納米制造DRAM已能創(chuàng)造充足的利潤(rùn)，因此相較于應(yīng)用處理器（AP）和快閃存儲(chǔ)器（NAND Flash），DRAM的微細(xì)制程技術(shù)發(fā)展較緩慢。
2014-04-04 09:08:42
1340 作為大陸集成電路產(chǎn)業(yè)鏈上最后發(fā)展的DRAM，DRAM廠到底會(huì)落戶哪個(gè)地方也受到關(guān)注。最近關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展有了新進(jìn)展，不僅將技術(shù)、研發(fā)、IP作為關(guān)鍵，DRAM廠的爭(zhēng)奪也有了一個(gè)結(jié)果，武漢成為最后的贏家。
2015-06-19 16:36:381101 大陸DRAM和NAND Flash存儲(chǔ)器大戰(zhàn)全面引爆，近期包括長(zhǎng)江存儲(chǔ)、合肥長(zhǎng)鑫等陣營(yíng)陸續(xù)來臺(tái)鎖定IC設(shè)計(jì)和DRAM廠強(qiáng)力挖角，目前傳出包括鈺創(chuàng)員工、并入聯(lián)發(fā)科的NOR Flash設(shè)計(jì)公司常憶，以及
2016-11-22 16:06:151561 之前外資曾警告，DRAM 榮景能否持續(xù)，取決于存儲(chǔ)器龍頭三星電子，要是三星擴(kuò)產(chǎn)，好景恐怕無法持續(xù)。如今三星眼看 DRAM 利潤(rùn)誘人，傳出決定擴(kuò)產(chǎn)，新產(chǎn)線預(yù)計(jì)兩年后完工。
2017-03-16 07:40:15616 在今日舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)（CFMS）上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士做了題為《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講，披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢(shì)。
2019-09-26 05:13:003556 DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-11-12 14:33:356527 
DRAM（Dynamic Random Access Memory） 即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，它和 SRAM(靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)一樣都是常見的系統(tǒng)內(nèi)存，也就是說我們個(gè)人電腦里的內(nèi)存條通常都是DRAM
2020-12-01 15:18:294257 
內(nèi)存應(yīng)該是每個(gè)硬件工程師都繞不開的話題，稍微復(fù)雜一點(diǎn)的系統(tǒng)都需要用到DRAM，并且DRAM是除CPU之外，最為復(fù)雜也最貴的核心部件了，其設(shè)計(jì)，仿真，調(diào)試，焊接，等等都非常復(fù)雜，且重要。對(duì)DRAM
2023-09-25 11:38:421911 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36267 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶） SK海力士近日發(fā)布全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片，成功開發(fā)出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產(chǎn)品。
2023-04-23 00:01:002617 
想了解DRAM 的EFA測(cè)試，以及她的測(cè)試程序如何，學(xué)習(xí)的技巧等
2020-11-13 13:53:41
。SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。所以SRAM的電路結(jié)構(gòu)非常復(fù)雜。制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多。正因?yàn)槿绱?，才使?b class="flag-6" style="color: red">發(fā)展受到了限制。因此目前SRAM基本上只用于CPU內(nèi)部
2012-08-15 17:11:45
理，相比之下在SRAM存儲(chǔ)芯片上一個(gè)bit通常需要六個(gè)晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。 DRAM存儲(chǔ)原理 DRAM的每一位存儲(chǔ)單元采用一個(gè)晶體管和小電容來實(shí)現(xiàn)
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲(chǔ)器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
判斷題：DRAM上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全0，而Flash上電時(shí)存儲(chǔ)單元的內(nèi)容是全1
2017-08-23 09:29:31
DRAM內(nèi)存原理 不管你信不信，RDRAM (Rambus)、DDR SDRAM甚至是EDO RAM它們?cè)诒举|(zhì)上講是一樣的。RDRAM、DDR RAM
2009-10-21 18:27:06
寬帶系統(tǒng)互聯(lián)中的串行怎么選？DRAM總線的其他用途是什么？
2021-05-24 06:33:34
。根本原因不在三星、SK宣稱的市場(chǎng)因素，目前DRAM市場(chǎng)價(jià)格并不差，反倒是NAND的價(jià)格還在持續(xù)滑落中。擴(kuò)大價(jià)格低落的產(chǎn)品線，不是拿石頭砸自己的腳嗎？同時(shí)也不是媒體所猜測(cè)的國(guó)內(nèi)DRAM產(chǎn)能陸續(xù)釋放，國(guó)內(nèi)
2018-10-12 14:46:09
某16K x 4的存儲(chǔ)體由16個(gè)字長(zhǎng)為1的 DRAM芯片在位方向和字方向同時(shí)擴(kuò)展而成，DRAM芯片中所有的記憶單元排列成行列相等的存儲(chǔ)矩陣。分析：由題得，16個(gè)DRAM芯片需要先在位方向擴(kuò)展為4位得
2022-03-02 06:18:45
DRAM 連接32位SDRAM時(shí)，最大支持64Mx32bit？
2023-05-26 07:27:07
在本文中，我們將介紹一種新型的非易失性DRAM，以及它與當(dāng)前內(nèi)存技術(shù)的比較。DRAM是計(jì)算技術(shù)中必不可少的組件，但并非沒有缺陷。在本文中，我們將研究一種新提出的存儲(chǔ)器-非易失性DRAM-以及它與當(dāng)前
2020-09-25 08:01:20
先準(zhǔn)備在DVSDK的基礎(chǔ)上移植u-boot,由于更換了DDR，因此要修該DDR的參數(shù)，但我找不到dram_init函數(shù)在哪一個(gè)文件里：搜索了一下有下面幾個(gè)文件比較像，但我不知到時(shí)哪一個(gè)，請(qǐng)各位幫忙
2020-08-17 11:19:18
使用NI的 FPGA，開辟了一個(gè)1294*1040大小的DRAM，在60HZ幀頻下按地址一個(gè)MCK一個(gè)地址的刷新DRAM中的數(shù)據(jù)，也就是每個(gè)地址刷新時(shí)間不到17微秒，一開始出現(xiàn)一個(gè)數(shù)據(jù)都寫不進(jìn)去，我
2018-11-07 23:57:30
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲(chǔ)器，求大神指點(diǎn)哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
價(jià)格迅速下跌。IC Insights預(yù)測(cè)，隨著更多的產(chǎn)能上線，供應(yīng)限制開始緩解，DRAM市場(chǎng)增長(zhǎng)將會(huì)降溫。值得一提的是，據(jù)報(bào)道，三星和SK海力士已推遲了部分?jǐn)U張計(jì)劃，原因是預(yù)計(jì)客戶需求將出現(xiàn)疲軟，更有
2018-10-18 17:05:17
供電，它的資料就會(huì)一直存在，不需要?jiǎng)討B(tài)刷新，所以叫靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。以上主要用于系統(tǒng)內(nèi)存儲(chǔ)器，容量大，不需要斷電后仍保存數(shù)據(jù)的。PSRAMPSRAM ，假靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。具有一個(gè)單晶體管的DRAM儲(chǔ)存格
2015-11-04 10:09:56
靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器SRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM是什么？有何優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-12-24 07:04:20
操作。 另外，采用2個(gè)系統(tǒng)時(shí)鐘是處理時(shí)鐘相位偏移的對(duì)策，DDRSDRAM利用雙向的選通信號(hào)實(shí)施時(shí)鐘相位偏移的處理對(duì)策，而Direct Rambus DRAM預(yù)各了由DRAM向
2008-12-04 10:16:36
比同容量的SRAM更少的地址引腳。二、DRAM芯片的刷新技術(shù)由于DRAM的特性決定，DRAM能存儲(chǔ)電荷的時(shí)間非常短暫，這樣它需要在電荷消失之前進(jìn)行刷新，直到下次寫入數(shù)據(jù)或者計(jì)算機(jī)斷電才停止。每次讀寫
2010-07-15 11:40:15
，不能再如愿存儲(chǔ)電荷。因此，業(yè)內(nèi)通過將電容器做成細(xì)長(zhǎng)的圓柱狀來確保表面積來確保容量。圓柱的直徑與長(zhǎng)度之比，即寬高比正日益接近100。通常鉛筆的寬高比為22左右，所以DRAM的電容器比例如同跟4根鉛筆連起來
2015-12-14 13:45:01
存儲(chǔ)器是怎樣進(jìn)行分類的？分為哪幾類？為什么要對(duì)DRAM進(jìn)行刷新？如何進(jìn)行刷新？
2021-09-28 08:50:24
1. 嵌入式的內(nèi)存內(nèi)存的發(fā)展從DRAM到廣泛使用的SDRAM，到之后一代的DDR（或稱DDR1），然后是DDR2和DDR3進(jìn)入大眾市場(chǎng)，2015年開始DDR4進(jìn)入消費(fèi)市場(chǎng)。單片機(jī)領(lǐng)域中，使用較多
2021-12-17 07:44:44
***地區(qū)廠商達(dá)17.9%。由于三星、海力士與美光等廠商在產(chǎn)能配置上著重于Flash顆粒以及CMOS Image Sensor等產(chǎn)品，2007年僅***地區(qū)廠商大量的擴(kuò)充DRAM產(chǎn)品的產(chǎn)能，因此未來***地區(qū)廠商DRAM銷售額比重仍將持續(xù)攀高。
2008-05-26 14:43:30
控制單元。RCU單元可以自動(dòng)產(chǎn)生DRAM刷新總線周期，它工作于微處理器的增益模式下。經(jīng)適當(dāng)編程后，RCU將向將處理器的BIU（總線接口）單元產(chǎn)生存儲(chǔ)器讀請(qǐng)求。對(duì)微處理器的存儲(chǔ)器范圍編程后，BIU單元執(zhí)行刷新周期時(shí)，被編程的存儲(chǔ)器范圍片選有效。
2019-11-07 06:01:59
下一代GDDR6 DRAM的設(shè)計(jì)討論。與之前的DDR系列不同，這一系列產(chǎn)品還存在許多設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，它要求SoC和系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員仔細(xì)評(píng)估整個(gè)GDDR6存儲(chǔ)器接口以實(shí)現(xiàn)成功的設(shè)計(jì)。
2021-01-01 06:29:34
哈弗結(jié)構(gòu)是什么意思？加劇CPU和主存之間速度差異的原因有哪些？導(dǎo)致DRAM比SRAM慢的原因有哪些？虛擬存儲(chǔ)器的最大容量是由什么原因決定的？
2021-08-11 08:07:31
系統(tǒng)需要大容量存儲(chǔ)器的情況下，這種方式將使成本猛增。如果采用DRAM存儲(chǔ)器，則可以大幅度降低系統(tǒng)設(shè)計(jì)成本；但DRAM有復(fù)雜的時(shí)序要求，給系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來了很大的困難。為了方便地使用DRAM，降低系統(tǒng)成本
2011-02-24 09:33:15
模式也使得DRAM的集成度高于SRAM，一個(gè)DRAM的存儲(chǔ)單元僅需要一個(gè)晶體管和一個(gè)小電容，而每個(gè)SRAM單元需要四道六個(gè)晶體管和其它的零件，故DRAM在大容量以及價(jià)格上會(huì)有優(yōu)勢(shì)。 FlashFLASH
2019-09-18 09:05:09
的消息?！ 〈舜卧黾拥?0臺(tái)車輛全部為混合動(dòng)力車，其中40臺(tái)為18米油電混合鉸接車，20臺(tái)為12米氣電混合動(dòng)力車，車身顏色依然為紅色，即日起將陸續(xù)上線。此次新增的60臺(tái)車輛上線工作已經(jīng)全部準(zhǔn)備完畢，并
2013-03-22 16:11:43
基于SRAM 和DRAM 結(jié)構(gòu)的大容量FIFO 的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)作者：楊奇 楊瑩摘要：本文分別針對(duì)Hynix 公司的兩款SRAM 和DRAM 器件，介紹了使用CPLD 進(jìn)行接口連接和編程控制，來構(gòu)成低成本
2010-02-06 10:41:10
45 什么是DRAM DRAM（Dynamic Random-Access Memory），即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很
2010-01-07 10:00:451224 DRAM,DRAM是什么意思
RAM (Random Access Memory隨機(jī)存貯器)是指通過指令可以隨機(jī)地、個(gè)別地對(duì)每個(gè)存儲(chǔ)單元進(jìn)行訪問、訪問所需時(shí)間基本固定、且
2010-03-24 16:04:3313084 DRAM模塊,DRAM模塊是什么意思
DRAM 的英文全稱是"Dynamic RAM"，翻譯成中文就是"動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器"。。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，
2010-03-24 16:17:211587 利基型記憶體包括Mobile DRAM、Specialty DRAM，與Graphics DRAM等3大類產(chǎn)品線，各產(chǎn)品線主要終端應(yīng)用產(chǎn)品各自不同。加總Mobile DRAM、Specialty DRAM與Graphics DRAM等3大產(chǎn)品總市場(chǎng)需求，DIGITIMES預(yù)估
2011-10-28 09:39:003382 DRAM廠不堪虧損紛降低生產(chǎn)供給過剩的標(biāo)準(zhǔn)型DRAM，IC設(shè)計(jì)業(yè)也跟進(jìn)，鈺創(chuàng)(5351)董事長(zhǎng)暨執(zhí)行長(zhǎng)盧超群昨表示，該公司正積極降低DRAM營(yíng)收比重，朝開發(fā)整合邏輯IC的特殊DRAM產(chǎn)品發(fā)展;他認(rèn)為
2011-11-25 09:50:08570 在 DRAM Storage Cell 章節(jié)中，介紹了單個(gè) Cell 的結(jié)構(gòu)。在本章節(jié)中，將介紹 DRAM 中 Cells 的組織方式。
2017-03-17 16:12:144417 
隨著系統(tǒng)對(duì)內(nèi)存容量、帶寬、性能等方面的需求提高，系統(tǒng)會(huì)接入多個(gè) DRAM Devices。而多個(gè) DRAM Devices 不同的組織方式，會(huì)帶來不同的效果。本文將對(duì)不同的組織方式及其效果進(jìn)行簡(jiǎn)單介紹。
2017-03-28 11:43:371300 
日前，存儲(chǔ)器芯片主要供應(yīng)商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會(huì)，會(huì)上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲(chǔ)器的市場(chǎng)趨勢(shì)、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 FPGA中的存儲(chǔ)塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動(dòng)態(tài)隨機(jī)訪問的存儲(chǔ)塊（DRAM），這些存儲(chǔ)塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:062740 
許多高性能儀器使用動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)作為本地存儲(chǔ)器，DRAM是一種高密度、高帶寬的存儲(chǔ)器。選擇具有DRAM的NI FlexRIO FPGA模塊， 您便可自由地將此類本地存儲(chǔ)納入
2017-11-17 17:28:15996 
紫光國(guó)芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì)，目前產(chǎn)品委托專業(yè)代工廠生產(chǎn)。 未來紫光集團(tuán)下屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力，公司會(huì)考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 目前存儲(chǔ)器市況呈現(xiàn)兩樣情，DRAM持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，價(jià)格平穩(wěn)或小漲；NAND Flash則因供過于求，價(jià)格緩跌。外界預(yù)期DRAM市場(chǎng)第3季將可喜迎旺季，而NAND Flash市場(chǎng)價(jià)格也可稍有反彈。
2018-06-22 15:48:00733 NOR Flash和NAND Flash作為存儲(chǔ)的兩大細(xì)分領(lǐng)域（另外還有DRAM），目前發(fā)展形勢(shì)一直受到業(yè)界人士關(guān)注。
2018-03-31 08:38:5122130 存儲(chǔ)器市場(chǎng)爆發(fā)，DRAM市場(chǎng)前景看好。2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)增長(zhǎng)率達(dá)到60%，首次超越邏輯電路，成為半導(dǎo)體第一大產(chǎn)品。DRAM繼續(xù)保持半導(dǎo)體存儲(chǔ)器領(lǐng)域市占率第一。DRAM廠商中，三星、SK海力士
2018-05-17 10:12:003074 據(jù)國(guó)際電子商情，日前，消息稱長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)DRAM項(xiàng)目正式首次投片，啟動(dòng)試產(chǎn)8Gb DDR4工程樣品
2018-07-23 17:12:0311871 
日前，合肥長(zhǎng)鑫的DRAM正式投片，產(chǎn)品的規(guī)格為為8Gb LPDDR4。可以說，近期國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)芯片工廠好消息接連不斷
2018-07-24 16:15:509100 DRAM在過去的幾十年里發(fā)展方向單一，以追求高密度存儲(chǔ)器為目標(biāo)，但臺(tái)灣的鈺創(chuàng)科技沒有走傳統(tǒng)路線，而是開發(fā)全新的DRAM架構(gòu)，稱為RPC (Reduced Pin Count) DRAM。
2019-02-11 09:16:114217 
隨著福建晉華和合肥長(zhǎng)鑫兩大陣營(yíng)投入研發(fā) DRAM 技術(shù)，若兩大廠研發(fā)成功且量產(chǎn)，西安紫光國(guó)芯的DRAM設(shè)計(jì)實(shí)力恐與這兩家再度拉大，合并紫光國(guó)芯后的紫光存儲(chǔ)要如何進(jìn)行大整合，以發(fā)揮集團(tuán)的存儲(chǔ)戰(zhàn)力，還待時(shí)間觀察。
2019-02-25 10:22:499118 DRAM廠商在面對(duì)DRAM價(jià)格不斷下跌的困境下，已經(jīng)在考慮導(dǎo)入EUV技術(shù)用于制造DRAM，主要目的是為了降低成本。
2019-06-21 09:10:012047 作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-19 10:26:00463 眾所周知，2017年正是憑借存儲(chǔ)產(chǎn)品的強(qiáng)勢(shì)，使得韓國(guó)半導(dǎo)體迎來了高光時(shí)刻，尤其是其存儲(chǔ)產(chǎn)品更是獨(dú)占鰲頭。其中，韓國(guó)三星與SK海力士的DRAM的市占率更是達(dá)到70%以上，可以說這也是韓國(guó)半導(dǎo)體中的重要
2019-08-16 07:07:002285 昨日，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士披露了DRAM技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀和未來趨勢(shì)。作為中國(guó)DRAM產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導(dǎo)者，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在加速?gòu)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM的技術(shù)追趕者向技術(shù)引領(lǐng)者轉(zhuǎn)變，用自主研發(fā)的DRAM技術(shù)和專利，引領(lǐng)中國(guó)實(shí)現(xiàn)DRAM零的突破。
2019-09-20 16:06:077051 在深圳舉辦的中國(guó)閃存技術(shù)峰會(huì)上，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)副總裁、未來技術(shù)評(píng)估實(shí)驗(yàn)室負(fù)責(zé)人平爾萱博士進(jìn)行了《DRAM技術(shù)趨勢(shì)與行業(yè)應(yīng)用》的演講。
2019-09-20 16:52:563414 DRAM是Dynamic random access memory 的縮寫，稱為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。主要運(yùn)用在對(duì)功耗要求不太高、系統(tǒng)緩存要求容量比較大速度要求比較快的系統(tǒng)。
2020-07-16 10:39:174628 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用，其中DRAM和SRAM是兩種常見形態(tài)的存儲(chǔ)器。DRAM的特點(diǎn)是需要定時(shí)刷新，才可以保存數(shù)據(jù)，SRAM只要存入數(shù)據(jù)了，不刷新也不會(huì)丟掉數(shù)據(jù)。DRAM和SRAM各有各的優(yōu)勢(shì)及不足，本文探討的DRAM和NAND當(dāng)前面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)及發(fā)展前景。
2020-07-22 14:04:191537 DRAM模塊是大多電子設(shè)備均存在的模塊之一，大家對(duì)于DRAM也較為熟悉。但是，大家真的了解DRAM嗎？DRAM的基本單元的結(jié)構(gòu)是什么樣的呢？DRAM的工作原理是什么呢？如果你對(duì)DRAM具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2942485 
DRAM是目前常見的存儲(chǔ)之一，但DRAM并非唯一存儲(chǔ)器件，NAND也是存儲(chǔ)設(shè)備。那么DRAM和NAND之間有什么區(qū)別呢？DRAM和NAND的工作原理分別是什么呢？如果你對(duì)DRAM和NAND具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:2547036 
DRAM作為PC必備器件之一，大家自然對(duì)DRAM較為熟悉。但是，大家知道DRAM存儲(chǔ)具有哪些分類嗎？大家了解DRAM控制器是如何設(shè)計(jì)出來的嗎？如果你對(duì)DRAM以及本文即將要闡述的內(nèi)容具有興趣，不妨繼續(xù)往下閱讀哦。
2020-10-31 11:51:193766 
理，相比之下在SRAM存儲(chǔ)芯片上一個(gè)bit通常需要六個(gè)晶體管。因此DRAM擁有非常高的密度，單位體積的容量較高因此成本較低。存儲(chǔ)芯片供應(yīng)商宇芯電子本篇文章主要介紹關(guān)于DRAM的基本知識(shí)。 DRAM存儲(chǔ)原理 DRAM的每一位存儲(chǔ)單元采用一個(gè)晶體管和小電容來實(shí)現(xiàn)。若寫入位
2020-12-11 15:11:293686 
可以設(shè)計(jì)為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積。同樣面積的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRAM顯得更貴。SRAM的速度快但昂貴，一般用小容量SRAM作為更高速CPU和較低速DRAM 之間的緩存。 SRAM存儲(chǔ)原理 SRAM采用雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器來作存儲(chǔ)元件，不存在電容的刷新問題
2021-01-11 16:48:1819308 美光今天宣布，已經(jīng)開始批量出貨基于1αnm工藝的DRAM內(nèi)存芯片，這也是迄今為止最先進(jìn)的DRAM工藝，可明顯提升容量密度、性能并降低功耗。
2021-01-27 16:16:513088 
MICRON最近宣布，我們正在發(fā)貨使用全球最先進(jìn)的DRAM工藝制造的存儲(chǔ)芯片。這個(gè)過程被神秘地稱為“1α”（1-alpha）。這是什么意思，有多神奇？
2021-09-15 17:00:521862 在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源
2022-08-01 10:22:26709 
DRAM包括：SDRAM、DDRx、SDR、LPDDRx、LPSDR、GDDR、RLDRAMx（Reduced Latency DRAM）、EDO DRAM、FPM DRAM、Mobile DRAM等等。
2023-01-12 09:12:485428 
在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。先進(jìn)的 DRAM 存儲(chǔ)單元有兩種，即深溝
2023-02-08 10:14:575004 在當(dāng)前計(jì)算密集的高性能系統(tǒng)中，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM）和嵌入式動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動(dòng)態(tài)快速讀/寫存儲(chǔ)器。
2023-02-08 10:14:39547 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器是一種易失性存儲(chǔ)器，意味著當(dāng)斷電時(shí)，存儲(chǔ)在其中的信息會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">DRAM使用電容來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持?jǐn)?shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會(huì)迅速失去電荷，導(dǎo)致存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)丟失。
2023-07-28 15:02:032207 DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)元是電容器和晶體管的組合。每個(gè)存儲(chǔ)單元由一個(gè)電容器和一個(gè)晶體管組成。電容器存儲(chǔ)位是用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的。晶體管用于控制電容器
2023-08-21 14:30:021030 在下面的圖中顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相關(guān)部分的結(jié)構(gòu)圖。下圖(a)顯示了堆疊式DRAM存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸(SNC)結(jié)構(gòu)。
2023-09-08 10:02:25592 
在2023年2月在國(guó)際學(xué)會(huì)ISSCC上，三星電子正是披露了公司研發(fā)的存儲(chǔ)容量為24Gbit的DDR5 DRAM的概要（下圖左）和硅芯片（下圖右）。
2023-10-29 09:46:58784 
芯片制造商正在使用更多的DRAM。在某些情況下，DRAM——尤其是高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）——正在取代一些SRAM。DRAM在耐用性方面有著良好的記錄，也有成熟的工藝，而且比SRAM便宜得多
2023-11-22 16:36:08477 
DRAM制造技術(shù)進(jìn)入10nm世代（不到20nm世代）已經(jīng)過去五年了。過去五年，DRAM技術(shù)和產(chǎn)品格局發(fā)生了巨大變化。因此，本文總結(jié)和更新了DRAM的產(chǎn)品、發(fā)展和技術(shù)趨勢(shì)。
2023-11-25 14:30:15538 
dram和nand的區(qū)別? DRAM和NAND是兩種不同類型的存儲(chǔ)器。DRAM（Dynamic Random Access Memory）是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，而NAND（Not AND）是一種邏輯
2023-12-08 10:32:003921
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