2016年下半年開始了新一輪存儲芯片的旺季，DRAM內(nèi)存及NAND閃存的價格從那時候開始瘋漲，今年已經(jīng)進(jìn)入第三個年頭了，不過情況也不一樣了DRAM內(nèi)存顆粒今年的漲價速度放緩到個位數(shù)，不過今年并沒有
2018-10-31 09:49:01
2076 臺灣專用存儲器解決方案制造商旺宏(Macronix)將于明年下半年開始批量生產(chǎn)3D NAND存儲器。該公司將成為臺灣第一家生產(chǎn)內(nèi)部設(shè)計的3D NAND閃存制造商。 該公司董事長吳銘表示，旺宏將在
2019-12-14 09:51:295044 資料來源：Kioxia Kioxia（原為東芝存儲）有望創(chuàng)建3D NAND閃存的后繼產(chǎn)品，與QLC NAND閃存相比，該產(chǎn)品可提供更高的存儲密度。這項于周四宣布的新技術(shù)允許存儲芯片具有更小的單元
2019-12-23 10:32:214222 據(jù)DigiTimes的消息人士報道，NAND閃存的整體價格將在2020年急劇上升。該報告來自存儲器芯片制造商的多個消息來源，最有可能是SK Hynix，美光和三星等更著名的公司。隨著價格的上漲
2020-01-06 11:15:333821 7月24日國外消息：SanDisk在3D NAND方面正在走自己的技術(shù)路線-- 在同一個區(qū)域記錄層的堆疊在一個閃存芯片放到另一個提供更多的容量之內(nèi)。
2013-07-25 10:24:23988 國產(chǎn)手機(jī)勢頭越來越強(qiáng)勁，把三星和蘋果的市場份額搶占不少，但繁榮背后是對核心產(chǎn)業(yè)鏈控制的缺失，就比如閃存芯片，這基本上被韓國廠商壟斷了。近日，高啟全接受媒體采訪時表示，長江存儲將在2019年開始量產(chǎn)64層堆棧的3D NAND閃存，這個消息無疑讓人振奮，而在今年他們還將出樣32層NAND閃存。
2017-05-09 15:10:042255 2022年4月25日，中國上海 — 20世紀(jì)90年代的MP3播放器與如今的智能手機(jī)有什么共同之處？如果沒有NAND閃存這一影響力貫穿幾十年的創(chuàng)新技術(shù)，這兩者都將不會存在。全球存儲器解決方案領(lǐng)導(dǎo)者
2022-04-25 18:26:212196 
本文轉(zhuǎn)自公眾號,歡迎關(guān)注 開放NAND閃存接口ONFI介紹 (qq.com) 一.前言 ? ONFI即 Open NAND Flash Interface, 開放NAND閃存接口.是一個由100多家
2023-06-21 17:36:325876 
NAND閃存是一種電壓原件，靠其內(nèi)存電壓來存儲數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211446 
該行業(yè)非常重視單個ECC代碼的強(qiáng)度：但經(jīng)常被忽視的是錯誤預(yù)防的強(qiáng)度，這在糾正甚至發(fā)揮作用之前是重要的我們?nèi)绾卧诨?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存的系統(tǒng)中實現(xiàn)最低的故障率？您可能已在工程團(tuán)隊或存儲系統(tǒng)供應(yīng)商之間進(jìn)行過
2019-08-01 07:09:53
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:03 編輯
NAND閃存深入解析
2012-08-09 14:20:47
在半導(dǎo)體業(yè)，有非常多與接口標(biāo)準(zhǔn)、性能規(guī)格、功能特性和設(shè)計的真實可能性有關(guān)聯(lián)的假設(shè)、術(shù)語和誤解。因此，弄清事實很重要。本文將闡明關(guān)于NAND閃存的錯誤觀念。
2021-01-15 07:51:55
國產(chǎn)變頻器行業(yè)正在從以往單純的提供產(chǎn)品開始轉(zhuǎn)變?yōu)闉橛脩籼峁┫到y(tǒng)化的解決方案，從高端產(chǎn)品進(jìn)口轉(zhuǎn)變?yōu)閲鴥?nèi)品牌迅速崛起并逐步打開國際市場。在未來，中國變頻器行業(yè)定然順勢崛起，攻占國際高端市場。從20世紀(jì)
2014-04-18 15:37:38
`<div>在***主導(dǎo)、企業(yè)奮進(jìn)、民間關(guān)注的當(dāng)下，中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正一片火熱，進(jìn)而吸引了一大批國際企業(yè)的目光。2018年11月14日外媒消息稱，日本半導(dǎo)體商社
2018-11-16 13:59:37
導(dǎo)讀：AI作為下一場人工智能革命，全球科技大廠都在其中有布局，在全球前15大AI芯片企業(yè)排名表中，華為位列第12，IOP24榜單中中國企業(yè)上榜7家。
[img][/img]
近日，市場研究
2018-05-07 09:26:47
幾乎所有微控制器都使用內(nèi)部 NOR 閃存作為隨機(jī)存取指令或數(shù)據(jù)存儲器。NAND 內(nèi)存是從起始頁面地址開始的順序訪問，不支持直接獲取指令（必須先將內(nèi)容復(fù)制到 RAM）。這是閃存架構(gòu)的根本區(qū)別。我不記得 ST 明確聲明內(nèi)部閃存是基于 NOR 的，但這等同于聲明 ST 控制器使用基于半導(dǎo)體的門來實現(xiàn)邏輯。
2023-01-31 07:34:49
？我可以將 NAND 閃存分成兩個分區(qū)嗎：應(yīng)用程序代碼的第一個分區(qū)第二個分區(qū)將被格式化為 FAT32 文件系統(tǒng)
2023-03-29 07:06:44
根據(jù)數(shù)據(jù)表，斯巴達(dá)6家族有廣泛的第三方SPI（高達(dá)x4）和NOR閃存支持功能豐富的Xilinx平臺閃存和JTAG但是，如果它支持NAND閃存，我不太清楚嗎？我想構(gòu)建和FPGA + ARM平臺，我當(dāng)時
2019-05-21 06:43:17
親愛的大家，任何人都可以讓我知道ZYNQ 7020支持的最大并行NAND閃存。我的客戶正在設(shè)計他的7020定制板，并有興趣知道所支持的并行NAND閃存的最大密度。問候錢德拉以上來自于谷歌翻譯以下
2019-02-27 14:22:07
東芝推出全球最小嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，可用于各種廣泛的數(shù)字消費產(chǎn)品【轉(zhuǎn)】東芝公司宣布推出全球最小級別嵌入式NAND閃存產(chǎn)品，這些產(chǎn)品整合了采用尖端的15納米工藝技術(shù)制造的NAND芯片。新產(chǎn)品符合
2018-09-13 14:36:33
時間回到2018年第一季度，三星、東芝、美光等公司的NAND芯片利潤率是40％，但是第一季度過后NAND價格就開始暴降，據(jù)統(tǒng)計去年上半年NAND閃存價格下跌了至少50％，而根據(jù)分析師表示，未來每年
2021-07-13 06:38:27
大家好我使用 stm32h743 和與 fmc 連接的 nand 閃存。我搜索以查看如何為 nand 創(chuàng)建自己的外部加載器（我找不到任何用于 nand 閃存的外部加載器）。我想我只需要使 Loader_Src.c 文件適應(yīng) nand 閃存 hal 函數(shù)和一個鏈接器來構(gòu)建 .stldr？我走對路了嗎？
2022-12-20 07:17:39
我正在嘗試啟動 IMX6ULL NAND 閃存。供您參考，我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動了 IMX6ULL NAND 閃存。（uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17
或SD的SPI接口。我們將推出兼容ONFI的4Gb Micron SLC NAND芯片。似乎Virtex6和Kintex7有一個核心，但它們在AXI總線上。只是想知道是否有人找到了將ONFI閃存
2020-06-17 09:54:32
嗨，大家好，我正在努力在ML605或VC707上構(gòu)建原型NAND閃存設(shè)備。為此，我需要設(shè)計一個NAND Flash子板并將其連接到高引腳數(shù)FMC。在設(shè)計這樣的電路板之前，我想知道最好的方法是什么？我
2019-04-15 15:58:54
采用Magma Finesim的NAND閃存仿真戰(zhàn)略
摘要: NAND閃存是一種非易失性存儲器，主要用于存儲卡、MP3播放器、手機(jī)、固態(tài)驅(qū)動器(SSD)等產(chǎn)品中。除了存儲單元陣列以外，它還有大量
2010-06-10 16:25:03
26 三星宣布開始量產(chǎn)兩種新型30nm制程NAND閃存芯片
三星近日宣布將開始量產(chǎn)兩款30nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品。其中一種閃存產(chǎn)品采用類似DDR內(nèi)存的雙倍傳輸技術(shù)，據(jù)三星公司
2009-12-02 08:59:23533 Intel、美光宣布投產(chǎn)25nm NAND閃存
由Intel、美光合資組建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已經(jīng)開始使用25nm工藝晶體管試產(chǎn)MLC NAND閃存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:12771 Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081045 鎂光年中量產(chǎn)25nm NAND閃存
鎂光公司NAND閃存市場開發(fā)部門的經(jīng)理Kevin Kilbuck近日透露鎂光計劃明年將其NAND閃存芯片制程轉(zhuǎn)向25nm以下級別，他表示鎂光今年年中將開始批
2010-03-04 11:02:511088 爾必達(dá)計劃收購Spansion NAND閃存業(yè)務(wù)
據(jù)國外媒體報道，日本爾必達(dá)公司表態(tài)計劃收購美國Spansion（飛索半導(dǎo)體）旗下的NAND閃存業(yè)務(wù)資產(chǎn)。Spansion由AMD和富士通公司于1993年
2010-03-05 10:16:19660 NOR閃存/NAND閃存是什么意思
NAND閃存芯片和NOR閃存芯片的不同主要表現(xiàn)在：
1) 閃存芯片讀寫的基本單位不同
2010-03-24 16:34:358226 NAND閃存的自適應(yīng)閃存映射層設(shè)計
閃存存儲器主要分為NAND和XOR兩種類型，其中NAND型是專為數(shù)據(jù)存儲設(shè)計。本文的閃存映射方法主要是針對NAND類型的
2010-05-20 09:26:23770 
三星計劃投資40億美元在中國建NAND閃存廠。如此之大的項目對任何一個城市來說都是一大誘惑。
2012-01-12 10:28:371158 北京時間2月29日凌晨消息，英特爾同意與美光科技擴(kuò)大就閃存芯片領(lǐng)域的合資企業(yè)合作，提高雙方關(guān)系的效率和靈活性。根據(jù)雙方達(dá)成的協(xié)議，美光將為英特爾供貨NAND閃存產(chǎn)品，而英特
2012-02-29 08:55:41279 嵌入式市場閃存解決方案的創(chuàng)新領(lǐng)軍者Spansion公司今日宣布其首個單層單元（SLC）系列Spansion NAND閃存產(chǎn)品開始出樣。這一最新SLC NAND閃存產(chǎn)品采用4x nm浮柵技術(shù)，專門用于汽車、消費及網(wǎng)
2012-05-29 08:55:471159 據(jù)IHS iSuppli公司的NAND閃存動態(tài)簡報，盡管超級本領(lǐng)域使用的固態(tài)硬盤（SSD）不斷增加，但與NAND閃存供應(yīng)商相比，專門生產(chǎn)快速SSD的廠商卻處于劣勢。NADN閃存供應(yīng)商擁有廣闊的市場以及令
2012-07-06 09:39:14807 
東芝(微博)公司計劃將NAND閃存芯片的產(chǎn)量削減30%，為2009年以來首次減產(chǎn)。
2012-07-24 09:08:06793 東芝公司（TOKYO：6502）旗下的半導(dǎo)體&存儲產(chǎn)品公司今天宣布，即日起開始提供符合JEDEC UFS［1］ 2.0版本標(biāo)準(zhǔn)的32GB和64GB嵌入式NAND閃存模塊的樣品出貨。
2014-05-04 16:00:411264 3月7日消息，雖然東芝是NAND閃存芯片的發(fā)明者，但三星目前已經(jīng)是NAND芯片行業(yè)的領(lǐng)跑者，并且其優(yōu)勢在不斷擴(kuò)大。
2017-03-07 15:53:451320 現(xiàn)在，西數(shù)全球首發(fā)了96層堆棧的3D NAND閃存，其使用的是新一代BiCS 4技術(shù)（下半年出樣，2018年開始量產(chǎn)），除了TLC類型外，其還會支持QLC，這個意義是重大的。
2017-06-28 11:22:40710 三星NAND閃存規(guī)格書 K9F4G08U0D
2017-10-17 09:42:2635 是芯片復(fù)位后進(jìn)入操作系統(tǒng)之前執(zhí)行的一段代碼，完成由硬件啟動到操作系統(tǒng)啟動的過渡，為運行操作系統(tǒng)提供基本的運行環(huán)境，如初始化CPU、堆棧、初始化存儲器系統(tǒng)等，其功能類似于PC機(jī)的BIOS. NAND閃存
2017-10-29 11:29:272 DVEVM可以啟動或（默認(rèn)），與非門，或通用異步接收機(jī)/發(fā)射機(jī)（UART）。NOR 閃存提供了一個字節(jié)隨機(jī)的優(yōu)點訪問和執(zhí)行就地技術(shù)。NAND閃存不是那么容易用它需要閃存轉(zhuǎn)換層（FTL）軟件讓它訪問；然而，由于它的價格低，速度快，壽命長，許多客戶想設(shè)計NAND閃存代替或NOR閃存。
2018-04-18 15:06:579 對于許多消費類音視頻產(chǎn)品而言，NAND閃存是一種比硬盤驅(qū)動器更好的存儲方案，這在不超過4GB的低容量應(yīng)用中表現(xiàn)得猶為明顯。隨著人們持續(xù)追求功耗更低、重量更輕和性能更佳的產(chǎn)品，NAND正被證明極具
2018-06-06 12:27:009847 
據(jù)外媒7月10日報道，頂級NAND閃存芯片制造商三星宣布已開始大規(guī)模生產(chǎn)其第五代V-NAND閃存芯片。
2018-07-13 14:22:053682 面對2018年各大閃存顆粒廠商已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)64層堆棧3D NAND的情況，三星正式宣布開始量產(chǎn)第五代V-NAND閃存顆粒，堆棧數(shù)將超過90層。
2018-07-24 14:36:327167 從NAND閃存中啟動U-BOOT的設(shè)計 隨著嵌入式系統(tǒng)的日趨復(fù)雜,它對大容量數(shù)據(jù)存儲的需求越來越緊迫。而嵌入式設(shè)備低功耗、小體積以及低成本的要求,使硬盤無法得到廣泛的應(yīng)用。NAND閃存 設(shè)備就是
2018-09-21 20:06:01485 關(guān)鍵詞：東芝 , NAND , 閃存 , 芯片 芯片制造商東芝公司宣布已開始采樣64GB的NAND閃存芯片，并將其與控制芯片封裝在一起。 東芝目前向包括蘋果在內(nèi)的許多智能手機(jī)和平板電腦制造商提供
2018-11-09 17:28:02268 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元（SLC）、多層單元（MLC）和三層單元（TLC）。顧名思義，在相同
2018-12-17 15:50:241684 由于閃存的成本取決于其裸片面積，如果可以在同樣的面積上存儲更多數(shù)據(jù)，閃存將更具成本效益。NAND閃存有三種主要類型：單層單元(SLC)、多層單元(MLC)和三層單元(TLC)。顧名思義，在相同
2019-04-17 16:32:345462 
近日，HPE 3PAR存儲單元副總裁兼總經(jīng)理Ivan Iannaccone進(jìn)行了一次大膽預(yù)測，在他看來，存儲級內(nèi)存（SCM）或?qū)⒃?0年內(nèi)取代NAND閃存，成為企業(yè)首選的高速存儲介質(zhì)。
2019-02-19 14:06:365827 IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預(yù)測，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長39％和38％。并預(yù)計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。 據(jù)IDC數(shù)據(jù)顯示，2019年上半年閃存
2019-03-20 15:09:01282 IDC調(diào)整了其對NAND閃存的供需預(yù)測，稱2019年和2020年的比特量（bit volume）將同比增長39％和38％。并預(yù)計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。
2019-03-24 10:05:26582 
2019年全球半導(dǎo)體市場從牛市進(jìn)入了熊市，領(lǐng)跌的就是DRAM內(nèi)存及NAND閃存兩大存儲芯片，其中NAND閃存芯片從2018年初就開始跌價，迄今已經(jīng)連跌了6個季度。
2019-05-12 09:37:222630 根據(jù)Tom‘s Hardwared的報道，東芝在今年的閃存峰會上提到了未來的BiCS閃存，以及PLC的NAND開發(fā)。
2019-08-26 16:15:583539 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682 紫光集團(tuán)旗下長江存儲科技有限責(zé)任公司宣布，開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028 紫光集團(tuán)旗下長江存儲正式宣布，公司已開始量產(chǎn)基于Xtacking？架構(gòu)的中國首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存，以滿足固態(tài)硬盤、嵌入式存儲等主流市場應(yīng)用需求。
2019-10-08 11:29:181357 的減緩生產(chǎn)速度——少切點晶圓，慢建新產(chǎn)線。下半年開始NAND Flash價格明顯止跌，近期三星、SK海力士、美光等原廠又再次掀起了新一輪的軍備競賽，一些新的工廠開始正式納入規(guī)劃或者即將投入運營，這將給NAND Flash產(chǎn)業(yè)帶來什么變化？又是否是中國的機(jī)遇？
2019-10-12 10:01:22883 任何了解SD卡，USB閃存驅(qū)動器和其他基于NAND閃存的解決方案基礎(chǔ)知識的人都知道，控制這些最小化故障率的關(guān)鍵組件是NAND閃存控制器。
2020-01-22 09:46:00634 
盡管新冠疫情仍存在影響，三星 （Samsung） 已按計劃啟動了其位于中國西安的新閃存工廠，開始量產(chǎn)閃存晶圓。
2020-03-25 11:43:562872 無論消費者還是企業(yè)機(jī)構(gòu)，大多數(shù)人在談到閃存時，首先想到的就是NAND閃存。從一定的現(xiàn)實意義上來講，NAND閃存可以說已經(jīng)成為固態(tài)硬盤的代名詞?；趬K尋址結(jié)構(gòu)和高密度，使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751 
通常情況下，固態(tài)硬盤（SSD）的底層NAND架構(gòu)會因模型而異。NAND 閃存的每種類型——SLC、MLC、eMLC和TLC——都有不同的特性，并因此對您的數(shù)據(jù)存儲產(chǎn)生不同的影響，在這篇文章中，我們會討論這些差異。
2020-08-28 11:15:46716 
我們都知道，構(gòu)成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存，目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯(lián)合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營，今天小編就來你了解閃存產(chǎn)品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052 據(jù)國外媒體報道，專注于3D NAND閃存設(shè)計制造的長江存儲，將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025 美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)，達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后，自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081 存儲器廠商美光宣布，其第五代3D NAND閃存技術(shù)達(dá)到創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。預(yù)計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術(shù)以及架構(gòu)，可以大幅度提升數(shù)據(jù)中心、智能邊緣計算以及智能手機(jī)存儲
2020-11-12 16:02:552599 根據(jù)外媒 TechPowerUp 的消息，SK 海力士公司發(fā)布了 176 層 512 Gb 三層 TLC 4D NAND 閃存。 SK 海力士表示新的 176 層 NAND 閃存采用加速技術(shù)
2020-12-07 16:16:232416 ? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業(yè)的突破性革新已有多年發(fā)展歷史，隨著2D NAND容量達(dá)到極限，以及晶體管越來越小，NAND的編程時間變長，擦寫次數(shù)變少，能夠?qū)?nèi)存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766 從96層NAND閃存芯片開始，海力士一直在推動4D技術(shù)的發(fā)展。本文介紹的176層NAND芯片，已經(jīng)發(fā)展到第三代。從制造上來說，其能夠確保業(yè)內(nèi)最佳的每片晶圓產(chǎn)出。
2020-12-15 17:55:342755 12 月 15 日消息，據(jù)國外媒體報道，從 8 月份開始，外媒在報道中就多次提到全球范圍內(nèi) NAND 閃存供應(yīng)過剩，價格將下滑，下滑的趨勢將持續(xù)到明年。 而研究機(jī)構(gòu)在最新的報告中預(yù)計，NAND 閃存
2020-12-15 18:10:162001 12月15日消息，據(jù)國外媒體報道，從8月份開始，外媒在報道中就多次提到全球范圍內(nèi)NAND閃存供應(yīng)過剩，價格將下滑，下滑的趨勢將持續(xù)到明年。
2020-12-16 09:09:021580 NAND Flash是全球最重要的存儲芯片之一，中國需求量最高。2019年，中國地區(qū)NAND閃存市場銷售額全球第一，占比37%。但全球NAND閃存市場卻被日美韓企業(yè)壟斷。
2021-01-16 10:27:383981 眾所周知，三星電子在NAND閃存芯片市場上一直保持領(lǐng)先地位，占有30％以上的份額。但是，由于競爭對手開始表現(xiàn)出更好的工藝，它們似乎在挑戰(zhàn)三星的技術(shù)能力。
2021-02-26 15:49:372217 NAND閃存是用于SSD和存儲卡的一種非易失性存儲體系結(jié)構(gòu)。它的名字來源于邏輯門（NOT-AND），用于確定數(shù)字信息如何存儲在閃存設(shè)備的芯片中。
2021-03-02 17:54:143918 
寫入問題確實是NAND閃存的在企業(yè)級應(yīng)用中的一個限制么？
2021-04-01 17:50:562894 該NAND閃存控制器IP支持以前所未有的速度輕松可靠地訪問片外NAND閃存器件。更新后的控制器能以各種速度支持所有ONFI規(guī)范模式。
2021-08-05 15:30:561299 近日，SK海力士宣布將在中國大連新建閃存工廠，該工廠屬于SK海力士的非易失性存儲器制造項目的一部分，將被用于生產(chǎn)非易失性存儲器3D NAND芯片。 SK海力士在2020年宣布了收購Intel閃存業(yè)務(wù)
2022-05-19 14:32:533109 在3D NAND技術(shù)賽跑中，三星長期處于領(lǐng)先地位，截至目前，其3D NAND閃存已經(jīng)陸續(xù)演進(jìn)至128層。
2022-06-14 15:21:152100 
本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化的NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了以下方法：用于設(shè)計支持一系列NAND閃存設(shè)備而無需直接設(shè)計的系統(tǒng)關(guān)聯(lián)前。該解決方案還提供了系統(tǒng)無縫利用的方法在設(shè)計系統(tǒng)時可能不存在的新NAND設(shè)備。
2022-09-09 16:10:2415 在NAND閃存的應(yīng)用中，程序/擦除周期存在一個限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個塊的P/E周期達(dá)到最大值時，這些塊將變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230 
圍繞基于NAND閃存的存儲系統(tǒng)的對話已經(jīng)變得混亂。通常，當(dāng)人們討論存儲時，他們只談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">NAND閃存，而忽略了單獨的，但同樣重要的組件，即控制器。但是為什么需要控制器呢？簡單地說，沒有它，一切都不起作用。
2022-10-25 09:29:32863 
* 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產(chǎn)品中最高的存儲密度，可更高效地為企業(yè)擴(kuò)展存儲空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會
2022-11-08 13:37:36577 在NAND閃存的應(yīng)用中，編程/擦除周期存在限制，稱為“P/E周期”。在NAND閃存中，當(dāng)每個塊的P/E周期達(dá)到最大值時，這些塊變得不可工作，需要一個備用塊來替換它。當(dāng)這些備用塊用完時，此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519 
本規(guī)范定義了標(biāo)準(zhǔn)化NAND閃存設(shè)備接口，該接口提供了設(shè)計的系統(tǒng)支持一系列NAND閃存設(shè)備，無需直接設(shè)計預(yù)關(guān)聯(lián)。該解決方案還為系統(tǒng)提供了無縫利用在系統(tǒng)設(shè)計時可能不存在的新NAND器件。
2022-12-13 16:50:450 ，NAND閃存總?cè)萘恳策_(dá)到了5855億GB的市場需求（見圖2），其中，手機(jī)和消費級SSD仍然是主要的需求群體,緊隨其后的則是企業(yè)級SSD。 圖1 圖2 2021年至2027年，以百萬計為單位的NAND
2022-12-26 18:13:09991 
我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 閃存，顧名思義，就是它是立體堆疊的，Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高樓大廈，建筑面積一下子就多起來了，理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147 內(nèi)存和NOR型閃存的基本存儲單元是bit，用戶可以隨機(jī)訪問任何一個bit的信息。而NAND型閃存的基本存儲單元是頁（Page）（可以看到，NAND型閃存的頁就類似硬盤的扇區(qū)，硬盤的一個扇區(qū)也為512
2023-06-10 17:21:001983 三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲領(lǐng)域的競爭愈加激烈，三星電子計劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存，三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282 三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價格過低；在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判，目標(biāo)價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論