術(shù)帶來的存儲和數(shù)據(jù)傳輸?shù)男枨蟆?/p>

三大廠商已宣布量產(chǎn)DDR5產(chǎn)品

①三星：此前，英特爾和微星正式公布爾全新AlderLake12代酷睿和Z690主板支持搭載DDR5內(nèi)存。

在2021年的HotChips33大會上，三星公布了行業(yè)首款的單條512GBDDR5內(nèi)存條。

其頻率為7200MHz，采用了標準的JEDECDDR5-7200時序，這款DDR5內(nèi)存較之上一代DDR4內(nèi)存提升了85%左右的性能。

目前三星正在與AMD共同研發(fā)單條容量達512GB、甚至1TB的DDR5內(nèi)存產(chǎn)品。

三星的10nm級工藝和EUV技術(shù)使得芯片從16Gb躍升至32Gb，芯片容量的翻倍意味著可提供高達512GB的容量。

不過預計三星DDR5對DDR4芯片的替代可能要在2023年下半年才實現(xiàn)。

另外計劃將其14納米DRAM芯片密度提升至24Gb，以更好滿足快速增長的數(shù)據(jù)需求。

②SK海力士：全球第一個正式發(fā)布DDR5的廠商。在DDR5 SDRAM標準發(fā)布后的三個月，海力士推出了其DDR5產(chǎn)品。

該DDR5內(nèi)存條為面向服務(wù)器、數(shù)據(jù)中心的RDIMM形態(tài)，基于1Ynm工藝制造的16Gb顆粒，單條容量64GB，而借助TSV硅穿孔技術(shù)，最高可以達到256GB。

SK海力士在今年2季度財報中證實，該公司將于未來幾個月內(nèi)開始量產(chǎn)DDR5內(nèi)存顆粒。

并且還計劃從明年初開始將1α納米級工藝導入于去年十月推出的全球首款DDR5DRAM。

今年10月25日表示，該公司在業(yè)界首次開發(fā)DDR5 6400Mbps速度的32GB電腦用無緩沖雙列直插內(nèi)存模塊(UDIMM)和超小型雙列直插式內(nèi)存模塊(SODIMM)，并已向客戶提供樣品。

③美光：2020年7月，為加速DDR5普及，美光宣布啟動技術(shù)賦能計劃，加入該賦能計劃的公司包括楷登電子、瀾起科技、瑞薩電子和新思科技等。

今年7月初美光宣布DDR5已經(jīng)可支持英特爾與AMD下一代服務(wù)器以及工作站平臺，美光旗下支持DDR5的服務(wù)器正在數(shù)據(jù)中心環(huán)境中進行評估和測試，預計將在2022年底前加速采用。

同時，新型服務(wù)器DDR5內(nèi)存最大限度地提高了AI、HPC和數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用程序的性能。

這些應(yīng)用程序需要比DDR4技術(shù)能支持更多CPU計算容量和更高的內(nèi)存帶寬。

今年10月，美光宣布推出Crucial英睿達DDR5臺式電腦(PC)內(nèi)存產(chǎn)品，全新的DDR5內(nèi)存已經(jīng)在線上線下渠道開售。

結(jié)尾：

去年還在因芯片供應(yīng)短缺而賺得體滿缽滿、忙著擴產(chǎn)漲價的芯片企業(yè)們，此刻不得不開始為已然擴散的寒潮做打算。

但無論是回顧歷史，還是看向長遠的未來需求，周期總要循環(huán)，風暴終將過去，此起彼伏的市場危機與機遇會篩出能穿越周期長期跑贏的企業(yè)，也催生更多的技術(shù)創(chuàng)新。

部分資料參考：半導體產(chǎn)業(yè)縱橫：《DDR5強勢登臺，內(nèi)存市場風雨欲來》，金融時報：《全球經(jīng)濟前景下行帶來芯片業(yè)“寒潮”》，半導體信息產(chǎn)業(yè)網(wǎng)：《DRAM存儲芯片：三雄決戰(zhàn)DDR5》

編輯：黃飛

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