美光科技（Micron）16日宣布進(jìn)一步推動(dòng)DRAM產(chǎn)品的革新，其開始采用業(yè)界首個(gè)1z nm的工藝節(jié)點(diǎn)批量生產(chǎn)16Gb DDR4內(nèi)存。 與上一代1Y nm相比，該公司將使用1z nm節(jié)點(diǎn)來(lái)改善
2019-08-20 10:22:36
7258 在合肥長(zhǎng)鑫1500億元投資的內(nèi)存項(xiàng)目之后，紫光集團(tuán)也在6月底正式宣布組建DRAM內(nèi)存事業(yè)部，這是國(guó)內(nèi)在內(nèi)存行業(yè)又一次重要布局。本月中，紫光宣布前日本內(nèi)存公司爾必達(dá)董事長(zhǎng)坂本幸雄加盟，將擔(dān)任高級(jí)副總裁
2019-12-01 00:32:002416 一、前言：長(zhǎng)鑫DRAM芯片的普及需要更多的大陸內(nèi)存廠商 可能很多同學(xué)提到臺(tái)電內(nèi)存，可能會(huì)覺得他們不是一線頂尖品牌，顆粒使用上也不會(huì)有什么亮點(diǎn)，不過這一次，臺(tái)電騰龍G40內(nèi)存100%用了原廠顆粒，而且
2020-10-30 15:33:146349 內(nèi)存應(yīng)該是每個(gè)硬件工程師都繞不開的話題，稍微復(fù)雜一點(diǎn)的系統(tǒng)都需要用到DRAM，并且DRAM是除CPU之外，最為復(fù)雜也最貴的核心部件了，其設(shè)計(jì)，仿真，調(diào)試，焊接，等等都非常復(fù)雜，且重要。對(duì)DRAM
2023-09-25 11:38:421911 
12W立體聲音頻子系統(tǒng)與3D增強(qiáng)LM4857資料下載內(nèi)容主要介紹了：LM4857引腳功能LM4857內(nèi)部方框圖LM4857應(yīng)用電路
2021-04-02 07:26:07
*/#define PHYS_DRAM_2_SIZE0x20000000 /* 512MB */重新編譯啟動(dòng)后發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)啟動(dòng)不了, 會(huì)報(bào)如下的錯(cuò)誤:[host] After Ipc_loadcallback
2020-04-14 08:07:26
速度快，但存儲(chǔ)容量小主存儲(chǔ)器內(nèi)存存放計(jì)算機(jī)運(yùn)行期間的大量程序和數(shù)據(jù) 存取速度較快，存儲(chǔ)容量不大外存儲(chǔ)器外存存放系統(tǒng)程序和大型數(shù)據(jù)文件及數(shù)據(jù)庫(kù) 存儲(chǔ)容量大，位成本低功能 存儲(chǔ)器功能 尋址方式掉電后 說 明
2012-08-15 17:11:45
DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們?cè)诒举|(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
DRAM是一種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲(chǔ)電荷的多寡來(lái)代表一個(gè)二進(jìn)制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢(shì)在于結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，每一個(gè)bit的數(shù)據(jù)都只需一個(gè)電容跟一個(gè)晶體管來(lái)處
2020-12-10 15:49:11
意味著不需要刷新周期，可以顯著提高性能。新的內(nèi)存系統(tǒng)能夠以與DRAM訪問時(shí)間相似的速度運(yùn)行-這是要取代DRAM的一項(xiàng)重要功能。由于所需的柵極電壓較低，因此新的存儲(chǔ)器建議還使用了明顯更少的能量。因此，它將
2020-09-25 08:01:20
{ //一：內(nèi)存池的概念和實(shí)現(xiàn)原理概述//malloc：內(nèi)存浪費(fèi)，頻繁分配小塊內(nèi)存，則浪費(fèi)更加顯得明顯//“內(nèi)存池...
2021-12-17 06:44:19
本文主要介紹內(nèi)存的基本概念以及操作系統(tǒng)的內(nèi)存管理算法。內(nèi)存的基本概念內(nèi)存是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中除了處理器以外最重要的資源，用于存儲(chǔ)當(dāng)前正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)。內(nèi)存是相對(duì)于CPU來(lái)說的，CPU可以直接尋址
2022-01-27 06:08:53
請(qǐng)教：ARM SOC芯片（如手機(jī)SOC芯片）系統(tǒng)，當(dāng)其熱復(fù)位時(shí)，其系統(tǒng)內(nèi)存RAM中的原數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保持不變？并且可被熱復(fù)位后新啟動(dòng)的程序繼續(xù)調(diào)用？ （假設(shè)熱復(fù)位后，程序沒有對(duì)內(nèi)存RAM做初始化清除）。 謝謝。
2022-09-06 11:19:41
請(qǐng)教：ARM SOC芯片（如手機(jī)SOC芯片）系統(tǒng)，當(dāng)其熱復(fù)位時(shí)，其系統(tǒng)內(nèi)存RAM中的原數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保持不變？并且可被熱復(fù)位后新啟動(dòng)的程序繼續(xù)調(diào)用？ （假設(shè)熱復(fù)位后，程序沒有對(duì)內(nèi)存RAM做初始化清除）。 謝謝。
2022-08-02 14:11:58
系列文章解讀&說明：Android Framework 電源子系統(tǒng) 的分析主要分為以下部分：Android Framework 電源子系統(tǒng)（01）PowerManagerService啟動(dòng)
2021-12-31 06:51:36
SSE-700子系統(tǒng)。一個(gè)完整的系統(tǒng)通常包含以下組件：
計(jì)算子系統(tǒng)在SSE-700中，計(jì)算子系統(tǒng)由一到四個(gè)Cortex?A32處理器核心以及相關(guān)的總線、調(diào)試、控制器、外圍設(shè)備和接口邏輯組成。
內(nèi)存
2023-08-02 07:46:43
內(nèi)存是BM1684應(yīng)用調(diào)試中經(jīng)常會(huì)涉及的重要概念，特別地，有以下3個(gè)概念需要特別區(qū)分清楚：Global Memory、Host Memory、Device Memory。
全局內(nèi)存（Global
2023-09-19 07:47:54
和主機(jī)依賴性），內(nèi)存分解的概念到目前為止還沒有成功實(shí)現(xiàn)。CAMEL為大型存儲(chǔ)系統(tǒng)提供世界上第一個(gè)CXL解決方案框架，可以在大數(shù)據(jù)應(yīng)用程序（如機(jī)器學(xué)習(xí)，內(nèi)存數(shù)據(jù)庫(kù)和現(xiàn)實(shí)圖形分析）中實(shí)現(xiàn)出色的性能。CAMEL
2022-11-15 11:14:59
通過IPC共享內(nèi)存機(jī)制進(jìn)行通信，同一個(gè)進(jìn)程的不同線程間，仍是通過消息隊(duì)列方式進(jìn)行通信，中間引入了router、endpoint等概念，實(shí)現(xiàn)了一整套相當(dāng)復(fù)雜但也很高效的通信機(jī)制。3.輕量系統(tǒng)上
2022-04-20 10:27:49
：PWMMSS全稱Pulse-Width Modulation Subsystem 脈沖寬度調(diào)制子系統(tǒng)，由eHRPWM、eCAP和eQEP三個(gè)模塊組成，簡(jiǎn)單的說就是三種工作模式。下面的圖為PWM子系統(tǒng)圖（來(lái)自
2014-10-22 18:17:15
操作。 另外，采用2個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘是處理時(shí)鐘相位偏移的對(duì)策，DDRSDRAM利用雙向的選通信號(hào)實(shí)施時(shí)鐘相位偏移的處理對(duì)策，而Direct Rambus DRAM預(yù)各了由DRAM向
2008-12-04 10:16:36
程序訪問控制子系統(tǒng)支持前向 CFI、API 異常處理優(yōu)化等；內(nèi)核子系統(tǒng)支持 Hyperhold 內(nèi)存擴(kuò)展特性增強(qiáng)、F2FS 末端性能增強(qiáng)優(yōu)化；多模輸入子系統(tǒng)支持鍵盤功能按鍵使能去使能、輸入設(shè)備相關(guān)的多
2022-12-10 11:21:35
一般來(lái)說DRAM芯片的工作原理，比SRAM要復(fù)雜。這主要是由于DRAM在存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的過程中需要對(duì)于存儲(chǔ)的信息不停的刷新，這就成為了DRAM芯片和SRAM芯片之間的最大區(qū)別。一
2010-07-15 11:40:15
1、OpenHarmony資料合集之Sensor子系統(tǒng) 人類獲取外界信息必須借助于感覺器官，而在研究自然現(xiàn)象和規(guī)律以及生產(chǎn)活動(dòng)僅靠感官已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不夠了，為了適應(yīng)這種情況，出現(xiàn)了傳感器。隨著物聯(lián)網(wǎng)
2022-03-14 16:35:36
一、內(nèi)存分配概念計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中，變量存放在ram中，只有在使用時(shí)才將它調(diào)入cpu運(yùn)行，rtthread提供了兩類內(nèi)存分配方法：動(dòng)態(tài)內(nèi)存堆靜態(tài)內(nèi)存池。動(dòng)態(tài)內(nèi)存堆根據(jù)系統(tǒng)資源的情況有3種分配算法：小內(nèi)存
2022-04-22 14:10:22
以提高效率，譬如CPU的一級(jí)緩存，二級(jí)緩存。DRAM是最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存，只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息
2022-10-26 16:37:40
文章目錄前言input子系統(tǒng)按鍵檢測(cè)C代碼微信公眾號(hào)前言這是前3篇:嵌入式Linux i.MX開發(fā)板嵌入式Linux NFS嵌入式Linux 交叉編譯工具鏈嵌入式Linux LED GPIO本篇介紹
2021-11-04 08:14:06
來(lái)源：電子工程專輯根據(jù)內(nèi)存市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange最新出爐的報(bào)告，2006年第二季全球DRAM銷售額較第一季成長(zhǎng)15.5%。主要原因來(lái)自于***地區(qū)廠商產(chǎn)能持續(xù)開出以及第二季DDR
2008-05-26 14:43:30
畢設(shè)題目是基于dsp的受控子系統(tǒng)設(shè)計(jì)，沒思路啊，求大神指點(diǎn)一二{:16:}
2014-03-03 21:16:35
天線的發(fā)展及其對(duì)電子系統(tǒng)的影響是什么？
2021-05-27 07:04:09
輸入設(shè)備總類繁雜，包括按鍵，鍵盤，觸摸屏，鼠標(biāo)，搖桿等等，它們本身都是字符設(shè)備，不過內(nèi)核為了能將這些設(shè)備的共性抽象出來(lái)，簡(jiǎn)化驅(qū)動(dòng)的開發(fā)，建立了一個(gè) Input 子系統(tǒng)。用戶只需要根據(jù)內(nèi)核提供
2020-12-29 07:20:49
如何利用FPGA設(shè)計(jì)航空電子系統(tǒng)？
2021-05-06 08:38:20
嵌入式linux內(nèi)核的五個(gè)子系統(tǒng)分享到： Linux內(nèi)核主要由進(jìn)程調(diào)度（SCHED）、內(nèi)存管理（MM）、虛擬文件系統(tǒng)（VFS）、網(wǎng)絡(luò)接口（NET）和進(jìn)程間通信（IPC）5個(gè)子系統(tǒng)組成，如圖1所示
2013-09-10 14:09:56
減少存儲(chǔ)器占用的系統(tǒng)空間，因此必須要對(duì)DRAM進(jìn)行新的改進(jìn)。目前可以采用兩種截然不同的產(chǎn)品線策略，將基于DRAM的存儲(chǔ)器引入無(wú)線電話，分別是：CellularRAM對(duì)應(yīng)于本地執(zhí)行(XIP)存儲(chǔ)器架構(gòu)
2009-10-08 15:53:49
接收器子系統(tǒng)的電路是怎樣組成的？接收器子系統(tǒng)有哪幾個(gè)主要誤差源？
2021-05-21 06:38:39
汽車黑匣子系統(tǒng)是由哪些部分組成的？汽車黑匣子系統(tǒng)主要功能有哪些？怎樣去設(shè)計(jì)汽車黑匣子系統(tǒng)？
2021-04-22 06:12:37
SCPI儀器指令子系統(tǒng)分為哪幾類？腳本有哪些？TSP儀器指令子系統(tǒng)分為哪幾類？腳本有哪些？
2021-04-30 06:55:27
基于ADSL的熱網(wǎng)監(jiān)控系統(tǒng)總體結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？基于ADSL的熱網(wǎng)監(jiān)控系統(tǒng)關(guān)鍵技術(shù)有哪些？熱網(wǎng)監(jiān)控系統(tǒng)控軟、硬件系統(tǒng)該如何去設(shè)計(jì)？
2021-05-31 06:10:58
本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2021-04-20 06:30:52
1.技術(shù)背景OpenHarrelease3.1在2.0的基礎(chǔ)上啟動(dòng)除了增加了功能，而且各個(gè)模塊組件的能力也有所不同，本文就增強(qiáng)了3.1版本的init子系統(tǒng)模塊，在啟動(dòng)引導(dǎo)系統(tǒng)服務(wù)方面進(jìn)行了分析。本文
2022-04-22 10:37:39
混合信號(hào)音頻子系統(tǒng)有什么特點(diǎn)？混合信號(hào)音頻子系統(tǒng)具備哪些優(yōu)勢(shì)？混合信號(hào)音頻子系統(tǒng)有什么作用？
2021-06-08 06:07:05
美國(guó)的智能運(yùn)輸系統(tǒng)主要由哪些子系統(tǒng)組成？
2021-05-12 06:43:43
第二部分：DRAM 內(nèi)存模塊的設(shè)計(jì)技術(shù)..............................................................143第一章 SDR 和DDR 內(nèi)存
2008-08-05 11:41:30
0 本文主要講述的是西門子系統(tǒng)和QUADLOG ESD系統(tǒng)的概念，組成以及功能。
2009-04-10 10:34:349 特點(diǎn)：（1）VMIC反射內(nèi)存是一種通過局域網(wǎng)在互連的計(jì)算機(jī)間提供的數(shù)據(jù)傳輸?shù)募夹g(shù)，強(qiáng)實(shí)時(shí)網(wǎng)絡(luò)設(shè)計(jì)人員已經(jīng)越來(lái)越多地采用這種技術(shù)。VMIC反射內(nèi)存實(shí)時(shí)局域網(wǎng)的概念十分簡(jiǎn)單，就是設(shè)計(jì)一種網(wǎng)絡(luò)內(nèi)存板，在
2022-10-11 10:22:41
本基礎(chǔ)指南共23頁(yè)，它全面介紹了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）概念，描述了DRAM的未來(lái)發(fā)展方向，并概述了如何藉由驗(yàn)證來(lái)改善內(nèi)存設(shè)計(jì)。
SDRAM 內(nèi)存系統(tǒng): 嵌入式測(cè)試和測(cè)量
2010-08-05 15:13:1286 DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本DRAM 內(nèi)存入門手冊(cè)概括介紹了DRAM 的概念，展
2010-08-06 08:27:54104 DIMM DRAM 168線內(nèi)存條引腳定義
正面，左方：
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2007-11-21 12:39:411489
DIMM DRAM 168線內(nèi)存條
2009-02-12 10:39:121132 什么是DRAM DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很
2010-01-07 10:00:451224 三星將大批量生產(chǎn)30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片
據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，全球最大的內(nèi)存芯片廠商三星電子周一稱，30納米DDR3 DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)適合消費(fèi)者使用，準(zhǔn)備應(yīng)用到產(chǎn)品中。
2010-02-03 10:06:26701 什么是EDO DRAM/All-in-One
EDO DRAM (Extended Data Out DRAM)：擴(kuò)展數(shù)據(jù)輸出DRAM。對(duì)DRAM的訪問模式進(jìn)行一些改進(jìn)，縮短內(nèi)存有效訪問
2010-02-05 09:34:05631 風(fēng)河增強(qiáng)VxWorks 653集成模塊用于航空電子系統(tǒng)硬件的支持
Intel全資子公司風(fēng)河系統(tǒng)公司（Wind River）日前在歐洲航空電子大會(huì)（Avionics Europe）上宣布，
2010-04-09 12:37:36968 下一代內(nèi)存的讀取速度會(huì)比現(xiàn)在快多少?來(lái)自美國(guó)斯坦福大學(xué)的研究人員認(rèn)為，相變內(nèi)存(Phase-Change Memory，PCM)很可能是現(xiàn)在DRAM內(nèi)存性能的1000倍。
2016-08-18 10:39:06996 2016年全球PC市場(chǎng)繼續(xù)下滑，除了游戲相關(guān)的硬件之外，活得最滋潤(rùn)的就是DRAM內(nèi)存、NAND閃存了，2016下半年開始的缺貨、漲價(jià)使得相關(guān)廠商的營(yíng)收看漲。作為全球最大的DRAM內(nèi)存及NAND閃存
2017-01-16 10:40:24638 隨著系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會(huì)接入多個(gè) DRAM Devices。而多個(gè) DRAM Devices 不同的組織方式，會(huì)帶來(lái)不同的效果。本文將對(duì)不同的組織方式及其效果進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。
2017-03-28 11:43:371300 
DDR 控制器部產(chǎn)品營(yíng)銷總監(jiān) 概述 DDR DRAM內(nèi)存控制器要滿足眾多市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)的需求。一款出色的內(nèi)存控制器必須能夠增加存儲(chǔ)器接口的帶寬，滿足CPU、圖形處理、系統(tǒng)實(shí)時(shí)DRAM的延遲需求，同時(shí)符合
2017-11-18 18:23:122522 DRAM (動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器)對(duì)設(shè)計(jì)人員特別具有吸引力，因?yàn)樗峁┝藦V泛的性能，用于各種計(jì)算機(jī)和嵌入式系統(tǒng)的存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)中。本文概括闡述了DRAM 的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SDRAM、LPDDR、GDDR。
2018-06-07 22:10:0091644 2017年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)經(jīng)歷了一場(chǎng)大動(dòng)亂，2018年內(nèi)存產(chǎn)業(yè)風(fēng)向也會(huì)有所變化，據(jù)悉，DRAM熱度可望延續(xù)依然存在，但是2018年DRAM并無(wú)新增產(chǎn)能，同時(shí)服務(wù)器內(nèi)存合約價(jià)續(xù)漲。
2018-01-25 16:09:371324 內(nèi)存指標(biāo)大廠三星和美光釋出今年內(nèi)存市況分析，儲(chǔ)存型閃存（NAND Flash）和DRAM市況不同調(diào) 。三星和美光同指本季NAND價(jià)格持續(xù)下探，但DRAM價(jià)格在服務(wù)器及移動(dòng)設(shè)備、車用等應(yīng)用多元下，價(jià)格將持穩(wěn)到年底。
2018-06-21 18:45:00912 本文的主要內(nèi)容是TI的產(chǎn)品AM3715和AM3703的內(nèi)存子系統(tǒng)詳細(xì)資料概述
2018-04-19 15:10:324 日媒報(bào)道稱三星明年的資本支出將下滑8%，其中DRAM內(nèi)存投資大砍20%，三星針對(duì)DRAM產(chǎn)品不會(huì)考慮拼占有率而降價(jià)，砍投資的目標(biāo)是維持內(nèi)存高價(jià)位。
2018-10-09 10:46:393673 在整個(gè)電子產(chǎn)業(yè)鏈中，存儲(chǔ)芯片扮演著至關(guān)重要的角色，它好比行軍打仗的糧草，也被譽(yù)為電子系統(tǒng)的“糧倉(cāng)”。存儲(chǔ)芯片分為閃存和內(nèi)存，閃存包括 NAND FLASH 和 NOR FLASH，內(nèi)存主要為 DRAM，本文將主要給大家講解DRAM芯片市場(chǎng)及“三足鼎立”的局面是如何形成的。
2018-10-10 17:30:344272 全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，業(yè)界認(rèn)為，由于建廠時(shí)間還要兩年，難解今年缺貨窘境，不過受心理層面影響，恐讓下半年DRAM漲勢(shì)止歇。
2018-10-25 15:59:261007 應(yīng)用程序來(lái)說對(duì)物理內(nèi)存地址一無(wú)所知。它只可能通過虛擬內(nèi)存地址來(lái)進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫。程序中表達(dá)的內(nèi)存地址，也都是虛擬內(nèi)存地址。進(jìn)程對(duì)虛擬內(nèi)存地址的操作，會(huì)被操作系統(tǒng)翻譯成對(duì)某個(gè)物理內(nèi)存地址的操作。由于翻譯的過程由操作系統(tǒng)全權(quán)負(fù)責(zé)，所以應(yīng)用程序可以在全過程中對(duì)物理內(nèi)存地址一無(wú)所知
2019-02-15 14:19:096714 
在合肥長(zhǎng)鑫1500億元投資的內(nèi)存項(xiàng)目之后，紫光集團(tuán)也在6月底正式宣布組建DRAM內(nèi)存事業(yè)部，這是國(guó)內(nèi)在內(nèi)存行業(yè)又一次重要布局。本月中，紫光宣布前日本內(nèi)存公司爾必達(dá)董事長(zhǎng)坂本幸雄加盟，將擔(dān)任高級(jí)副總裁及日本公司CEO，負(fù)責(zé)開拓日本市場(chǎng)，他會(huì)負(fù)責(zé)在日本招募人才。
2019-11-28 14:28:552132 在合肥長(zhǎng)鑫1500億元投資的內(nèi)存項(xiàng)目之后，紫光集團(tuán)也在6月底正式宣布組建DRAM內(nèi)存事業(yè)部，這是國(guó)內(nèi)在內(nèi)存行業(yè)又一次重要布局。
2019-11-28 15:37:512314 相信在前不久的雙11活動(dòng)中，上車內(nèi)存、SSD的用戶不在少數(shù)。在經(jīng)過了一年的行業(yè)低迷讓利期后，DRAM內(nèi)存芯片行情似乎要風(fēng)云突變了。
2019-12-06 09:22:25780 今日，集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)公布了全球DRAM廠自有品牌內(nèi)存營(yíng)收最新排名。
2020-02-19 16:11:123987 
美光今天宣布，已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。 不同于CPU、GPU等新品，DRAM內(nèi)存、NAND閃存
2021-01-27 17:28:331589 作者簡(jiǎn)介：Anatoly Burakov，英特爾軟件工程師， 目前在維護(hù)DPDK中的VFIO和內(nèi)存子系統(tǒng) 引言 內(nèi)存管理是數(shù)據(jù)面開發(fā)套件（DPDK）的一個(gè)核心部分，以此為基礎(chǔ)，DPDK的其他部分和
2020-10-26 10:03:121835 
日前，DRAMeXchange集邦科技公布了11月結(jié)束后DRAM內(nèi)存芯片和NAND閃存芯片的價(jià)格情況。
2020-12-02 09:51:261705 
隨著系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會(huì)接入多個(gè) DRAM Devices。而多個(gè) DRAM Devices 不同的組織方式，會(huì)帶來(lái)不同的效果。本文將對(duì)不同的組織方式及其效果進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。
2020-12-18 09:47:361972 1 月 27 日消息 內(nèi)存與存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商美光科技今日宣布批量出貨基于 1α （1-alpha） 節(jié)點(diǎn)的 DRAM 產(chǎn)品。該制程是目前世界上最為先進(jìn)的 DRAM 技術(shù)，在密度、功耗和性能等各方面
2021-01-27 13:56:031970 美光今天宣布，已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513088 
DRAM內(nèi)存從2018年進(jìn)入周期性下跌，經(jīng)過兩年多的低潮期之后，內(nèi)存市場(chǎng)在2020年底開始止跌，部分產(chǎn)品甚至開始漲價(jià)。 內(nèi)存漲價(jià)的主要原因在于三星、美光、SK海力士、削減內(nèi)存產(chǎn)能，預(yù)計(jì)從2021年內(nèi)存
2021-02-05 18:18:517706 C語(yǔ)言程序的動(dòng)態(tài)內(nèi)存分為棧內(nèi)存區(qū)域和堆內(nèi)存區(qū)域兩種。棧內(nèi)存是由編譯器管理的，而堆內(nèi)存是由程序調(diào)用具體的庫(kù)函數(shù)管理的。我們今天分析下棧內(nèi)存的概念。 棧內(nèi)存的使用在很大程度上依賴于處理器的硬件機(jī)制
2021-06-29 10:34:481595 本文主要介紹內(nèi)存的基本概念以及操作系統(tǒng)的內(nèi)存管理算法。 一、內(nèi)存的基本概念 內(nèi)存是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中除了處理器以外最重要的資源，用于存儲(chǔ)當(dāng)前正在執(zhí)行的程序和數(shù)據(jù)。內(nèi)存是相對(duì)于CPU來(lái)說的，CPU可以直接
2021-08-14 14:39:272929 標(biāo)題嵌入式系統(tǒng)基本概念學(xué)習(xí)（一）嵌入式系統(tǒng): 硬件子系統(tǒng)、軟件子系統(tǒng)。硬件子系統(tǒng)包括：嵌入式處理器、存儲(chǔ)器、I/O系統(tǒng)、附屬電路。一、嵌入式處理器：...
2021-10-20 17:06:1717 內(nèi)存是計(jì)算機(jī)的主存儲(chǔ)器。內(nèi)存為進(jìn)程開辟出進(jìn)程空間，讓進(jìn)程在其中保存數(shù)據(jù)。我將從內(nèi)存的物理特性出發(fā)，深入到內(nèi)存管理的細(xì)節(jié)，特別是了解虛擬內(nèi)存和內(nèi)存分頁(yè)的概念。
2022-05-28 14:02:163519 
熱管理問題隨著內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展而發(fā)展，并成為嵌入式系統(tǒng)、可靠性和性能的關(guān)鍵。系統(tǒng)設(shè)計(jì)師和內(nèi)存子系統(tǒng)設(shè)計(jì)師之間的設(shè)計(jì)動(dòng)態(tài)也在不斷發(fā)展，并可能影響為耐用性和性能而構(gòu)建的設(shè)計(jì)。值得信賴的系統(tǒng)級(jí)和板級(jí)合作伙伴關(guān)系以及對(duì)與 DRAM 內(nèi)存模塊相關(guān)的當(dāng)前熱概念的更深入了解可以使最終產(chǎn)品取得成功。
2022-08-17 09:51:17884 
本文主要介紹內(nèi)存的基本概念以及操作系統(tǒng)的內(nèi)存管理算法。
2022-08-18 15:52:051260 的 IDD 值的差異，實(shí)際減少量可能會(huì)略小。內(nèi)存設(shè)計(jì)人員通常會(huì)探索內(nèi)存控制器芯片組是否可以支持更寬的 DRAM 數(shù)據(jù)總線寬度。
2022-10-24 11:04:09528 
DRAM 仍然是任何這些架構(gòu)中的重要組成部分，盡管多年來(lái)一直在努力用更快、更便宜或更通用的內(nèi)存取代它，甚至將其嵌入到 SoC 中。
2023-02-06 10:34:20687 內(nèi)存電路結(jié)構(gòu)**
首先，從電路結(jié)構(gòu)上看來(lái)，內(nèi)存分為DRAM和SRAM，DRAM由線陣列MOS管和電容組成
2023-02-17 15:39:251002 
本文概述Linux內(nèi)核實(shí)現(xiàn)內(nèi)存管理的基本概念，在了解基本概念后，逐步展開介紹實(shí)現(xiàn)內(nèi)存管理的相關(guān)技術(shù)，后面會(huì)分多篇進(jìn)行介紹。
2023-06-23 11:56:00478 
概述 我們都知道一個(gè)進(jìn)程是與其他進(jìn)程共享CPU和內(nèi)存資源的。正因如此，操作系統(tǒng)需要有一套完善的內(nèi)存管理機(jī)制才能防止進(jìn)程之間內(nèi)存泄漏的問題。 為了更加有效地管理內(nèi)存并減少出錯(cuò)，現(xiàn)代操作系統(tǒng)提供了一種
2023-06-22 14:51:001011 
Linux中內(nèi)存管理子系統(tǒng)使用節(jié)點(diǎn)（node）、區(qū)域（zone）和頁(yè)（page）三級(jí)結(jié)構(gòu)描述物理內(nèi)存。
2023-08-28 09:34:59545 
內(nèi)存芯片在驅(qū)動(dòng)ic市場(chǎng)和ic技術(shù)發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。市場(chǎng)上兩個(gè)主要的內(nèi)存產(chǎn)品分別是DRAM和NAND。
2023-09-01 09:43:093293 
這里說一說LED子系統(tǒng)的一些核心源代碼文件，是如何實(shí)現(xiàn)LED子系統(tǒng)。
2023-10-02 16:55:00232 
窗口子系統(tǒng)位于 fundationwindowmanager 目錄下，提供對(duì)窗口與 Display 管理的基礎(chǔ)能力 概覽 窗口是什么 每個(gè) Ability 在創(chuàng)建時(shí)都會(huì)創(chuàng)建一個(gè)主窗口，并且為該窗口
2024-03-05 09:45:42106 
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